韓國(guó)芯片巨頭暴力反攻！

今日早間，韓國(guó)股市開(kāi)盤(pán)后，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子大幅拉升，一度暴漲超10%，SK海力士亦大幅走強(qiáng)，大漲超5%。消息面上，此前有報(bào)道稱(chēng)三星電子可能宣布90萬(wàn)億韓元的股份回購(gòu)。

與此同時(shí)，多家華爾街機(jī)構(gòu)看好半導(dǎo)體行業(yè)前景，美國(guó)銀行在最新發(fā)布的報(bào)告中表示，大幅上調(diào)包括英特爾、美光科技在內(nèi)的多家半導(dǎo)體巨頭的目標(biāo)股價(jià)，理由是AI（人工智能）相關(guān)支出的可見(jiàn)性已清晰延伸至2028年。美銀還將半導(dǎo)體市場(chǎng)的總潛在規(guī)模(TAM)預(yù)期從此前的2.3萬(wàn)億美元大幅上調(diào)至2.7萬(wàn)億美元。

芯片巨頭飆漲

北京時(shí)間6月24日早間，韓國(guó)股市開(kāi)盤(pán)后，SK海力士、三星電子股價(jià)集體走強(qiáng)，截至08:30，漲幅分別為5.09%、9.19%。受此推動(dòng)，韓國(guó)KOSPI指數(shù)大漲4.02%。日本股市亦小幅反彈，日經(jīng)225指數(shù)漲0.14%。

然而隔夜美股芯片全線(xiàn)重挫，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)大跌超7%，成分股悉數(shù)收跌，美光科技暴跌超13%，安森美半導(dǎo)體暴跌超11%，Arm大跌超10%，應(yīng)用材料、德州儀器、高通大跌超8%，阿斯麥ADR、恩智浦大跌超7%，臺(tái)積電ADR、英特爾大跌超6%。

消息面上，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，SK海力士周三或就其計(jì)劃的美國(guó)存托憑證(ADR)上市向韓國(guó)金融監(jiān)督院提交證券注冊(cè)聲明。SK海力士預(yù)計(jì)金融監(jiān)督院最早將于7月3日完成文件審核；其ADR預(yù)計(jì)可能在7月完成上市。

另?yè)?jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子正在HBM4賽道上全力提速。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子HBM4營(yíng)收已超過(guò)10億美元，成為業(yè)內(nèi)首個(gè)在量產(chǎn)后四個(gè)月內(nèi)達(dá)到這一里程碑的公司，按6月底預(yù)測(cè)，這一數(shù)字有望進(jìn)一步突破12億美元。

TrendForce指出，三星電子在HBM4上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)來(lái)自于底層芯片采用4nm FinFET制程節(jié)點(diǎn)，其認(rèn)證時(shí)間線(xiàn)領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。受益于此，三星電子全年HBM4出貨量預(yù)測(cè)已從3500億Gb小幅上調(diào)至4000億Gb。

報(bào)道稱(chēng)，相比之下，SK海力士則在放緩HBM4產(chǎn)能爬坡節(jié)奏，并削減部分原定從HBM3E升級(jí)至HBM4的產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)換計(jì)劃。該公司認(rèn)為，在HBM市場(chǎng)已占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位的情況下，沒(méi)有必要激進(jìn)押注下一代產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)。

SK海力士放緩HBM4擴(kuò)產(chǎn)的核心邏輯，在于對(duì)利潤(rùn)率的主動(dòng)管理。據(jù)韓媒Chosun.biz報(bào)道，HBM業(yè)務(wù)目前已占該公司總營(yíng)收逾40%，在現(xiàn)有市場(chǎng)地位穩(wěn)固的前提下，繼續(xù)大規(guī)模投入HBM4擴(kuò)產(chǎn)的邊際收益有限。

普通DRAM市場(chǎng)的盈利前景正變得愈發(fā)吸引人。分析師預(yù)計(jì)，DRAM運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率有望在年內(nèi)接近90%的理論峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售價(jià)已環(huán)比上漲約60%，公司表示，將重點(diǎn)聚焦高密度服務(wù)器模組及移動(dòng)端需求。此外，該公司與微軟簽訂的三年期DDR5供應(yīng)協(xié)議，也被市場(chǎng)普遍視為強(qiáng)化了其在普通DRAM領(lǐng)域的長(zhǎng)期盈利能見(jiàn)度。

在產(chǎn)能規(guī)劃層面，據(jù)TrendForce，SK海力士HBM4大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)已推遲，有效放量預(yù)計(jì)將延至2026年第三季度。受此影響，其全年HBM4出貨量預(yù)測(cè)從4500億Gb下調(diào)至4000億Gb。

美銀：大幅上調(diào)

美國(guó)銀行在最新發(fā)布的報(bào)告中表示，大幅上調(diào)包括英特爾、美光科技等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體公司的目標(biāo)股價(jià)，理由是人工智能相關(guān)支出的可見(jiàn)性已清晰延伸至2028年。

在報(bào)告中，美銀還對(duì)晶圓制造設(shè)備(WFE)的支出預(yù)測(cè)做出了顯著上調(diào)，將2029年、2030年的WFE預(yù)測(cè)分別上調(diào)至2680億美元(+7%)、2920億美元(+9%)。

美銀在報(bào)告中給出了以下三大理由：

1.潔凈室可用性提高。隨著全球晶圓廠建設(shè)逐步推進(jìn)，此前制約產(chǎn)能擴(kuò)張的潔凈室瓶頸正在緩解，為設(shè)備安裝提供了更充裕的空間。

2.存儲(chǔ)器長(zhǎng)期協(xié)議(LTA)帶來(lái)的高能見(jiàn)度。存儲(chǔ)芯片廠商與下游客戶(hù)簽訂的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，為資本支出決策提供了前所未有的確定性，使得設(shè)備采購(gòu)計(jì)劃能夠提前鎖定。

3.關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)折點(diǎn)推高每片晶圓的WFE強(qiáng)度。 在存儲(chǔ)器和邏輯器件的周期性升級(jí)中，先進(jìn)制程對(duì)設(shè)備的需求密度持續(xù)攀升。

美銀還指出，英特爾和三星在先進(jìn)晶圓代工與邏輯器件產(chǎn)能上的進(jìn)展，以及Terafab項(xiàng)目的潛在貢獻(xiàn)，均為行業(yè)注入了強(qiáng)心針。

值得注意的是，美銀并非唯一看好WFE前景的投行。摩根大通此前已將2026年全球WFE增長(zhǎng)預(yù)測(cè)從21%上調(diào)至28%，預(yù)計(jì)2027年進(jìn)一步增長(zhǎng)29%，2028年仍將保持16%的增長(zhǎng)。富國(guó)銀行也同步上調(diào)了2027年和2028年的WFE預(yù)測(cè)。

美銀在此次報(bào)告中還將半導(dǎo)體市場(chǎng)的總潛在規(guī)模(TAM)預(yù)期從此前的2.3萬(wàn)億美元大幅上調(diào)至2.7萬(wàn)億美元，意味著2025年至2030年間行業(yè)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到28%。

排版：王璐璐

校對(duì)：李凌鋒