北京
針對市場傳言臺積電暫緩采購高數值孔徑極紫外光刻機（HighNA EUV），在股東會上，有股東就此發問：若臺積電現階段放棄布局該設備，會不會重演早年英特爾擱置 EUV 投入、最終制程發展滯后的前車之鑒，同時質疑管理層是否對自身技術實力過于自負。
臺積電董事長魏哲家當場出面辟謠澄清：相關設備公司早已完成采購。他補充說明，臺積電當前正依托這批設備推進多項技術研發，之所以暫未把 HighNA EUV 投入生產線量產，核心考量出于成本管控。
魏哲家進一步說明，由于High-NA EUV 目前的生產成本仍稍嫌偏高，臺積電的策略是持續優化其生產力并設法降低成本。公司會盡量發揮該設備的優勢，待時機成熟后，就會正式進入生產線。他更幽默地補充，公司不僅沒有不投資，實際上已經買了，而且買幾臺就不好意思講，展現出臺積電在先進制程布局上穩健且胸有成竹的態度。
High-NA EUV 是目前半導體制造領域最先進的光刻技術，由荷蘭ASML公司主導開發。它在傳統EUV（極紫外光刻，波長13.5nm）的基礎上，將數值孔徑（NA）從0.33大幅提升至0.55，通過更高的光收集能力和非對稱光學系統，顯著提高了成像分辨率，可實現約8nm甚至更小的關鍵尺寸，從而支持2nm、1.4nm及未來更先進制程的芯片量產。High-NA EUV 的核心優勢在于能讓晶體管結構更加密集、性能更強，主要用于高性能AI芯片、先進邏輯芯片和高帶寬內存的生產，不過其設備體積龐大、價格高達3-4億美元，也帶來了更高的技術復雜度和成本挑戰，是延續摩爾定律、推動半導體行業進入埃米時代的關鍵利器。
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