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隨著人工智能（AI）產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對(duì)NAND閃存的需求激增，三星電子、SK海力士和鎧俠等全球NAND閃存制造商正在加速產(chǎn)能擴(kuò)張。然而，三星電子和SK海力士?jī)?yōu)先考慮的是DRAM產(chǎn)能的提升，而鎧俠的產(chǎn)能擴(kuò)張預(yù)計(jì)短期內(nèi)無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，因此大多數(shù)分析師認(rèn)為NAND閃存價(jià)格的上漲趨勢(shì)在短期內(nèi)仍將持續(xù)。

據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange 17日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，上月標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存產(chǎn)品（128Gb 16Gx8 MLC，用于存儲(chǔ)卡和U盤）的平均合約價(jià)為17.73美元，較上月的12.67美元上漲了39.95%。與去年1月的2.18美元相比，漲幅約為八倍。盡管以人工智能數(shù)據(jù)中心為中心的市場(chǎng)需求迅速增長(zhǎng)，但NAND閃存廠商的供應(yīng)卻未能跟上。

隨著人工智能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，NAND閃存的供應(yīng)短缺問(wèn)題日益嚴(yán)峻，其供應(yīng)短缺問(wèn)題也與DRAM一樣日益嚴(yán)重。在訓(xùn)練人工智能模型和提升推理能力的過(guò)程中，用于存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的基于NAND閃存的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（eSSD）的需求激增。此外，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器4至6年的更換周期也與NAND閃存重疊，進(jìn)一步推高了需求。

然而，在經(jīng)歷了兩三年的NAND市場(chǎng)低迷之后，全球NAND制造商紛紛減產(chǎn)，難以滿足市場(chǎng)需求。尤其是三星電子、SK海力士和美光等公司，已將重心轉(zhuǎn)向DRAM生產(chǎn)，DRAM的需求增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)超NAND，導(dǎo)致NAND產(chǎn)能擴(kuò)張的優(yōu)先級(jí)降低。

市場(chǎng)研究公司 TrendForce 預(yù)測(cè)：“由于短期內(nèi) NAND 閃存產(chǎn)能增長(zhǎng)有限，而人工智能需求激增，今年價(jià)格將持續(xù)強(qiáng)勁上漲。”

三星電子和SK海力士計(jì)劃今年重點(diǎn)擴(kuò)建其位于中國(guó)的NAND閃存工廠。據(jù)悉，三星電子已完成西安一廠的工藝改造投資，并計(jì)劃在下半年提高產(chǎn)量。西安二廠據(jù)稱正在考慮擴(kuò)建，計(jì)劃每月增加約4萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能。SK海力士據(jù)稱正在推進(jìn)新的投資，計(jì)劃將其大連二廠的產(chǎn)能擴(kuò)建至每月5萬(wàn)片晶圓。

據(jù)稱，他們也在全力以赴地在國(guó)內(nèi)新的生產(chǎn)線上尋找空間。據(jù)報(bào)道，三星電子位于平澤園區(qū)5號(hào)工廠（P5）和SK海力士位于龍仁半導(dǎo)體集群一期工廠（Y1）的新生產(chǎn)基地正在研究如何擴(kuò)大NAND閃存生產(chǎn)線。

一位半導(dǎo)體行業(yè)官員表示：“韓國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)優(yōu)先擴(kuò)大DRAM和高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能，但NAND的需求也在激增，因此應(yīng)對(duì)措施迫在眉睫。”他補(bǔ)充說(shuō)：“我們正在努力確保海內(nèi)外工廠有足夠的空間來(lái)擴(kuò)大生產(chǎn)線。”

包括鎧俠（Kioxia）和美光（Micron）在內(nèi)的海外NAND閃存制造商也在加大力度擴(kuò)大產(chǎn)能。日本鎧俠自去年以來(lái)一直在進(jìn)行擴(kuò)建投資，并計(jì)劃今年在其位于四日市的工廠每月增加約3萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能。總部位于美國(guó)的美光在新加坡投資建設(shè)的新NAND閃存工廠預(yù)計(jì)將于今年全面破土動(dòng)工，并于2028年開(kāi)始量產(chǎn)。

（來(lái)源：編譯自chosun）

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