在半導(dǎo)體工藝向2nm及以下節(jié)點邁進的重要階段，等離子體控制的穩(wěn)定性與精度成為良率的核心。本次SEMICON China展會上，北京華丞電子有限公司（簡稱“華丞電子”）正式發(fā)布“新一代射頻電源”，展示了在射頻核心部件領(lǐng)域的創(chuàng)新突破。

行業(yè)痛點：先進制程的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)

隨著芯片制程演進至2nm及Chiplet、3D IC封裝技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)射頻電源在面對復(fù)雜等離子體負載時，常出現(xiàn)響應(yīng)滯后、功率波動大及脈沖控制粗糙等問題，難以滿足先進制程對高可靠性與一致性的苛刻需求。

核心突破：三大技術(shù)護城河

華丞電子通過底層架構(gòu)革新，實現(xiàn)了三大核心突破：

1. 脈沖自適應(yīng)：采用創(chuàng)新性的脈沖自適應(yīng)原理，可根據(jù)等離子阻抗特性動態(tài)調(diào)整過沖幅度，以自適應(yīng)方式精準(zhǔn)點火，既保證點火精準(zhǔn)穩(wěn)定，又提升效率，彰顯核心技術(shù)創(chuàng)新實力。

2. 微秒級快速響應(yīng)：基于BDA動態(tài)算法的掃頻技術(shù)，響應(yīng)速度較傳統(tǒng)提升100倍，進入微秒級。配合多特征融合電弧檢測，實現(xiàn)30μs檢測延時與10μs抑制時間，能在電弧發(fā)生瞬間“主動撲滅”，大幅降低晶圓損傷。

3. 納米級精準(zhǔn)控制：功率精度達到0.1W，配合HALO功能確保能量均勻；實現(xiàn)≤5μs甚至1μs極窄脈沖控制，支持多級脈沖及相位同步，全面適配原子層刻蝕（ALE）等高端工藝。

產(chǎn)品策略：“一門三杰”靈活定制

基于同一硬件平臺，華丞電子推出“自適應(yīng)版”、“標(biāo)準(zhǔn)版”、“平衡版”三種配置射頻電源。客戶可靈活選擇VDMOS或LDMOS模塊，搭配不同合成技術(shù)。產(chǎn)品頻率覆蓋400kHz至60MHz，功率橫跨1.2kW至50kW，全面覆蓋從成熟制程到先進制程的各種需求。

生態(tài)協(xié)同：首發(fā)一體化方案

華丞電子首發(fā)“射頻電源+匹配器”一體化協(xié)同解決方案。通過打破設(shè)備間“黑盒”，實現(xiàn)毫秒級阻抗匹配協(xié)同與動態(tài)功率分配，將獨立部件整合為智能系統(tǒng)。此舉不僅簡化了產(chǎn)線調(diào)試，更從系統(tǒng)層面提升了工藝窗口范圍與良率。

關(guān)于華丞電子

北京華丞電子有限公司總部坐落于北京亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，擁有三大研發(fā)生產(chǎn)基地，總面積超10萬平方米。核心團隊在半導(dǎo)體行業(yè)深耕20余年，深刻理解高端工藝裝備對零部件的需求及精密控制底層技術(shù)，他們在設(shè)計和制造高精度和高可靠性的產(chǎn)品方面擁有豐富的專業(yè)經(jīng)驗。

華丞電子為客戶提供高性能的精密控制解決方案，憑借先進的射頻控制、流量控制、壓力控制及晶圓傳輸技術(shù)，為半導(dǎo)體、清潔能源、真空工業(yè)、生命科學(xué)及科學(xué)研究五大領(lǐng)域客戶創(chuàng)造核心價值。華丞電子提供通過CE-EMC、RoHS、UL、SEMI S2、SEMI F47等認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品系列，同時可根據(jù)客戶實際需求進行定制化開發(fā)，兼顧了產(chǎn)品規(guī)范性與應(yīng)用靈活性。

華丞電子研發(fā)團隊現(xiàn)有300余名工程師，其中70%具備碩士及以上學(xué)歷，依托全鏈條自主可控的研發(fā)制造體系，產(chǎn)品從研發(fā)設(shè)計到零部件加工，再到最終交付的每個環(huán)節(jié)，都實現(xiàn)了嚴(yán)格的內(nèi)控管理和高效的質(zhì)量溯源。

華丞電子在國內(nèi)設(shè)有10個服務(wù)中心及網(wǎng)點，覆蓋主要區(qū)域，能夠快速響應(yīng)客戶需求，在多個領(lǐng)域擁有豐富的技術(shù)支持經(jīng)驗，能夠提供售前產(chǎn)品選型、售后維修及技術(shù)支持等全方位服務(wù)。