河南
北京方面近日披露了一系列新一代雷達技術進展，這些技術基于氮化鎵（GaN）和氧化鎵（Ga?O?）等先進半導體材料，被視為中國在電子戰與空中探測領域競爭中的一次重大跨越。
本文是土耳其《國防工業》網站發布的一篇文章，由本人翻譯并分享給大家。翻譯此文章只是為了轉述外國人員表達的一些看法，并非本人觀點，希望大家能夠理解。
據相關專業報告顯示，中國沈陽航空工業集團研制的外貿型隱身戰斗機殲-35AE，配備的雷達系統采用了氮化鎵芯片技術。相比傳統的砷化鎵雷達，這種新材料能夠顯著提升發射功率與目標探測能力，從而在探測距離與精度方面取得更大優勢。
相關信息指出，美國在開發同類雷達時正面臨技術與后勤的雙重挑戰，具體包括能源供應、散熱冷卻以及原材料的保障問題，尤其是在中國對鎵和鍺實施出口管制之后。此外，將此類雷達整合到現役戰斗機上，還需要進行復雜的結構改造。
然而，更大的驚喜來自中國研究人員公布的一項進展：基于氧化鎵材料的雷達取得了突破。這種材料能在縮小雷達體積的同時，提升發射功率并擴大探測距離。有分析人士認為，這項技術更具革命性，實現了比氮化鎵技術更進一步的跨越。氧化鎵雷達可以做得更小巧、更高效且難以被偵測，同時還能整合到不同代的戰斗機上，全面提升作戰能力。
與此同時，中國還在積極研發更為先進的κ相氧化鎵芯片，這種芯片能將發射單元和數據處理模塊集成在一個體積小、性能高的單一模組中。這一進展或將使中國戰斗機戰機能夠在與對手相同的空間內，搭載功率更強的雷達。
觀察人士認為，中國釋放的信息已超出技術范疇：針對芯片設計軟件的封鎖并未阻止中國前進的步伐，反而促使其加強本土研究，加速了國產替代方案的開發。這使得未來幾年內的雷達技術競爭變得愈發錯綜復雜。
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