今年全國兩會政府工作報告中，集成電路被正式確立為國家六大新興支柱產業(yè)之首，體現了國家對半導體產業(yè)的高度重視。在全球半導體產業(yè)鏈加速重構背景下，中國半導體產業(yè)正經歷從“補短板”到“提性能”的戰(zhàn)略轉變。青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）憑借在原子層沉積設備（ALD）與離子注入機（IMP）領域的雙線布局，已成為當前賽道內少數實現關鍵技術自主突破的裝備供應商，在這一產業(yè)變革中占據著獨特的戰(zhàn)略地位。近日，集微網專訪思銳智能研發(fā)總監(jiān)，深入探討思銳智能如何憑借其在ALD和IMP設備領域的技術積累與創(chuàng)新突破，助力中國半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

助力產業(yè)創(chuàng)新：立足當下布局未來

當前全球半導體市場正在加速擴容。世界半導體貿易統(tǒng)計組織WSTS最新預測，2026年全球半導體市場規(guī)模將達9750億美元，逼近萬億美元大關。這一增長并非傳統(tǒng)周期性反彈的簡單重復，而是由人工智能技術驅動的結構性變革。疊加中國半導體國產化進程加速，這為我國半導體設備企業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機遇。

在此進程中，思銳智能緊抓國產替代機遇，支撐國內晶圓廠工藝研發(fā)與產業(yè)升級，前瞻布局下一代工藝創(chuàng)新賽道。依托ALD、離子注入核心自主技術突破，公司裝備實現標準化量產與規(guī)模化交付，成功納入主流半導體制造供應鏈。憑借核心自主可控技術、穩(wěn)定設備效能與優(yōu)質技術服務，思銳智能為客戶提供一體化工藝解決方案，持續(xù)強化自研裝備在產業(yè)鏈的配套價值與產業(yè)化落地能力。思銳智能在中國半導體產業(yè)發(fā)展進程中所發(fā)揮的作用不止于國產替代。針對全球客戶新工藝開發(fā)的探索需求，思銳智能提供全譜系ALD、離子注入裝備的一體化工藝支撐，既能全力支持現有工藝的規(guī)模化生產，也能以國際主流前代工藝為基準，助力用戶完成下一代工藝的驗證工作。作為擁有全球客戶拓展能力的半導體裝備生產制造商，思銳智能及海外子公司業(yè)務范圍已覆蓋全球40個國家及地區(qū)，累計服務超過500個全球客戶。

當前半導體技術正朝著3D堆疊和新材料方向快速演進，這既為整個行業(yè)帶來嚴苛的技術挑戰(zhàn)，也孕育著廣闊的市場機會。在3D堆疊、新材料等新興領域，國內外裝備技術差距處于同步研發(fā)、并行探索階段，部分細分領域已形成差異化技術優(yōu)勢。以ALD裝備在碳化硅功率器件中的適配場景為例，伴隨深溝槽結構在第三代器件中的普及，ALD技術在溝槽薄膜生長均勻性、致密性上，相較傳統(tǒng)CVD、PVD工藝具備顯著適配優(yōu)勢。思銳智能較早布局該前沿方向，已完成基礎技術儲備與工藝驗證，逐步構建可落地的核心技術壁壘，為后續(xù)全球化市場配套筑牢堅實基礎。依托長期技術積淀，思銳智能核心裝備在國內半導體產業(yè)升級配套進程中，正發(fā)揮愈發(fā)關鍵的支撐作用。

