三星強攻1nm!

三星電子晶圓代工業務部門已明確目標，將于2030年前推出1納米半導體工藝。這一被稱為“夢幻半導體”的工藝，需采用全新技術排布尺寸僅相當于5個原子的運算元件。此舉旨在與競爭對手臺積電展開全面技術博弈，搶占下一代半導體市場的主導權；同時，三星還決定在現有頂尖2納米技術體系下，開發多款衍生工藝，以穩固核心客戶資源。

據3月30日業內消息，三星電子晶圓代工部門已制定詳細規劃，確保2030年前完成1納米半導體工藝的研發，并順利轉入量產階段。1納米技術之所以被稱為“夢幻級創新工藝”，核心在于其能將半導體芯片內負責數據處理的元件寬度縮減至1納米——這一尺寸僅為三星當前主流頂尖2納米工藝的一半，工藝難度呈指數級提升。

除元件微型化突破外，1納米工藝還將引入全新的“Fork Sheet”結構。在此之前，從3納米到2納米工藝，半導體元件均采用環繞柵極（GAA）技術制造，該技術通過將電流傳導路徑從傳統的三面環繞升級為四面環繞，最大限度提升芯片能效。

“Fork Sheet”技術的核心作用的是縮小環繞柵極元件之間的間距，其原理類似在環繞柵極元件之間構筑絕緣墻體，形似插入一把餐叉。形象地說，這就如同將村落中房屋間的草坪，替換為厚重的混凝土圍墻：移除草坪可騰出更多空間建造房屋，而該技術則能在相同芯片面積內容納更多運算元件，大幅提升芯片集成度。

目前，三星電子晶圓代工業務全球市場份額位居第二，與占據近70%市場份額的臺積電相比，差距約達十倍。據悉，當前主導全球晶圓代工市場的臺積電，同樣計劃在2030年后于1納米工藝中應用“Fork Sheet”技術。業內分析認為，三星明確2030年落地1納米工藝的路線圖，意味著其已做好與臺積電在下一代技術領域同臺競技的準備。

自2019年提出“2030年系統半導體全球第一”愿景以來，三星電子始終以先進工藝為突破口，全力追趕臺積電。2019年，三星率先在全球推出7納米極紫外光（EUV）光刻工藝；2022年，又成為全球首家將環繞柵極（GAA）元件應用于3納米工藝的企業，持續鞏固技術先發優勢。

一位業內人士表示：“從銷售額和產能來看，三星電子短期內超越臺積電的現實難度較大，但公司始終在技術層面保持競爭態勢。”他進一步補充，“去年三星從特斯拉手中拿下價值165億美元（約合25萬億韓元）的2納米人工智能（AI）芯片供應訂單，正是其技術實力的直接體現。”

當前，三星電子晶圓代工部門正圍繞頂尖2納米技術，持續推進多款改良工藝的研發與落地。其中，定制化工藝“SF2T”專為特斯拉2納米“AI6”芯片量產打造，該芯片計劃于2027年起在三星美國得克薩斯州泰勒新晶圓廠正式投產。

與此同時，三星也在加速推進其他2納米衍生工藝的研發：今年將啟動量產的“SF2P”工藝，將用于三星系統LSI部門新款智能手機應用處理器（AP）的生產；“SF2P+”工藝則計劃于明年投入使用。半導體業內人士透露：“目前2納米工藝良率已突破60%，產能穩步提升，市場對其今年實現盈利扭虧的預期正不斷提高。”