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今日，根據外媒報道，三星計劃2030年前實現1nm制程量產，采用「叉型片」架構替代GAA，通過納米片間絕緣層提升電晶體密度，突破物理極限，目標爭奪AI芯片與HBM領域話語權，2025年研發(fā)投入已達90.4兆韓元，2026年再增22%。
臺積電則推進埃米時代路線圖，A16制程（2nm家族）2026年下半年量產，A14（1.4nm）2028年投產，搭載超級電軌技術的版本2029年推出，旨在通過更高運算速度與能效推動AI轉型，強化終端設備AI功能。
OpenAI自研ASIC芯片已由博通、Marvell合作開發(fā)，并在臺積電3nm及A16制程投片。三星同步優(yōu)化現有制程，開發(fā)客制化2nm「SF2T」供應特斯拉AI6芯片，預計2027年德州新廠量產。
雙方技術競爭聚焦電晶體密度提升與功耗優(yōu)化，1nm電晶體密度較2nm翻倍，被視為芯片微縮關鍵里程碑，而AI需求激增正驅動雙方持續(xù)加大資本支出與技術投入。
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