高功率電子器件熱管理需求的日益增長,要求熱界面材料(TIM)兼具高導熱性與高效溫度調節能力。相變材料(PCM)雖具有顯著的潛熱存儲能力,但其本征低導熱性制約了實際應用。
針對這一挑戰,北京大學、北京石墨烯研究院邵元龍研究員等團隊通過將三(羥甲基)氨基甲烷(Tris)真空浸漬到結構工程化的三維石墨烯微納空腔薄膜(GMF)中,開發出高性能相變熱界面材料。
該材料具有可調控的孔隙結構及可控的體積膨脹系數(VEC),能夠優化平衡熱傳輸性能與相變誘導的熱能緩沖效應。優化后的GMF-TIM展現出196.2 J g?1的卓越儲熱性能、各向異性導熱特性(面內65.5 W/mK;面外21.9 W/mK)及最低界面熱阻(0.575 K cm2 W?1)。
在實際CPU工況驗證中(36 W cm?2),GMF-TIM較商業熱界面材料實現約8.6℃的額外溫降。本研究凸顯了當前GMF作為下一代熱界面材料的變革性解決方案,可突破先進電子器件熱管理的關鍵技術瓶頸。
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該研究以題為“Micro-Nano Cavity-Engineered Graphene Phase-Change Composite Film for Bifunctional Thermal Management in Electronics”發表在《ACS Nano》
來源:導熱邦
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