思銳智能專家指出，在國內晶圓制造的創(chuàng)新研發(fā)環(huán)節(jié)，本土裝備企業(yè)具備顯著的協(xié)同適配與快速響應優(yōu)勢。整體來看，工藝優(yōu)化需求主要分為兩類：一是現有工藝平臺內的精細化迭代升級；二是全新架構、全新材料驅動的原創(chuàng)工藝開發(fā)。在高頻精細化工藝迭代場景下，思銳智能深度聯(lián)動客戶開展軟硬件定制化開發(fā)，精準適配各類新型工藝落地應用；面向前沿原創(chuàng)工藝前瞻研發(fā)，依托完備的定制化技術支撐體系，可提供高適配、全流程的研發(fā)與量產配套服務。公司與客戶聯(lián)合研發(fā)的協(xié)同模式，既能高效加速先進制程技術迭代落地，亦可推動核心裝備持續(xù)貼合產業(yè)市場化需求，穩(wěn)步構建“研發(fā)—應用—優(yōu)化”閉環(huán)技術生態(tài)。

ALD設備：適配3D堆疊與新材料演進需求

原子層沉積技術廣泛應用于邏輯芯片、存儲芯片、功率器件等各類半導體產品的制造，其設備性能與芯片集成度、性能與可靠性密切相關。3D堆疊和新材料應用對ALD設備的適配能力、控制精度都提出了更為嚴苛的需求與挑戰(zhàn)。

在3D堆疊技術領域，邏輯芯片往往要在“不超過10nm空間內堆疊多種不同組分材料”，其中沉積厚度控制精度、材料組分控制精度都是關鍵痛點。設備精度不足極易出現組分偏差、厚度不均等問題，進而影響芯片的電學性能與穩(wěn)定性。在新材料應用層面，ALD設備面臨的挑戰(zhàn)同樣嚴峻。例如IGZO等多元復合材料，未來在先進存儲、3DDRAM領域的應用將日益廣泛，這類材料的多元復合特性，要求ALD設備必須實現超高精度配比調控能力，保障薄膜參數穩(wěn)定達標。碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料的產業(yè)化提速，也推動ALD裝備持續(xù)完成工藝兼容、生產效率提升等專項技術升級。

思銳智能深耕ALD領域，構建了完整的技術體系，累計擁有近400項全球專利族群，形成覆蓋多工藝節(jié)點、主流核心場景的全譜系ALD產品線，可滿足客戶多元化工藝需求。公司攻克高精度沉積控制、復合材料適配等關鍵難點，設備指標達到國際先進水平，深度適配前沿制程應用。

ALD Transform

離子注入機：實現高壁壘賽道下的核心技術攻堅

離子注入設備是實現芯片摻雜、材料改性等關鍵工藝的核心支撐，技術壁壘極高，核心難點集中在三大層面：

其一，整機系統(tǒng)極其復雜，數千種零部件協(xié)同配合實現整機功能。離子源作為設備“心臟”，需持續(xù)實現高純度、高束流、長壽命穩(wěn)態(tài)輸出，精準管控離子品類、保障束流全域均勻。受束流傳輸與控制系統(tǒng)架構繁雜、調控參數多元的剛性瓶頸制約，大幅提升了工藝參數全域協(xié)同控制難度。同時，高壓絕緣、污染防護等特種材料自研與精密成型制造，長期屬于行業(yè)攻堅難點。

其二，離子束傳輸與聚焦控制難度突出。設備需在超高真空環(huán)境下完成離子束長距離精準傳導、定點聚焦，適配多工藝節(jié)點、多尺寸晶圓量產需求。受工藝端缺失無損實時直檢手段這一核心技術瓶頸制約，隱性工藝風險突出，倒逼束流傳輸與聚焦控制系統(tǒng)必須實現極致精度與絕對穩(wěn)定性，同時為機械加工公差、智能控制響應精度確立行業(yè)頂尖標準。

其三，量產級可靠性、安全性與一致性管控難度極高。量產端需支撐7×24小時連續(xù)穩(wěn)定運行，實現全批次工藝參數精準復刻。核心部件耐久性、系統(tǒng)兼容性與故障自愈能力需對標國際標準。同時設備自帶毒氣、高壓、電離輻射等危險源，安全防護技術門檻嚴苛。雙重要求之下，唯有依托核心自主研發(fā)與量產數據持續(xù)迭代優(yōu)化，方能保障設備穩(wěn)定交付。

