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2026年3月下旬,在EUV設備領域,半導體行業(yè)投下了一顆震動全球供應鏈的深水炸彈:SK海力士(SK hynix)正式宣布,將向荷蘭巨頭ASML訂購價值約80億美元(11.9萬億韓元)的極紫外(EUV)光刻設備。
與此同時,馬斯克正在推進的野心勃勃的“Terafab”項目,也開始試圖跨越傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)分工,將先進制程納入核心能力版圖,也是潛在EUV設備的購買者。
除了這些新的需求外,先進制程邏輯代工廠如臺積電、三星、英特爾仍在圍繞2nm及以下節(jié)點持續(xù)加碼,將EUV視為維持制程領先的標配。三星已組建專門1nm研發(fā)團隊,預計2029年前后量產(chǎn),內(nèi)部叫“Dream Process(夢想工藝)”,明確需要High-NA EUV。
在這場名為算力的盛宴上,ASML是唯一的廚師。而現(xiàn)在,門外的食客已經(jīng)排到了2028年,且每個人的盤子都越換越大。EUV,真的不夠賣了。
80億美元,
一場鎖定未來的“船票”之爭
3月24日,SK海力士在一份監(jiān)管文件中表示,將購買價值 11.95 萬億韓元(大約79.7億美元)的ASML EUV光刻設備,預計將在2027年12月31日前采購相關設備,用于新產(chǎn)品的量產(chǎn)。伯恩斯坦公司的分析師大衛(wèi)·道估計,該訂單代表著兩年內(nèi)新增30臺EUV設備,略高于他之前預測的26臺。
80億美元買30臺機器,這在十年前的存儲行業(yè)是不可想象的。但在這個2026年的時間節(jié)點,這只是AI競賽的起步價。
為什么SK海力士敢在此時拋出80億美元的豪賭?答案可能藏在它即將在美國進行的144億美元巨額IPO中。
SK海力士不再把自己看作一個受行業(yè)周期波動影響的內(nèi)存廠,而是一個AI基建運營商。這形成了一個完美的商業(yè)閉環(huán):
一個是向投資者展示這80億美元的EUV訂單,證明自己是AI時代最核心的“軍火商”,從而獲得遠超傳統(tǒng)存儲行業(yè)的估值。如果把自己定義為內(nèi)存廠,市盈率可能只有10倍,但如果定義為 “AI必經(jīng)之路的收費站”,估值就可以向英偉達(30-50 倍)靠攏;
另外一方面是以錢生錢,利用美國資本市場籌集的百億美金,支付ASML的賬單,并持續(xù)擴充產(chǎn)能。這種一邊狂買設備,一邊美股籌款的策略,反映了AI存儲競賽已進入資本密集度極高的階段。
這份價值80億美元的訂單不僅是SK海力士單筆支出的“天花板”,更是半導體行業(yè)從“產(chǎn)品競爭”轉(zhuǎn)向“產(chǎn)能/資本護城河競爭”的一個轉(zhuǎn)折點。
在這份監(jiān)管文件中,最讓人關注的一個點是“拉入條款”(Pull-in Clause)。該條款允許SK海力士在必要時優(yōu)先購買設備。要知道,30臺EUV幾乎占據(jù)了ASML未來兩年對應制程設備很大一部分產(chǎn)出。2025年,ASML的訂單積壓額就已經(jīng)高達388億歐元,產(chǎn)能是全球半導體最稀缺的資源。
SK海力士不惜背負巨額債務也要提前鎖定這30臺設備,其實也是對競爭對手的最強力回應。三星雖然擁有更多的EUV總量,但在HBM3E的良率門檻前徘徊太久。SK海力士此舉意在通過“一代領先,代代領先”的資本投入,徹底封死三星翻盤的窗口。盡管美光在2025年憑借低能耗優(yōu)勢一度威脅到SK海力士,但SK海力士現(xiàn)在的策略是:用規(guī)模換取生存空間。
