文 | 文心
首發 | 芳華青年

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有人說，芯片領域的國產替代是一場 “馬拉松”，而存儲芯片的突圍，無疑是其中最驚心動魄的一段沖刺。

當 AI 浪潮席卷全球，存儲價格一路狂飆，無數企業賺得盆滿缽滿，但很少有人知道，真正掌控這場行業變局的，是兩家深耕十年、低調蟄伏的中國企業 —— 長鑫科技與長江存儲。

它們一個主攻 DRAM 內存，一個深耕 NAND 閃存，用十年臥薪嘗膽，打破海外巨頭數十年的壟斷，如今攜手沖刺 IPO，正式向世界宣告：中國存儲，再也不是旁觀者。

2026 年 5 月，存儲圈迎來歷史性時刻。

5 月 17 日，長鑫科技更新 IPO 招股書，5 月 27 日順利通過上交所上市委審議，科創板上市近在咫尺；僅僅兩天后，5 月 19 日，長江存儲在湖北證監局完成 IPO 輔導備案，正式開啟上市征程。

兩家同年成立、同樣肩負國產替代使命的企業，步調驚人一致，堪稱中國半導體產業的 “雙子星”。

要知道，截至 2025 年底，長鑫科技投前估值高達 1624 億元，長江存儲更是躋身 2025 年中國十大獨角獸第九名，與榮耀、京東等巨頭同臺，這樣的體量，在國產存儲領域前所未有。

很多人會疑惑，為何行業地位如此顯赫的兩家企業，直到今天才沖刺 IPO？畢竟寧德時代、比亞迪等行業龍頭，早已在資本市場馳騁多年。

答案藏在存儲芯片行業的 “燒錢” 屬性和十年艱辛的突圍之路里。

2016 年，長鑫科技在合肥成立，長江存儲在武漢落地，彼時海外巨頭牢牢掌控全球 90% 以上的市場份額，技術、專利、資金三重壁壘，讓中國存儲產業幾乎從零起步。

存儲芯片是典型的重資產行業，長鑫科技初期總投資約 1500 億元，長江存儲更是高達 1600 億元，每一步都需要巨額資金支撐。

更難的是技術突破。

海外巨頭深耕存儲領域數十年，專利布局密不透風，核心技術更是嚴格封鎖。長鑫科技和長江存儲走的是 “從 0 到 1” 的國產替代之路，不同于寧德時代等企業 “從 1 到 10” 的競爭突圍，它們不僅要投入數百億建設產線，每年還要砸下巨資研發，技術突破更是遙遙無期。

截至 2025 年末，長鑫科技固定資產賬面價值達 1830.24 億元，占總資產 54.34%，當期折舊高達 246.8 億元，這樣的投入，放在任何行業都堪稱 “燒錢巨獸”。

十年間，兩家企業默默扛過行業低谷，頂住技術封鎖壓力，終于在 AI 時代迎來爆發，選擇此時 IPO，既是水到渠成，也是順勢而為。

AI 算力的爆發，徹底點燃了存儲行業的需求，也讓長鑫科技和長江存儲迎來業績高光時刻。

2026 年一季度，長鑫科技交出炸裂成績單：營收 508 億元，同比增長 719%，凈利潤 247.62 億元，同比增長 1688%，一個季度的盈利幾乎補足 2023 年和 2024 年兩年的虧損。

長江存儲雖未詳細披露，但一季度營收突破 200 億元，同比直接翻倍，增長勢頭同樣迅猛。

行業數據顯示，2026 年 DRAM 內存與 NAND 閃存產品平均售價或將分別上漲 88%、74%，供不應求的局面至少延續至 2027 年，兩家企業恰逢行業景氣高峰，上市后估值勢必迎來新一輪攀升。

同樣是突圍，長鑫科技和長江存儲走出了兩條截然不同卻同樣精彩的道路。

長鑫科技的突圍秘訣是 “繞道超車”，用智慧破解海外專利封鎖。2016 年，全球 DRAM 專利幾乎被三星、SK 海力士、美光三家巨頭壟斷，長鑫科技想要突圍，硬拼專利無異于以卵擊石。

關鍵時刻，長鑫科技另辟蹊徑，盯上了 2009 年破產的德國奇夢達 —— 這家公司的埋入式字線堆疊架構，是全球 DRAM 產業的技術源頭之一。2019 年，長鑫科技從加拿大公司 WiLAN 手中買下奇夢達的專利遺產，成功拿到原始架構授權，巧妙繞開海外專利陷阱，避免了后續的專利糾紛。

