北京方面近日披露了一系列新一代雷達技術進展,這些技術基于氮化鎵(GaN)和氧化鎵(Ga?O?)等先進半導體材料,被視為中國在電子戰與空中探測領域競爭中的一次重大跨越。
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本文是土耳其《國防工業》網站發布的一篇文章,由本人翻譯并分享給大家。翻譯此文章只是為了轉述外國人員表達的一些看法,并非本人觀點,希望大家能夠理解。
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據相關專業報告顯示,中國沈陽航空工業集團研制的外貿型隱身戰斗機殲-35AE,配備的雷達系統采用了氮化鎵芯片技術。相比傳統的砷化鎵雷達,這種新材料能夠顯著提升發射功率與目標探測能力,從而在探測距離與精度方面取得更大優勢。
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相關信息指出,美國在開發同類雷達時正面臨技術與后勤的雙重挑戰,具體包括能源供應、散熱冷卻以及原材料的保障問題,尤其是在中國對鎵和鍺實施出口管制之后。此外,將此類雷達整合到現役戰斗機上,還需要進行復雜的結構改造。
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然而,更大的驚喜來自中國研究人員公布的一項進展:基于氧化鎵材料的雷達取得了突破。這種材料能在縮小雷達體積的同時,提升發射功率并擴大探測距離。有分析人士認為,這項技術更具革命性,實現了比氮化鎵技術更進一步的跨越。氧化鎵雷達可以做得更小巧、更高效且難以被偵測,同時還能整合到不同代的戰斗機上,全面提升作戰能力。
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與此同時,中國還在積極研發更為先進的κ相氧化鎵芯片,這種芯片能將發射單元和數據處理模塊集成在一個體積小、性能高的單一模組中。這一進展或將使中國戰斗機戰機能夠在與對手相同的空間內,搭載功率更強的雷達。
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觀察人士認為,中國釋放的信息已超出技術范疇:針對芯片設計軟件的封鎖并未阻止中國前進的步伐,反而促使其加強本土研究,加速了國產替代方案的開發。這使得未來幾年內的雷達技術競爭變得愈發錯綜復雜。
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