半導(dǎo)體量測檢測設(shè)備是芯片制造全流程的一個關(guān)鍵支撐設(shè)備，承擔著缺陷識別、參數(shù)校準、良率管控與工藝迭代等使命，是保障先進制程穩(wěn)定落地、提升芯片可靠性與競爭力的“良率之眼”。

在AI算力需求持續(xù)攀升、先進制程不斷微縮的產(chǎn)業(yè)背景下，高精度量測檢測設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的重要環(huán)節(jié)，直接決定晶圓廠的生產(chǎn)效率與產(chǎn)品品質(zhì)。近日，中安半導(dǎo)體舉辦新品發(fā)布會，正式推出其新一代10.5nm靈敏度顆粒缺陷檢測設(shè)備，以技術(shù)突破為國內(nèi)先進制程發(fā)展注入新動能，也標志著中國半導(dǎo)體前道量檢測設(shè)備向極限領(lǐng)跑邁出關(guān)鍵一步，會上同步公布技術(shù)迭代規(guī)劃與多領(lǐng)域量測布局。

一：中安半導(dǎo)體ZP8發(fā)布：領(lǐng)跑國產(chǎn)半導(dǎo)體量測賽道！

發(fā)布會上明確了ZP8的核心優(yōu)勢：實現(xiàn)10.5nm探測精度突破，通過“光學(xué)+機械+算法”系統(tǒng)級優(yōu)化，可穩(wěn)定捕獲裸硅片上超微小致命缺陷；實測顯示，其裸片層檢測匹配率與相關(guān)性均超過95%，在HKMG等關(guān)鍵薄膜層中可靠性突出，可滿足硅片廠及晶圓廠研發(fā)嚴苛需求。

ZP8可覆蓋從襯底制造到先進封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈，賦能先進制程研發(fā)與量產(chǎn)，助力微粒缺陷監(jiān)控與質(zhì)量閉環(huán)。

中安半導(dǎo)體計劃明年推出面向15nm HVM的新一代設(shè)備，持續(xù)推進技術(shù)迭代。此次發(fā)布填補了國產(chǎn)品牌在10nm級缺陷檢測領(lǐng)域的空白，為中國半導(dǎo)體先進制程良率提升提供可靠支撐。

二：順應(yīng)先進制程與3D集成產(chǎn)業(yè)趨勢

AI浪潮推動半導(dǎo)體技術(shù)向先進邏輯芯片、背面供電、高帶寬存儲器與3D集成等方向快速演進，制程尺寸微縮與3D堆疊帶來形貌控制、翹曲管控、鍵合精度等一系列挑戰(zhàn)，對量測檢測設(shè)備提出了更高要求。中安半導(dǎo)體基于行業(yè)趨勢，以極限靈敏度檢測為核心，同步布局3D集成與硅片廠全流程解決方案。

針對3D集成趨勢，無論是DRAM的Pitch收縮，還是NAND Flash堆疊層數(shù)的不斷攀升，整個行業(yè)都在堅定地邁向3D時代。在這一過程中，行業(yè)面臨著兩大挑戰(zhàn)：一是堆疊尺寸的不斷微縮；二是檢測精度的極致化。而在實現(xiàn)3D器件的過程中，有一個關(guān)鍵工藝節(jié)點——鍵合（Bonding）。

演講嘉賓初新堂表示：“針對鍵合這一核心工藝，中安半導(dǎo)體也投入了大量的研發(fā)資源進行了深入的系統(tǒng)性研究。”

中安半導(dǎo)體的量測機臺引入了IPD算法，其核心邏輯在于：通過ZAS WGT量測系統(tǒng)對晶圓全局形變與厚度分布進行高精度采集，并將這些真實工藝數(shù)據(jù)引入鍵合環(huán)節(jié)以及后續(xù)光刻環(huán)節(jié)的Overlay分析模型中，從而實現(xiàn)對鍵合后以及光刻后Overlay偏差的提前預(yù)判。實測數(shù)據(jù)顯示，中安半導(dǎo)體的量測方案的數(shù)據(jù)相關(guān)性遠超行業(yè)傳統(tǒng)方案，可以有效提升3D堆疊工藝的可靠性與良率。

面向硅片制造環(huán)節(jié)，中安打造專用設(shè)備矩陣，覆蓋硅線切、研磨、拋光、刻蝕、清洗至出貨檢全流程，在厚度均勻性、平坦度等關(guān)鍵參數(shù)上實現(xiàn)高精度測量，為超平整晶圓生產(chǎn)提供技術(shù)支撐，滿足先進制程對硅片質(zhì)量的極致要求。

三：量檢測賽道的國產(chǎn)突破

在全球半導(dǎo)體量測賽道，KLA 憑借超 50% 的市占率處于絕對領(lǐng)先，與應(yīng)用材料、日立等巨頭共同占據(jù)約 70% 的市場。盡管中國市場規(guī)模已超 210 億元且國產(chǎn)化率正快速跨越 20% 關(guān)口，但在先進制程等高端領(lǐng)域，進口依賴度依然極高。

以中安半導(dǎo)體為代表的本土廠商正加速國產(chǎn)替代進程。通過技術(shù)攻關(guān)，中安在2024 至 2026 年間實現(xiàn)了檢測靈敏度的連續(xù)飛躍，最新發(fā)布的 ZP8 機型靈敏度達 10.5nm，核心指標已比肩國際一線標桿。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的演進中，國產(chǎn)量檢測設(shè)備的崛起已成為自主可控的堅實注腳。中安半導(dǎo)體通過 ZP8 等核心產(chǎn)品的持續(xù)進化，將檢測精度推向 10.5nm 的國產(chǎn)新高度，為晶圓廠良率管理提供了穩(wěn)固的本土支撐。國產(chǎn)力量的全面突破，正從根本上重構(gòu)全球供應(yīng)體系，捍衛(wèi)中國芯片產(chǎn)業(yè)的長期安全。

—— 芯榜 ——

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