拿到專利只是起點，長鑫科技的核心競爭力還在于 “跳代研發” 的戰略眼光。

放棄步步追趕的老路，直接跳過 DDR4，全力攻堅 DDR5、LPDDR5 高端產品，2024 年底更是全面停產 DDR4，將所有產能投向 AI 高端算力賽道。

如今，長鑫科技的 LPDDR5 和 LPDDR5X 實現量產，2025 年貢獻營收 407.04 億元，全球 DRAM 市場份額升至 7.7%，穩居全球第四。同時，長鑫科技與兆易創新形成深度協同，兆易創新負責芯片設計，長鑫科技負責制造，2026 年兆易創新預計向長鑫科技采購 57 億元，同比增長 483%，上下游聯動，構建起穩固的產業閉環。

當然，長鑫科技也清楚差距，高端 AI 服務器專用的 HBM 仍被海外巨頭掌控，為此公司持續加碼研發，2023 年以來研發費用高達 187.03 億元，IPO 募資中近 90 億元投入前瞻技術研究，全力沖刺 HBM 高端賽道。

如果說長鑫科技是 “繞道超車”，長江存儲則是 “硬剛突圍”，用自研架構實現彎道超車。

長江存儲成立初期，背靠紫光股份，2020 年紫光破產重組，長江存儲失去后盾，卻也借此清理股權結構，獲得干凈的資產負債表，更堅定了自研的決心。

面對海外巨頭在 3D NAND 領域的技術壟斷，長江存儲沒有選擇跟隨，而是自主研發出顛覆性的 Xtacking 架構。

傳統 3D NAND 將存儲單元和外圍電路放在同一張晶圓上，層數越高，外圍電路占比越大，信號傳輸越慢；而 Xtacking 架構將兩者分開，在兩張晶圓上獨立制造，最后通過數十億根垂直通道鍵合，不僅存儲密度更高、速度更快，外圍電路還無需最先進的光刻工藝，徹底擺脫對海外先進制程的依賴。

憑借 Xtacking 架構，長江存儲實現了從 “跟跑” 到 “并跑” 的跨越。2026 年一季度，長江存儲全球 NAND 市占率升至 13%-16%，首次超越美光，躋身全球第四。

更令人振奮的是，曾經的技術壁壘變成了技術話語權，三星主動與長江存儲簽署專利許可協議，預計從第 10 代 V-NAND 起采用 Xtacking 架構專利，這是中國芯片企業首次向韓國巨頭收取專利費，意義重大。

從被封鎖到反向授權，長江存儲用硬實力改寫了全球存儲產業的競爭格局。

很多人會好奇，長鑫科技和長江存儲，到底誰更強？

其實二者根本不存在競爭，反而形成了完美的錯位互補格局。長鑫科技專注 DRAM 內存，長江存儲深耕 NAND 閃存，一個管 “運行”，一個管 “存儲”，共同構成中國存儲芯片的完整版圖。在技術路線上，長鑫科技靠專利授權 + 跳代研發快速落地，長江存儲靠自

研架構掌握核心話語權；在市場定位上，二者均以國產替代為起點，逐步進軍全球高端市場，目標都是打破海外壟斷，讓中國用上自己的高端存儲芯片。

從十年蟄伏到如今的雙雄并起，長鑫科技和長江存儲的故事，從來不是兩家企業的單打獨斗，而是中國半導體產業突圍的縮影。

過去，我們在芯片領域處處受制，高端芯片被卡脖子，存儲芯片更是幾乎完全依賴進口；如今，以長鑫科技、長江存儲為代表的國產企業，用十年時間攻克技術壁壘，打破海外壟斷，不僅實現了 “有沒有” 的突破，更在向 “強不強” 的目標邁進。

存儲芯片是半導體產業的 “基石”，掌控了存儲芯片，就掌控了數字時代的核心話語權。

長鑫科技和長江存儲的 IPO，不是終點，而是新的起點。

未來，它們既要面對三星、SK 海力士等巨頭的激烈競爭，也要攻克 HBM 等高端技術的難關，前路依然充滿挑戰。

但我們有理由相信，十年磨一劍的中國存儲雙雄，必將帶著國產替代的使命，在全球舞臺上綻放光芒。

畢竟，在這個沒有硝煙的科技戰場上，中國企業的突圍之路，從來都是步履維艱，卻從未止步不前。

作者：互聯網資深運營文心，前百度運營師，阿里達摩院人工智能訓練師，長期提供廣告推廣策劃、網站建設、廣告軟文、文案、AI咨詢、公司自媒體內刊等的代寫作以及互聯網運營、推廣相關代運營。公眾號：芳華青年。聲明：圖片源于網絡公開素材。文章僅做分享交流，無任何商業目的和行為，如有不妥聯系刪除。