LCD屏首次實現0.01Hz超低刷新！TCL華星高遷50 ARR技術全球首發：功耗直降50%

快科技5月7日消息，在2026年SID Display Week開幕首日，TCL華星全球首發14英寸矩陣分區分頻Oxide筆電屏，搭載自研超高遷50氧化物技術與ARR多區動態變頻技術，首次實現LCD面板0.01Hz超低刷新率，屏幕功耗直降50%。

在傳統非晶硅方案中，遷移率天花板使其完全無法驅動這種超低刷新率；低溫多晶硅雖遷移率高，但漏電流過大導致低頻畫面閃爍，同樣無法勝任。

面對這兩種技術路徑各自無法繞開的結構性短板，TCL華星此次公開的超高遷50氧化物技術從三個維度展開了針對性突破。

其一，電子遷移率被推至50cm2/V·s。TCL華星攜手細野秀雄教授，引入聯動式旋轉靶濺射成膜技術，疊加復合疊層設計與復合修復工藝，徹底解決了高遷材料中銦（In）含量過高帶來的器件及工藝問題，材料遷移率大幅提升。

其二，穩定性問題被徹底攻克。通過對絕緣層中氫氧組分的精準平衡調控，實現低缺陷界面構筑與高致密阻隔層制備，漏電被有效抑制。

其三，全鏈路設計適配高分高刷場景。TCL華星通過新型電路架構開發與TFT器件結構優化，有效緩解遷移率提升帶來的閾值電壓漂移與自發熱效應，充分釋放高遷移率材料的性能潛力。

經過新型電路架構與TFT器件優化，超高遷50氧化物已具備驅動高分高刷場景的硬件基礎。實現超低刷新只是第一步，如何讓屏幕在不同區域靈活切換刷新率才是產品化的關鍵。

為此，AI技術被同步深度嵌入面板控制系統。 LCD屏幕被劃分為若干個獨立可控的刷新區域，在AI場景識別的加持下，視頻區域維持高刷新率保證流暢度，靜止區域則自動降至0.01Hz，硬件級功耗得到大幅壓縮。

此外，AI畫質補償算法同步對各分區進行色域與亮度調校，保證高低刷切換時畫面均勻無閃爍。

TCL華星已于2024年完成常規氧化物量產落地，2025年達成高遷30量產，并明確計劃在2026年內實現超高遷50的規?；慨a。

目前，搭載全球首款超高遷50氧化物技術的14英寸矩陣分區分頻筆電屏已在SID完成全球首發。