山東
IT之家 5 月 15 日消息，據(jù)韓媒 Etnews 上周（5 月 12 日）報(bào)道，三星電子正在開發(fā)下一代 HBM 技術(shù)，以便在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)更高性能的端側(cè) AI。
業(yè)內(nèi)人士透露，三星正在研發(fā)多層堆疊 FOWLP（Multi Stacked FOWLP）技術(shù)，目標(biāo)在智能手機(jī)、平板等移動(dòng)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更大容量、更高帶寬的 HBM。這些設(shè)備的空間相比服務(wù)器機(jī)柜簡直是九牛一毛，對(duì)功耗、發(fā)熱控制的要求非常嚴(yán)格，因此無法直接照搬現(xiàn)有方案。
據(jù)悉，目前主流的 LPDDR 內(nèi)存普遍采用引線鍵合（Wire Bonding）技術(shù)，這種方案的 IO 數(shù)量有限、信號(hào)損耗較大、散熱效率不足，無法結(jié)合 HBM 技術(shù)。因此三星計(jì)劃采用改進(jìn)的 VCS 方案，將芯片內(nèi)部的銅柱從 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1，可在有限面積中塞入更多銅線，進(jìn)一步提升帶寬。
不過，當(dāng)銅柱直徑低于 10 微米時(shí)就容易出現(xiàn)彎曲、斷裂等不穩(wěn)定現(xiàn)象。因此三星決定采用 FOWLP 技術(shù)作為補(bǔ)強(qiáng)。先對(duì)芯片進(jìn)行模塑（IT之家注：Molding），然后把布線向外圍擴(kuò)展，同時(shí)承擔(dān)支撐銅柱作用，防止變形。
如果這套方案能成功驗(yàn)證，理論帶寬可提升 15-30%，并且還能在相同空間下塞入更多 I/O 接口。
雖然這套方案還處于研發(fā)階段，但業(yè)內(nèi)認(rèn)為，三星最快會(huì)在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 中集成相關(guān)技術(shù)。
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