5年融5輪，海歸博士創立的蘇州公司完成新融資

近日，創客君獲悉，蘇州中瑞宏芯半導體有限公司（下文簡稱“ 中瑞宏芯”）宣布完成新一輪融資，投資方為模擬芯片龍頭納芯微和充電模塊龍頭企業優優綠能，融資金額達億元級。

這是公司成立近五年來完成的第五輪融資，也標志著這家由海外歸國技術專家領銜的碳化硅芯片廠商，在資本與產業的雙重加持下步入發展快車道。

中瑞宏芯的故事，要從創始人張振中博士長達二十年的碳化硅研究說起。

本科畢業于浙江大學的張振中，后赴瑞典皇家工學院攻讀博士學位。博士畢業后，他進入瑞典國家研究院，正式投身碳化硅材料及功率器件研發。

“我一開始接觸碳化硅半導體器件研發的時候還是2英寸的晶圓，現在都已是6英寸量產甚至已經有了8英寸大尺寸的晶圓。”張振中曾如此回顧自己與碳化硅結緣的起點。

2011年，憑借在瑞典國家研究院積累的深厚技術功底，張振中在瑞典創辦了Ascatron公司并擔任首席工程師，專注碳化硅外延片與功率器件的設計與制造。

在Ascatron期間，他參與了ABB、英飛凌、三星等跨國公司研發和業務合作，成功研發出1.2kV至10kV電壓等級的碳化硅二極管、MOSFET和JFET等器件，積累了從材料到器件、從設計到工藝的全鏈條產業化經驗。

值得一提的是，張振中早在2015年便開始與國內廠商建立合作關系，逐步將目光投向國內第三代半導體產業的萌芽。

可以說，在正式回國創業之前，他已經用十余年時間完成了碳化硅全產業鏈的技術儲備。

而真正促使張振中下定決心的，是國內第三代半導體產業的歷史性機遇。

彼時，國產化替代與產業升級形成雙重驅動力。張振中敏銳地察覺到，中國擁有全球最大的第三代半導體應用市場，產業鏈日趨完備，實現自主可控的條件正在成熟。

“市場占有率要從90%做到100%很難，但是從10%到20%卻是觸手可及。”面對這個市場規模巨大、天花板極高的細分賽道，張振中躊躇滿志。

2021年，張振中正式從瑞典國家研究院辭任，回國尋求產業化落地的機會。經過多地調研考察，他將創業之地選定在蘇州工業園區。2021年6月，蘇州中瑞宏芯半導體有限公司正式注冊成立。

與許多科學家創業團隊不同，張振中在中瑞宏芯組建了一支在半導體領域深耕十年以上的核心研發團隊，研究領域覆蓋碳化硅產業鏈上游材料、工藝，中游器件、封裝，下游應用，實現了產業鏈環節的全覆蓋。

“在半導體產業領域，找一個從事10年以上的硅材料研發的資深設計師已是不易，更不要說一直專注于碳化硅半導體器件設計的團隊。”張振中曾不無驕傲地說。

依托這支經驗豐富的團隊，中瑞宏芯全面掌握了從芯片設計、仿真建模到測試應用、量產導入的全流程。公司的主要產品線包括SiC二極管（覆蓋650V-1700V電壓，1A-40A電流）、SiC MOSFET（電壓覆蓋650V-2000V）、SiC功率模塊以及SiC外延片等，廣泛應用于充電樁、光伏逆變器、新能源汽車OBC及主驅、數據中心電源、工業電源等場景。

在核心技術層面，公司開發的3D結構SiC器件技術尤為突出——相比目前市場主流產品，不僅增加了電流密度，提高了反向耐壓和雪崩能力，在常溫及200℃高溫條件下的反向漏電流均比國際同類產品低一到兩個數量級。公司的高壓SiC MOSFET設計具有低導通電阻、高抗干擾、低開關損耗、易驅動等特點，充電樁模塊效率超過97%。

在產業化落地方面，中瑞宏芯與國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）和江蘇省第三代半導體研究院掛牌共建SiC車用大功率MOSFET芯片技術聯合研發中心。

此外，公司在瑞典設有SiC新型器件研發基地，與瑞典國家研究院（RISE）開展特殊MOS工藝開發的深度合作。

在國產替代的實際推進中，中瑞宏芯的產品已進入多家頭部Tier1供應鏈。多款二極管、MOSFET產品已通過車規級AEC-Q101認證，性能達到國際先進水平，并應用于新能源、電動汽車、智能電網、工業控制等領域。

公司產品已在新能源汽車OBC頭部客戶完成測試，基于第三代工藝平臺的160mΩ MOSFET產品已實現量產。

此次B+輪引入的納芯微和優優綠能，將進一步深化中瑞宏芯的產業協同。納芯微在車規級芯片領域的深厚積累與優優綠能在充電模塊市場的渠道優勢，將助力中瑞宏芯半導體在技術協同與市場拓展上實現跨越式發展，加速SiC器件在新能源汽車與充電設施領域的國產化替代進程。

文章素材來 源：企查查、企業官網等

園區科創委《園區企業逐浪第三代半導體“黃金賽道”！》

全球半導體觀察《蘇州第三代半導體廠商完成新一輪融資》

荷塘創投《中瑞宏芯，第三代半導體“黃金賽道”上的新星》

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