在經歷連續兩日強勁反彈、并剛剛創下歷史最佳季度表現后,美股存儲芯片板塊周三遭遇猛烈拋售。
美東時間7月1日周三,美股主要指數整體承壓。美股早盤時段,標普500指數和納指分別跌約0.2%和0.6%時,費城半導體指數(SOX)的盤中跌幅已擴大至5%以上,拖累納斯達克100指數跌超1%。
其中,存儲板塊跌勢尤為猛烈,美股存儲板塊指數盤中曾跌約9%,成分股中,閃迪(SNDK)曾跌超10%,鎧俠ADR跌超10%,美光科技(MU)跌近9%,西部數據(WDC)和希捷科技(STX)曾跌超8%。
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同時,應用材料、拉姆研究等半導體設備股也同步回落,顯示資金正從此前漲幅最大的AI硬件鏈條撤離。
分析人士認為,本輪下跌更像是在此前史無前例的大漲后的獲利了結,而非行業基本面發生明顯惡化。過去一個季度,在AI基礎設施投資、HBM高帶寬存儲需求持續火爆以及存儲行業供需改善預期推動下,存儲芯片股成為全球表現最強的半導體細分板塊之一。
大跌發生前,芯片股剛經歷連續兩天強勢上漲
值得注意的是,周三的大跌發生在芯片股總體連日上漲后。
本周一和周二,美股半導體板塊延續AI交易熱潮。周二費城半導體指數收漲3.92%,6月累漲11.05%,二季度累漲87.75%,創該指數有紀錄以來最大單季漲幅。
存儲板塊此前更是領漲整個半導體行業。周二美股存儲芯片與硬件供應鏈指數收漲3.83%,二季度累漲159.01%,遠超大盤及費城半導體指數。當天閃迪收漲近10.9%;美光科技漲近0.8%。
該指數成分股中,二季度閃迪累漲257.88%,美光科技漲241.67%,希捷科技漲146.55%,西部數據漲136.19%,應用材料漲111.78%,拉姆研究漲103.01%。
市場為何突然轉向?
近期,多家華爾街機構均提醒,盡管AI推動的存儲需求仍然十分強勁,但經歷數月的大幅上漲后,市場估值已明顯抬升。
分析人士認為,本輪回調主要由幾方面因素共同推動:
首先,是獲利了結壓力集中釋放。
經歷二季度史詩級上漲后,存儲股成為機構持倉最集中的AI方向之一。在缺乏新的重大催化劑情況下,不少資金選擇兌現收益。
其次,市場開始重新評估AI產業鏈節奏。
隨著主要存儲廠商股價快速上漲,投資者開始關注未來幾個季度盈利增長能否持續追趕估值擴張速度。雖然HBM、高性能DRAM以及企業級SSD需求依然旺盛,但市場對于未來供給增加、價格漲幅趨緩等因素的討論也有所升溫。
第三,板塊輪動加劇。
近期半導體板塊整體大幅跑贏美股主要指數,不少基金在季末、月初進行倉位調整,也加劇了波動。
行業基本面仍未明顯轉弱
不過,從產業基本面來看,多數機構仍未改變對存儲行業景氣周期的樂觀看法。
近期,包括美光科技在內的多家廠商均表示,AI服務器、高帶寬存儲(HBM)以及數據中心SSD需求仍然強勁,先進存儲產品供應持續緊張,行業供需關系較過去幾年已明顯改善。
市場目前關注的焦點,也正從“行業是否復蘇”逐步轉向“盈利改善還能持續多久”。
對于投資者而言,在經歷創紀錄上漲之后,存儲板塊短期波動可能明顯加大;但若AI基礎設施投資周期持續、HBM供需繼續維持緊平衡,行業長期邏輯目前尚未出現根本性改變。
周三盤中的急跌,更像是在歷史性上漲后的階段性降溫,而非存儲芯片景氣周期已經結束。
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