2027年破1500億美元！

全球300毫米晶圓設備支出預計將在2027年增長14%，達到1510億美元。

SEMI今日在其最新的300毫米工廠展望中報道，全球300毫米晶圓設備支出預計將在2026年增長18%，達到1330億美元，2027年增長14%，達到1510億美元。這一強勁增長反映了數(shù)據(jù)中心和邊緣設備對AI芯片需求的激增，以及通過本地化工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應鏈重組，關鍵區(qū)域對半導體自給自足的日益承諾。

展望未來，報告預測投資將持續(xù)增長3%，2028年達到1550億美元，2029年將再增長11%，達到1720億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“人工智能正在重塑半導體制造投資的規(guī)模。”“全球300毫米晶圓設備支出預計2027年首次突破1500億美元，行業(yè)正對推動人工智能時代所需的先進產(chǎn)能和韌性供應鏈做出歷史性且持續(xù)的承諾。”

細分到各領域，邏輯與微系統(tǒng)板塊預計將引領設備擴張，從2027 年至 2029 年期間總投資額達 2280 億美元，這主要歸因于受次 2 納米尖端產(chǎn)能投資推動的晶圓廠領域強勁需求。先進節(jié)點技術對于提升芯片性能與能效至關重要，從而滿足各類 AI 應用對芯片設計的嚴苛要求。預計更多先進節(jié)點技術將于 2027 年到 2029 年進入量產(chǎn)階段。此外，AI 性能的改善預計將推動各類邊緣 AI 設備的顯著增長。除先進節(jié)點外，所有節(jié)點以及各類電子器件的需求預計也將溫和增長，從而為對成熟節(jié)點的投資提供支撐。

內存領域預計將成為設備支出中的第二大類別，從2027 年至 2029 年期間總支出將達到 1750 億美元。這段時期標志著該領域進入一個新的增長周期。在內存類別內，DRAM 設備支出預計將從 2027 年到 2029 年累計達到 1110 億美元，而同期 3D NAND 設備支出則估計為 620 億美元。

由于人工智能訓練和推理的需求，對內存的需求顯著增加。人工智能訓練顯著推升了對高帶寬內存（HBM）的需求，而模型推理則對存儲容量形成了巨大需求，從而推動了數(shù)據(jù)中心中NAND閃存應用領域的增長。這種強勁的需求導致內存供應鏈在短期及長期內持續(xù)面臨高額投資，有助于緩解因傳統(tǒng)內存周期波動可能帶來的衰退影響。

從 2027 年至 2029 年期間，全球 300 毫米晶圓廠設備投資預計仍將廣泛分布于各主要半導體制造區(qū)域，這反映出先進節(jié)點擴展、存儲器容量增加以及政策支持的供應鏈本地化等多種因素的綜合作用。預計中國大陸、中國臺灣、韓國以及美洲地區(qū)在此期間都將出現(xiàn)顯著的支出水平，而日本、歐洲及中東地區(qū)以及東南亞地區(qū)則將繼續(xù)從相對較小的基數(shù)上持續(xù)擴大投資。

在中國大陸，投資預計將繼續(xù)受到國內產(chǎn)能持續(xù)擴大以及旨在增強半導體制造能力的國家計劃的支撐。在中國臺灣地區(qū)，支出預計將主要受到領先型晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)擴張的推動，包括 2 納米及以下技術。韓國的投資前景仍與內存領域緊密相關，該領域的人工智能相關需求正支撐著新一輪的產(chǎn)能與技術升級周期。在美洲，支出預計會受到先進工藝擴展以及更廣泛強化國內制造業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的努力的支撐。

半導體設備產(chǎn)業(yè)正站在技術變革與市場重構的關鍵節(jié)點，未來五年將迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。此外，先進封裝技術正在從"配角"變?yōu)?主角"，為半導體設備市場創(chuàng)造新的增長極。隨著摩爾定律趨緩，先進封裝接棒前道先進制程成為后摩爾時代提升芯片性能的主力軍，尤其是CoWoS、InFO、SoIC等異構集成技術。先進封裝，尤其是高端封裝的實現(xiàn)越來越依賴前道技術，可以說先進封裝是前道工序的衍生，在晶圓上通過硅通孔技術(TSV)和重布線層(RDL)分別實現(xiàn)縱向和橫向的互聯(lián)，需要使用薄膜沉積和刻蝕設備。這一趨勢使得傳統(tǒng)前后道設備的界限變得模糊，也為設備企業(yè)帶來新的業(yè)務機會。

來源：半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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