根據(jù) Wccftech 報(bào)道，高通正與中國(guó)內(nèi)存廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作，開(kāi)發(fā)針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的定制化內(nèi)存解決方案，以緩解當(dāng)前內(nèi)存供應(yīng)緊張與成本攀升問(wèn)題。

目前全球內(nèi)存產(chǎn)能正快速向人工智能（AI）應(yīng)用傾斜，大量 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)向生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM），導(dǎo)致原本供應(yīng)智能手機(jī)的內(nèi)存資源遭到排擠，不僅供應(yīng)趨緊，也推升整體成本壓力，對(duì)中低端機(jī)型影響尤為明顯。

DRAM主流現(xiàn)貨價(jià)格

在成本結(jié)構(gòu)方面，內(nèi)存已成為影響手機(jī)價(jià)格的關(guān)鍵因素。以入門機(jī)型為例，DRAM 成本占整體物料成本（BOM）約 35%，NAND 則約占 19%，兩者合計(jì)達(dá) 54%，使品牌廠在定價(jià)與出貨策略上面臨更大壓力。

另一方面，高通先前在財(cái)報(bào)會(huì)議中指出，其系統(tǒng)單芯片（SoC）所搭配的 DRAM 多由客戶自行采購(gòu)，但公司已完成與主要內(nèi)存供應(yīng)商的相容性驗(yàn)證。此次進(jìn)一步與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作開(kāi)發(fā)定制化內(nèi)存，顯示其正試圖在供應(yīng)不確定性升高的環(huán)境下，提前布局關(guān)鍵零組件資源。

此外，聯(lián)發(fā)科與高通近期亦傳出下調(diào) 4 納米芯片產(chǎn)量。由于該制程產(chǎn)品主要應(yīng)用于中低端智能手機(jī)，減產(chǎn)規(guī)模約為 2 萬(wàn)至 3 萬(wàn)片晶圓。

報(bào)道指出，高通與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推動(dòng)此項(xiàng)合作，被視為穩(wěn)定訂單與供應(yīng)節(jié)奏的重要策略，同時(shí)也反映芯片業(yè)者正逐步強(qiáng)化對(duì)關(guān)鍵元件的掌控。不過(guò)，相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品初期預(yù)料仍將以中國(guó)品牌智能手機(jī)為主要導(dǎo)入對(duì)象。

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