上海
《科創(chuàng)板日報(bào)》5月15日訊 據(jù)ETNews報(bào)道，三星電子正在開發(fā)下一代HBM封裝技術(shù)，旨在為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備提供AI能力。
這項(xiàng)移動(dòng)HBM封裝技術(shù)名為“多層堆疊FOWLP”，其結(jié)合了超高縱橫比銅柱和扇出型晶圓級封裝（FOWLP），并對現(xiàn)有的垂直銅柱堆疊（VCS）技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)。
目前，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備中尚未普遍采用HBM。雖然服務(wù)器級HBM已經(jīng)具備高帶寬，但移動(dòng)設(shè)備在尺寸、厚度、功耗和發(fā)熱量方面面臨著更為嚴(yán)格的限制。
為解決限制，三星電子大幅提高了VCS封裝中銅柱的縱橫比，從現(xiàn)有的3-5:1提升至15-20:1，從而擴(kuò)展了帶寬。然而，當(dāng)銅柱直徑小于10微米時(shí)，彎曲或斷裂的風(fēng)險(xiǎn)也會(huì)增加；為了彌補(bǔ)這一缺陷，三星電子采用了一種結(jié)合FOWLP工藝的方法。FOWLP是一種在芯片成型后向外延伸布線的技術(shù)，起到支撐銅柱的作用。
通過上述方法，HBM可以在相同的空間內(nèi)放置更多的I/O端子，從而使帶寬提升15-30%，并可實(shí)現(xiàn)超過1.5倍的內(nèi)存堆疊數(shù)量。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，移動(dòng)HBM的技術(shù)優(yōu)勢將是決定未來高端AI智能手機(jī)市場份額以及能否成功實(shí)現(xiàn)差異化的關(guān)鍵因素。
不過，另有業(yè)內(nèi)人士指出，由于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和AI加速器等領(lǐng)域?qū)BM的需求預(yù)計(jì)在短期內(nèi)仍將保持強(qiáng)勁，移動(dòng)HBM的研發(fā)和量產(chǎn)速度可能會(huì)比計(jì)劃路線圖有所滯后，預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)最早可能在Exynos 2800或Exynos 2900移動(dòng)處理器的后續(xù)版本中推出。
華創(chuàng)證券指出，AI終端有望帶動(dòng)硬件多環(huán)節(jié)價(jià)值量提升，將大模型部署至本地會(huì)占用本地內(nèi)存，以70億參數(shù)的LLaMA模型為例，在4位的情況下仍需占用最小3.9G內(nèi)存，從而驅(qū)動(dòng)手機(jī)內(nèi)存升級。端側(cè)AI提升用戶體驗(yàn)，或有望帶動(dòng)出貨量快速增長。
據(jù)TrendForce測算，2026 年全球HBM位元消耗量將同比大增92%至285億Gb，AI算力集群擴(kuò)容已成為核心需求支撐。海通國際證券認(rèn)為，伴隨2027年全球AI服務(wù)器出貨量持續(xù)高增、HBM3e/HBM4迭代滲透提速，疊加先進(jìn)封裝與良率瓶頸仍持續(xù)約束供給釋放，我們看好HBM后續(xù)漲價(jià)預(yù)期。
東方財(cái)富證券表示，HBM正由“配套存儲(chǔ)”升級為決定算力上限的核心環(huán)節(jié)；技術(shù)壁壘疊加產(chǎn)能爬坡，產(chǎn)業(yè)鏈盈利彈性與集中度有望同步提升。2026年在AI算力與HBM放量背景下，封測與設(shè)備環(huán)節(jié)盈利修復(fù)與國產(chǎn)替代邏輯同步強(qiáng)化；平臺(tái)化存儲(chǔ)與系統(tǒng)級創(chuàng)新共振，HBM時(shí)代基礎(chǔ)存儲(chǔ)能力構(gòu)筑第二增長曲線。
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