2026年，"十五五"規(guī)劃（2026-2030年）成為各省工業(yè)政策的主戰(zhàn)場。寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga?O?）等從"十三五"的探索期進(jìn)入"十五五"的密集落地期。與五年前不同，這一輪政策不再停留于方向引導(dǎo)，而是伴隨著真金白銀的補(bǔ)貼、清晰的數(shù)字目標(biāo)、以及明確的時間表。

一場圍繞寬禁帶半導(dǎo)體的省級競賽，已經(jīng)實(shí)質(zhì)性啟動。

"十五五"為什么是關(guān)鍵窗口

"十五五"對于寬禁帶半導(dǎo)體而言，是一個特殊的政策節(jié)點(diǎn)。

從產(chǎn)業(yè)周期看，SiC/GaN正在從"替代品"變成"主流選擇"。新能源汽車800V平臺量產(chǎn)、AI服務(wù)器功率密度飆升、光伏儲能加速滲透，這些應(yīng)用場景的爆發(fā)正在將寬禁帶半導(dǎo)體從"可選項(xiàng)"推升為"必選件"。如果"十五五"期間不能完成產(chǎn)業(yè)鏈基本搭建，中國將在這個萬億級市場上繼續(xù)扮演追趕者。

從技術(shù)周期看，氧化鎵等超寬禁帶材料仍處于工程化早期，距離商業(yè)化批量應(yīng)用還有距離。"十五五"正是給這些前沿材料完成中試、可靠性驗(yàn)證、部分場景導(dǎo)入的關(guān)鍵五年，押注晚了，就只能等下一代技術(shù)再來。

各省"十五五"政策深度拆解

浙江：押注"超寬禁帶"

浙江是全國唯一將氧化鎵和金剛石寫入"十五五"新型工業(yè)化規(guī)劃的省份。

《浙江省新型工業(yè)化規(guī)劃》明確提出，到2030年全省集成電路產(chǎn)業(yè)營收目標(biāo)4500億元，并將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵并列為重點(diǎn)發(fā)展方向。這不是多賽道分散布局，而是明確押注"超寬禁帶"這條最前沿、也最難走的路線——氧化鎵禁帶寬度約4.5-5eV，比SiC高出近四成，被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的"終極材料"。

配套政策力度罕見。杭州錢塘區(qū)對晶圓制造、半導(dǎo)體材料等制造業(yè)項(xiàng)目，按實(shí)際完成固定資產(chǎn)投資額最高給予25%補(bǔ)助，潔凈室裝修補(bǔ)助最高50%，研發(fā)投入補(bǔ)助最高30%。高強(qiáng)度補(bǔ)貼背后，是浙江希望在前沿材料上實(shí)現(xiàn)"從0到1"的突破。

湖北：技術(shù)突破優(yōu)先于產(chǎn)能擴(kuò)張

湖北的路線與浙江截然不同，不爭產(chǎn)能規(guī)模，爭的是技術(shù)突破的速度。

湖北"十五五"規(guī)劃綱要將"先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料"列為重點(diǎn)發(fā)展方向，九峰山實(shí)驗(yàn)室是這條路線的核心載體。2026年4月，九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布基于國產(chǎn)同質(zhì)外延片的氧化鎵橫向MOSFET擊穿電壓突破9000V，達(dá)到國際前沿水平。

政策傳導(dǎo)鏈已經(jīng)清晰：省級規(guī)劃定方向→九峰山實(shí)驗(yàn)室出成果→國家項(xiàng)目配套資金。這種"政策-研發(fā)-產(chǎn)業(yè)"的三級傳導(dǎo)，是湖北模式的核心特征。

廣東深圳：補(bǔ)貼進(jìn)入撥付階段的務(wù)實(shí)派

如果說浙江押前沿、湖北攻技術(shù)，廣東/深圳則專注于制造落地。

2026年二季度，深圳寶安區(qū)和龍崗區(qū)的半導(dǎo)體專項(xiàng)補(bǔ)貼進(jìn)入實(shí)質(zhì)性撥付階段：

- 寶安區(qū)：4月17日啟動半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目申報(bào)，窗口期截止5月19日，資金從文件進(jìn)入撥付環(huán)節(jié)；

