北京
中國(guó)芯片領(lǐng)域迎來(lái)重磅喜訊！近日，國(guó)防科技大學(xué)聯(lián)合中科院金屬研究所團(tuán)隊(duì)對(duì)外宣布，全球首次實(shí)現(xiàn)高性能P型二維半導(dǎo)體材料氮化鎢硅的晶圓級(jí)、可摻雜、可量產(chǎn)制備，相關(guān)成果發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)期刊《國(guó)家科學(xué)評(píng)論》。
長(zhǎng)久以來(lái)，傳統(tǒng)硅基芯片逼近物理極限，摩爾定律逐漸失效，1nm以下工藝似乎再無(wú)突破可能。在此背景下，二維半導(dǎo)體憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，被視為后摩爾時(shí)代的“救星”。此次突破，首創(chuàng)高性能P型材料單層氮化鎢硅二維薄膜，跳出了傳統(tǒng)硅基芯片依賴光刻機(jī)的發(fā)展路徑。讓中國(guó)芯片徹底擺脫光刻機(jī)束縛，走出一條“換道超車”的全新路徑。
本次成果攻克了材料摻雜、工程化集成等產(chǎn)業(yè)化難題，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)量產(chǎn)制備，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)二維半導(dǎo)體技術(shù)從科研邁向?qū)嵱没⒘慨a(chǎn)化階段。由此，芯片設(shè)計(jì)解鎖新性能與功耗天花板，設(shè)備制造有望全鏈條國(guó)產(chǎn)。AI、新能源、航天等下游產(chǎn)業(yè)將全面受益，產(chǎn)業(yè)安全有了堅(jiān)實(shí)保障。中國(guó)芯，從此邁入芯時(shí)代！#二維半導(dǎo)體#芯片 #摩爾定律
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