攻克離子注入機核心技術，對保障產業(yè)鏈安全意義重大。思銳智能堅持高強度持續(xù)研發(fā)投入與專項技術攻堅，選擇率先攻克難度最高的高能離子注入機并深耕，先后攻克離子源、束流傳輸聚焦等核心技術卡點，在束流均勻性、整機運行穩(wěn)定性、量產可靠性等關鍵性能指標上實現對標國際先進水平。

公司持續(xù)加碼重資產科研布局，自主搭建專業(yè)實驗驗證平臺與工藝量測實驗室，構建全流程自研、自測迭代的技術體系；深度聯(lián)動終端客戶開展聯(lián)合工藝開發(fā)與量產適配，依托真實工況持續(xù)打磨優(yōu)化技術參數，實現核心裝備與客戶工藝需求的協(xié)同升級。產品端，思銳智能已完成硅基及化合物半導體領域全系列離子注入機的研發(fā)與驗證，搭建完整產品矩陣，覆蓋高能、大束流、中束流等全品類機型，可滿足從成熟工藝到先進工藝、邏輯芯片到存儲芯片、硅基芯片到第三代半導體器件的多元化應用需求。

目前，企業(yè)自研高能離子注入機、大束流注入機已實現批量落地交付。依托自研核心架構與極致工藝性能，設備通過嚴苛量產工況的長期驗證，關鍵指標達到行業(yè)標桿水平，持續(xù)獲得頭部客戶規(guī)模化量產導入，充分印證了公司核心技術壁壘、設備穩(wěn)定性及量產適配能力，助力思銳智能穩(wěn)居行業(yè)領先梯隊。

SRII 高能離子注入機

AI賦能：推動半導體設備的智能化升級

在半導體設備高速迭代的行業(yè)格局下，底層軟件的自主可控與智能化升級，已成為決定裝備精度、運行效率與場景適配能力的核心關鍵。思銳智能堅持軟件自主開發(fā)，構建涵蓋控制程序、工藝算法、數據分析的完整體系，實現軟硬件深度協(xié)同、同步迭代，充分釋放硬件性能潛力，同時可快速響應客戶定制化開發(fā)與現場調試需求，具備極強的場景適配與拓展能力。

公司精準把握AI技術向半導體制造深度滲透的行業(yè)趨勢，積極探索其在高端裝備領域的落地價值。AI不僅是突破傳統(tǒng)設備效率與精度瓶頸的重要手段，更為客戶前沿工藝創(chuàng)新提供全新支撐。目前，思銳智能的AI應用已落地于參數優(yōu)化、工藝預測、狀態(tài)監(jiān)控、輔助調試四大核心場景。

工藝優(yōu)化層面，基于海量運行數據訓練智能模型，快速匹配最優(yōu)工藝參數組合，有效提升量產效率；針對3D堆疊、新材料制程等復雜工藝，依托AI算法降低調試門檻、減少人工干預，加速先進工藝落地應用。

智能運維層面，依托全量運行數據搭建智能分析模型，實現故障精準預警與定向運維建議，有效降低停機風險，保障裝備長期高效穩(wěn)定運行。

未來，思銳智能將持續(xù)加碼AI技術研發(fā)，深化智能運維算法迭代，進一步提升故障響應時效；同時結合3D架構與第三代半導體研發(fā)需求，拓展前沿制程的智能化輔助能力。公司將深度融合物理仿真與數字建模，打造“智能裝備+原生軟件+定制化服務”一體化解決方案，持續(xù)鞏固在ALD、IMP及裝備智能化領域的技術領先優(yōu)勢。

思銳智能在ALD、IMP以及智能化技術方面的探索與積累，并非單純的技術突破，而是源于對產業(yè)趨勢與客戶需求的深度洞察。未來，思銳智能將持續(xù)加大研發(fā)投入，聚焦核心技術迭代升級，優(yōu)化全譜系裝備的場景適配能力，深化產業(yè)鏈協(xié)同研發(fā)，全方位支撐半導體產業(yè)從產能配套向高端技術引領的長效轉型。