另外的兩個競爭對手也在加大研發(fā)支出。三星尚未確定2026年的支出,但指出設備解決方案部門(芯片部門)的支出將從2025 年的40.9萬億韓元(283 億美元)大幅增加。美光科技在去年12月表示,將把資本支出增加45%,達到約200億美元。
在AI基礎設施建設瘋狂推進的今天,這30臺EUV光刻機不僅是機器,更是SK海力士在HBM4時代保住霸主地位的“船票”。
HBM,把存儲推入“EUV時代”
在半導體制造的版圖中,EUV 光刻機正從邏輯芯片的“專屬王冠”,演變?yōu)?SK 海力士穩(wěn)坐 HBM 鐵王座的底層基石。這一轉(zhuǎn)變的核心驅(qū)動力,正是即將開啟存儲新紀元的 HBM4(第七代高帶寬存儲器)。
曾幾何時,存儲廠商對 EUV 的態(tài)度極為克制。受限于嚴苛的成本壓力,EUV 在 DRAM 生產(chǎn)中長期扮演著“手術刀”的角色——僅在 DUV 多重曝光(Multi-patterning)導致良率損耗觸及紅線、工藝復雜到難以承受時,才會被有限地引入極少數(shù)關鍵層。
盡管三星較早開啟了EUV DRAM 的量產(chǎn)先河,SK海力士在 2021 年后持續(xù)加碼,美光也明確將在 1δ 節(jié)點全面提升 EUV 滲透率,但整體而言,DRAM 的微縮(Scaling)路徑一直比邏輯芯片更為保守,對極紫外光的依賴尚處于“可控”階段。
然而,AI時代的降臨徹底打碎了這種循序漸進的節(jié)奏,強行改寫了DRAM 的運行法則。
長期以來,HBM的勝負手被認為在于后端封裝(如SK海力士引以為傲的MR-MUF技術)。但隨著步入2026年,競爭的維度再次發(fā)生了偏移。在HBM3時代,DRAM顆粒對EUV的需求尚在可控范圍。隨著第六代10nm級(1c)DRAM成為HBM4的基礎底座,EUV光刻的次數(shù)從之前的局部應用轉(zhuǎn)變?yōu)槿趾诵摹Q句話說,單位容量的存儲芯片,現(xiàn)在正消耗比以往多得多的EUV機時。
總而言之,EUV設備不再僅僅是提高良率的輔助工具,而是決定HBM4產(chǎn)能上限的“戰(zhàn)略質(zhì)押物”。存儲巨頭們未來將從EUV的輕度試用者,逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)闉橹囟纫蕾囌摺?/p>
這30臺EUV將分別部署在兩個核心要塞:清州M15X和龍仁半導體集群。其中,清州M15X于去年10月啟用的潔凈室現(xiàn)在正加速部署,它將成為全球最大的HBM專業(yè)組裝與測試中心;另一邊,龍仁集群方面,SK海力士將首座晶圓廠的啟用時間從5月提前到2月,這種近乎瘋狂的基建速度,正是為了配合這批EUV的抵達。這不僅是SK海力士的企業(yè)決策,更是韓國國家戰(zhàn)略的延伸。通過在龍仁形成物理意義上的“EUV高密度區(qū)”,SK海力士正在構(gòu)建一個外人難以逾越的技術圍堰。
馬斯克,也要搶EUV光刻機
如果說SK海力士的80億美元訂單是一場存儲老牌巨頭的“圈地自保”,那么來自硅谷的另一股勢力,則正在試圖通過“暴力拆解”供應鏈邏輯,來跨界掠奪EUV緊缺資源。
這個攪局者,就是馬斯克。
隨著 FSD(全自動駕駛)進入端到端大模型時代,以及Optimus人型機器人的量產(chǎn)倒計時,馬斯克意識到:“我們需要的芯片,現(xiàn)有供應體系不夠。”馬斯克本人甚至在 1 月份的財報電話會議上暗示,由于傳統(tǒng)半導體廠(Fab)的建設邏輯太慢,特斯拉要用「制造機器的機器思維」,重新設計一套高效率的EUV潔凈室環(huán)境。
