突破超低雜散！聯動科技 SiC KGD 測試系統，為車載模塊提質降本提速

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（來源：聯動科技PowerTECH）

新能源汽車800V高壓平臺快速普及，SiC（碳化硅）功率模塊憑借低損耗、耐高溫、高頻化優勢，成為車載電驅、OBC、快充樁核心器件。KGD（Known Good Die，已知良好芯片）測試作為SiC芯片封裝前的終極質檢，直接決定車載模塊可靠性、良率與量產成本，是車規級SiC模塊量產的核心剛需。聯動科技深耕第三代半導體測試領域，重磅推出超低雜散SiC KGD測試系統—QT-8404D 高速功率器件測試系統，該系統支持KGD動靜態參數6KV測試，AC雜散小于25nH，憑借雜散電感＜25nH、動態開關參數精準測試、短路參數測試總時間＜300ms的硬核突破，為車載SiC模塊實現提速、降本、提質三重價值。

車規級剛需：SiC KGD測試，車載模塊的“安全生命線”

新能源汽車工況嚴苛，SiC模塊需長期承受高壓、大電流、高溫及頻繁啟停的動態應力，芯片微小缺陷均可能引發模塊失效，進而威脅整車安全。不同于傳統硅基器件，SiC芯片切割后易產生隱性缺陷，多芯片并聯封裝時，單芯片失效會導致整組模塊失效率指數級上升。KGD測試在芯片封裝前，對裸Die開展靜態、動態、短路保護等高應力全項篩選，從源頭剔除早期失效芯片，確保每顆進入封裝的芯片均達車規級可靠性標準。行業數據顯示，未經過KGD測試的SiC模塊量產良率不足80%，通過標準化KGD測試可提升至99%以上，同時大幅降低售后失效風險，是車載SiC模塊量產的必經關卡。

行業痛點破解：超低雜散+極速測試，打破技術瓶頸

當前SiC KGD測試面臨兩大核心難題：一是雜散電感過高，傳統測試系統雜散電感普遍高于40nH，無法精準復現車載高頻工況下的開關特性，難以真實檢測SiC高速DIDT、DVDT數據；二是測試效率低下，動態開關與短路參數測試耗時久，單顆芯片測試周期長，難以匹配大規模量產需求，同時推高測試成本。聯動科技依托20余年半導體測試技術積淀，攻克超低雜散電路設計、高速信號采集、精密探針技術等核心難題，實現關鍵技術突破：

1、超低雜散突破：

雜散電感＜25nH，采用自研低寄生回路設計與精密屏蔽工藝，達到行業領先水平，可精準復現車載SiC模塊高頻開關工況，納秒級捕捉開關波形，確保開通損耗、關斷損耗、尖峰電流等動態參數測試精度，徹底解決傳統系統測試數據失真問題，為模塊設計優化提供可靠支撐。

2、雙項極速測試：

動態開關與短路參數測試總耗時＜300ms，集成高速動態測試模塊與超快短路保護單元，實現一站式完成測試與驗證，較傳統設備縮減一半測試時間；搭載自研特種探針，短路測試中不燒熔、不沾異物，兼顧測試速度與芯片保護，杜絕良品損傷。

3、車規級全場景適配：

車規級全場景適配：支持常溫/高溫全溫區測試，覆蓋DC靜態參數、SW動態開關參數、UIL雪崩參數、RG熱阻參數等全項KGD測試項目，兼容2000V/2000A SiC MOSFET裸芯片，完全匹配AQG 324、AEC-Q101車規標準，搭配轉塔/平移分選機，可實現“測試-分選-數據追溯”自動化流程。

價值賦能：提速降本提質，助力車載SiC產業國產化

1、提質：

超低雜散設計保障測試精準度，全項高應力篩選剔除隱性缺陷芯片，確保車載SiC模塊在極端工況下的長期穩定性，助力車企滿足車規級零失效要求，提升產品口碑與市場競爭力。

2、提速：

300ms極速測試搭配自動化分選方案，單產線日測試能力突破萬顆，徹底解決傳統測試效率瓶頸，適配新能源汽車SiC模塊爆發式量產需求，縮短交付周期。

3、降本：

提前剔除失效芯片，避免昂貴封裝資源浪費；高效測試減少設備與人工投入；高精準測試降低誤判率，減少售后返修成本，實現全鏈路降本。

結語

隨著新能源汽車產業加速向800V高壓平臺升級，SiC模塊測試設備的國產化、高性能化成為產業發展關鍵。聯動科技作為國內功率半導體及第三代半導體測試領域領軍企業，以雜散電感＜25nH、極速測試＜300ms的硬核突破，結合QT-8404D高速功率器件測試系統的6KV測試能力與低雜散優勢，打造適配車載場景的SiC KGD測試標桿方案。未來，公司將持續深耕第三代半導體測試技術，以自主創新賦能車載SiC產業高質量發展，助力國產SiC模塊搶占全球新能源汽車市場核心地位。

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