江蘇
眾所周知，由于被列入美國實體清單，華為無法獲取采用美國技術生產的最新3D NAND芯片，導致其發展壓力變大很多。
而且在原有庫存耗盡后，只能使用長江存儲等中國本土廠商生產的NAND閃存，這里并不是說不夠優秀。
但如果繼續沿用行業通用的傳統封裝方案，其SSD產品在容量上會明顯落后于主流廠商的同類產品。
在這種情況下，華為肯定不會坐以待斃，而是在不斷的進行發展，直到近期，市場中傳出了一則很關鍵的消息。
據了解，近日在巴黎華為IDI Forum 2026活動上，華為展示了基于自研Die-on-Board（板上裸片封裝，簡稱DoB）封裝技術的大容量SSD系列。
目前已量產61.44TB和122.88TB兩款產品，245TB版本也在規劃中，為AI數據中心和海量存儲場景提供國產化方案。
簡單來說就是華為選擇繞開3D NAND層數競賽，轉而在板級封裝領域進行底層創新，通過將NAND裸片直接堆疊在PCB板上的方式。
直接實現了比傳統NAND封裝更高的容量密度，同時通過更緊密的芯片集成降低了生產成本，讓發展壓力大幅度降低。
需要了解，DoB板上裸片封裝是華為自研的晶圓級組裝技術，其核心邏輯與行業通用的傳統SSD封裝存在本質區別。
主流制造商如三星、鎧俠和美光等普遍遵循先封裝后焊接的常規流程，比如將NAND閃存裸片首先置入TSOP（薄型小尺寸封裝）或BGA（球柵陣列封裝）的標準外殼內進行多芯片堆疊，形成獨立的成品芯片，隨后再通過引腳或焊球將其裝配到SSD的PCB主板上。
TSOP作為早期的主流封裝形式，其引腳分布于芯片兩側，而BGA則是現今廣泛采用的方案，它以底部焊球替代引腳，從而支持更多的堆疊層數。
然而，這兩種方式均受限于封裝外殼的固定物理尺寸，在傳統工藝下最多僅能實現16層裸片的堆疊。
而板上裸片封裝技術則完全跳過了NAND芯片的獨立封裝步驟，直接將未封裝的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。
據Blocks&Files分析，這一設計使華為能夠在無需依賴高堆疊層數的3D NAND芯片的前提下，將單位空間內的存儲容量密度提高了33%。
同時突破了傳統TSOP/BGA封裝16層堆疊的物理限制，最高可實現36層裸片的堆疊，實力提升可謂非常大。
當然了，可能看這些專業術語會讓許多用戶摸不到頭腦，但可以確認的是，其突破程度遠比想象更夸張。
其次，這一封裝形式同時引發了散熱控制與信號完整性兩大業界挑戰，華為通過專項研發突破，成功推動了該技術的大規模商業應用。
關鍵該項自主技術目前已完整覆蓋華為企業存儲產品系列，此次展出的OceanDisk 1800智能盤柜可在2U空間內實現1.47PB容量。
而同為2U規格的OceanDisk 1610則可搭載36塊61.44TB固態硬盤，總存儲量達到2.2PB。
這些還不是最關鍵的，實際上去年8月華為就已推出采用板上裸片封裝技術的OceanStor Pacific 9926全閃分布式存儲系統，其2U機箱可容納36塊122.88TB NVMe SSD，提供4.42PB原始容量，經2.5:1數據壓縮后有效容量可達11PB。
相比之下，戴爾同規格2U機型采用40塊鎧俠LC9 QLC NVMe 245.88TB固態硬盤，可提供10PB原始容量。
盡管華為在單盤容量上仍存在一定差距，但與全球領先廠商之間的技術距離已顯著縮小。
同時行業觀察指出，板上裸片封裝技術為國內存儲行業開辟了一條超越3D NAND堆疊層數限制的新途徑，也為全球存儲技術的迭代發展提供了新的思路。
所以迪子覺得，華為目前的大突破，真的意味著其在存儲領域的表現已經非常強，未來的表現也會更好。
最后想說的是，如今的華為可謂是全面開花，從芯片到系統，然后現在到存儲領域，實力真的是越來越強了。
對此，大家有什么想表達的嗎？一起來說說看吧。
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