盡管特斯拉目前與三星有 AI6 芯片的代工協(xié)議(價值約165億美元),但全球先進制程產(chǎn)能(2nm/3nm)基本被蘋果、英偉達、高通等瓜分,特斯拉拿不到足夠的份額來支撐其百萬臺機器人的愿景。因此,就像當年自造4680電池一樣,特斯拉希望將邏輯芯片、內(nèi)存和先進封裝全部整合在一個建筑下。
于是,2026年3月21日,馬斯克在德州奧斯汀正式公布了Terafab項目。奧斯汀晶圓廠將在單一建筑內(nèi),集齊邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝、測試以及光刻掩模版(Mask)生產(chǎn)所需的全部設備。馬斯克聲稱,全球沒有任何其他設施具備這種綜合能力。這種‘全屋集成’模式將開啟極速迭代循環(huán):制造芯片、進行測試、修改掩模版,然后立即重復這一過程,而無需在不同廠區(qū)之間跨境運輸晶圓。
該工廠預計將生產(chǎn)兩種芯片:一種將針對邊緣推理進行優(yōu)化,主要用于特斯拉汽車和Optimus人形機器人。另一種是專為太空環(huán)境設計的高功率芯片,馬斯克表示,為了最大限度地減少衛(wèi)星上的散熱器質(zhì)量,這種芯片的運行溫度將高于“地面”設計。
Terafab項目投資額預估在 200億至 250億美元之間,每年產(chǎn)出 1 Terawatt的AI算力。1 Terawatt是什么概念呢?當前全球產(chǎn)出的算力約20GW/年,也就是大約50倍的差距。其野心是生產(chǎn)能滿足空間環(huán)境(SpaceX 衛(wèi)星)和地面邊緣側(cè)(Optimus、EV)的高端芯片。
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(圖片來源:特斯拉/SpaceX)
馬斯克沒有給出TeraFab何時開始生產(chǎn)芯片或達到目標產(chǎn)量的具體時間表。特斯拉、SpaceX 和 xAI將繼續(xù)從現(xiàn)有供應商采購芯片,包括臺積電、三星和美光,并補充說他希望這些供應商“盡快擴大規(guī)模”。
盡管Terafab尚未披露具體設備采購計劃,但如果其目標是實現(xiàn)先進制程芯片生產(chǎn),那么EUV光刻機幾乎是不可繞開的核心環(huán)節(jié)。在發(fā)布會上,特斯拉明確Terafab 將鎖定 2nm甚至更先進的制程節(jié)點。在半導體物理中,7nm以下就必須要用EUV,5nm / 3nm / 2nm更是高度依賴EUV。2nm節(jié)點的制造必須使用ASML生產(chǎn)的高數(shù)值孔徑 EUV(High-NA EUV)。沒有這類設備,根本無法實現(xiàn) 2nm 晶體管的刻蝕。
著名分析師 Klein在3月23日的簡報中明確指出:“ASML將是Terafab計劃的核心受益者”。報告提到,特斯拉首期200億美元的設備預算中,很大一部分預留給了單價超過4億美元的High-NA EUV光刻機。
據(jù)彭博社援引行業(yè)知情人士消息,特斯拉已開始與ASML接觸,討論未來的交付席位。當這個擁有無限現(xiàn)金流的科技巨頭入場,原本就捉襟見肘的 EUV 產(chǎn)能,將面臨前所未有的“全球級大擠兌”。
ASML:訂單拿到手軟
需求已經(jīng)失控,瓶頸只剩供給。問題最終落在一家公司:ASML。
在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中,EUV一直是一種極端特殊的存在。它幾乎完全由ASML一家供應,單臺設備價格高達數(shù)億美元,制造復雜度極高,年出貨量長期維持在數(shù)十臺級別,而交付周期大約1-2年。換句話說,EUV從誕生之初,就不是一個可以通過簡單擴產(chǎn)來滿足需求的“標準工業(yè)品”。
那么ASML一年產(chǎn)多少臺EUV呢?目前缺口是怎樣的呢?