- 龍崗區(qū)：3月發(fā)布覆蓋重大項(xiàng)目投資、平臺建設(shè)、芯片流片、測試驗(yàn)證、企業(yè)用人成本等八大領(lǐng)域的申報(bào)指南。

補(bǔ)貼方向非常明確，流片補(bǔ)貼最高50%，設(shè)備投資有補(bǔ)助，研發(fā)投入有配套，本質(zhì)上是"誰先建成，誰先拿到錢"。

深圳的核心邏輯是不管材料有多前沿，先把產(chǎn)能建起來、把供應(yīng)鏈跑通。一種務(wù)實(shí)但有效的路徑，在SiC/GaN成熟制程上，中國企業(yè)已經(jīng)有了一定的成本優(yōu)勢，政策繼續(xù)推一把，加速替代進(jìn)程。

四川：特色工藝的錯位競爭

四川沒有選擇在SiC/GaN大產(chǎn)能上與東部省份正面競爭，而是走了特色工藝的錯位路線。

四川"十五五"規(guī)劃將化合物半導(dǎo)體特色工藝寫入重點(diǎn)方向，對晶圓制造流片補(bǔ)貼最高50%，單個企業(yè)年度補(bǔ)貼總額最高1000萬元。這個力度對于中小型設(shè)計(jì)企業(yè)而言具有實(shí)質(zhì)吸引力。

（圖源：四川科技報(bào)）

錯位競爭的核心邏輯不在成熟賽道上硬碰硬，而是在細(xì)分領(lǐng)域建立不可替代性。 成都的選擇對于吸引西部半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)落地、形成區(qū)域特色產(chǎn)業(yè)集群，有明確的政策導(dǎo)向。

安徽：不爭產(chǎn)能爭架構(gòu)

安徽的"十五五"規(guī)劃同樣寫入了半導(dǎo)體，但方向與上述省份都不同——聚焦存算一體、3D-DRAM等新型架構(gòu)。

這不是寬禁帶材料的直接布局，而是更上游的芯片架構(gòu)創(chuàng)新。安徽不參與SiC/GaN的產(chǎn)能競賽，也不押注氧化鎵的技術(shù)突破，而是選擇在下一代存儲與計(jì)算架構(gòu)上建立卡位。

甘肅武威：西部的原材料攻勢

甘肅武威以碳化硅原材料為切入點(diǎn)，目前有71個半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目落地，總投資413億元，多個SiC襯底項(xiàng)目入選省級重點(diǎn)。

武威的邏輯不是做芯片、不是做器件，而是做最上游的襯底材料。這恰好避開了東部省份的產(chǎn)能競爭，同時接入全國寬禁帶半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈體系。

（圖源：天祝縣官網(wǎng)）

西部發(fā)展半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢在于能源成本低、土地資源充足、政策支持力度大。武威的布局說明，寬禁帶半導(dǎo)體的競爭不只是東部省份的游戲，西部正在以原材料供應(yīng)商的身份接入這條產(chǎn)業(yè)鏈。

"十五五"開局之年，寬禁帶半導(dǎo)體的省級競賽不再是戰(zhàn)略口號，而是寫入規(guī)劃、撥付資金、落地產(chǎn)線的實(shí)打?qū)嵼^量。浙江押注超寬禁帶的前沿風(fēng)險，湖北追求實(shí)驗(yàn)室突破的技術(shù)代差，深圳務(wù)實(shí)推進(jìn)產(chǎn)能落地，安徽、成都、武威則各以錯位競爭尋找細(xì)分賽道。

這場"卡位戰(zhàn)"的本質(zhì)，不是一省獨(dú)大的零和游戲，而是多點(diǎn)支撐、差異化互補(bǔ)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)重構(gòu)。無論最終誰先跑通，中國功率半導(dǎo)體從追趕走向自主的格局，已然在"十五五"的規(guī)劃圖紙上加速成型。

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