安徽
2026年4月9日，國防科技大學與中科院金屬所合作在《國家科學評論》發(fā)表一項關鍵突破：他們利用液態(tài)金/鎢雙金屬薄膜作為襯底，通過化學氣相沉積成功制備出晶圓級單層WSi?N?薄膜——一種高性能P型二維半導體。這一進展意義重大。長期以來，二維材料領域“N型多、P型少”，嚴重制約CMOS電路的構建。過去P型材料僅能生長出幾微米碎片，摻雜難控、穩(wěn)定性差，根本無法用于實際芯片制造。
而此次成果不僅將疇區(qū)尺寸提升至亞毫米級，生長速率較文獻提高約千倍，摻雜濃度還能在5.8×1012至3.2×1013 cm?2范圍內(nèi)精準調節(jié)，且材料抗氧化、散熱好，具備產(chǎn)線兼容潛力。這并非偶然。自2011年起，西方對華實施高端半導體設備與材料封鎖，EUV光刻機等核心裝備禁運。但中國科研人員轉而深耕后摩爾時代新路徑——二維半導體正是其中關鍵方向。如今P型短板被補上，意味著全二維CMOS集成真正成為可能。
當然，從實驗室到量產(chǎn)仍有距離。論文驗證的是4英寸晶圓級生長，工業(yè)化還需攻克良率、均勻性及與現(xiàn)有工藝整合等難題。但優(yōu)勢在于全鏈條自主：沒有現(xiàn)成設備？就改造或自研；沒有成熟方案？就一爐一爐試參數(shù)。正如一位工程師曾感慨：“材料不穩(wěn)，再好的電路設計都是空談。”這項突破背后，是無數(shù)個深夜調試、反復失敗的積累。
沒有豪言壯語，只有屏幕前緊盯數(shù)據(jù)的身影和一句“卡了就再調”。正是這種沉靜而堅韌的科研日常，讓中國在封鎖中走出新路。若未來該材料實現(xiàn)低功耗、高開關比的芯片應用，不僅可緩解算力瓶頸，更將重塑全球半導體競爭格局。歷史一再證明：真正的技術自主，從來不是等來的，而是一步一步“長”出來的——從原子開始，到晶圓，再到大國底氣。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