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數(shù)據(jù)來源:ASML歷年財報數(shù)據(jù)
按照測算,當前ASML每年的EUV出貨能力大致在50至60臺之間。從中期來看,隨著AI基礎設施建設的持續(xù)推進,ASML也在嘗試提升產(chǎn)能。市場普遍預期,到2028年前后,其EUV年出貨量有望提升至約90臺。
但即便如此,這一數(shù)字在需求端面前,依然顯得頗為緊張。
在過去,EUV的主要需求幾乎完全由先進邏輯芯片廠商所主導,在2023年之前,EUV訂單中約 85% 是給臺積電這種邏輯代工廠的。臺積電、三星以及英特爾,它們?yōu)榱送七M先進制程節(jié)點,每年持續(xù)消化數(shù)十臺(預計40-50)EUV設備,基本構(gòu)成了這一市場的“基本盤”。
但是在AI時代,一個新的變量正在快速放大——存儲廠。歷史上存儲廠對EUV的需求占比僅為10%-15%。從2025年開始,由于HBM4的強力驅(qū)動,DRAM廠商對EUV的消化量將占據(jù)接近50%。
據(jù)投資者的網(wǎng)站測算,到2028年,ASML預計出貨約92臺EUV設備,其中44臺用于 DRAM廠,剩下的給邏輯廠。SK海力士一家就需要30臺。如果將美光與三星的擴產(chǎn)計劃一并納入,整個存儲行業(yè)對EUV的需求正在從過去的“個位數(shù)”水平,迅速邁向“數(shù)十臺”的量級。
這就給了EUV光刻機供應商ASML很大的壓力。截至2025年底,該公司積壓訂單達到創(chuàng)紀錄的388億歐元,其中EUV系統(tǒng)占總量的65%。其產(chǎn)能排期甚至已經(jīng)延伸至2027年。這意味著,對大多數(shù)客戶來說,現(xiàn)在的問題不是買不買,而是還能不能排到。
從歷年的數(shù)據(jù)可以看出,ASML的EUV產(chǎn)能提升是極其緩慢的線性增長(每年僅能多造10-15臺)。一臺EUV光刻機背后,涉及多個不可替代環(huán)節(jié):光學系統(tǒng)來自德國蔡司(Zeiss),屬于全球唯一供應,極紫外光源來自ASML旗下Cymer,但核心部件仍依賴多家精密供應商,關鍵反射鏡需要原子級精度加工,良率極低。這意味著,EUV的擴產(chǎn)并不是增加一條產(chǎn)線就能解決的問題,而是需要整條高端制造鏈條同步爬坡。
與此同時,EUV本身也在發(fā)生一場代際躍遷。當前主流設備為Low-NA EUV,而面向2nm及以下節(jié)點,ASML正在推進新一代高數(shù)值孔徑(High-NA EUV)設備。相比現(xiàn)有設備,其分辨率提升約70%,但代價是:單臺價格提升至3億–4億美元以上,體積更大、復雜度更高,產(chǎn)能更受限制。更關鍵的是,High-NA EUV的早期產(chǎn)能極其有限,初期幾乎只會分配給少數(shù)頭部客戶。
面對AI人工智能芯片制造商激增的需求。最近ASML宣布計劃裁減1700人,約占其全球員工總數(shù)的4%。ASML 官方明確表示,這次裁員 90% 針對的是管理崗(Leadership roles)和 IT 支持崗位。過去五年,ASML 為了應對全球芯片荒經(jīng)歷了瘋狂的人員擴張。但在 2nm 和 HBM4 的關鍵前夜,公司發(fā)現(xiàn)組織變得過于臃腫,內(nèi)部溝通成本極高。首席執(zhí)行官傅恪禮(Christophe Fouquet)直言不諱:“工程師們反映,他們的大量時間不再花在研發(fā)上,而是消耗在了復雜的矩陣式管理中。” 裁撤 1700 個管理崗,本質(zhì)上是去官僚化。ASML要通過裁減指揮的人,騰出預算和編制去招聘更多干活的人(核心設備工程師)。
結(jié)語
僧多粥少,當所有人都在搶EUV,結(jié)果是,原本集中于少數(shù)玩家之間的設備競爭,正在演變?yōu)橐粓龈鼜V泛的“資源爭奪”。而一個更扎心的事實是,SK海力士的這份訂單揭示了一個殘酷的未來:半導體行業(yè)的“入場費”已經(jīng)上漲到了普通玩家無法承受的高度。
*免責聲明:本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點,半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。
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