前沿導讀

據(jù)新加坡媒體《聯(lián)合早報》發(fā)布的專欄新聞指出，未來的ai發(fā)展需要更大規(guī)模的算力投入，而中國半導體產(chǎn)業(yè)在基礎(chǔ)的芯片上面存在困境，這是需要直面的問題。中國半導體應該實行雙軌并行的策略，一方面積極通過合法渠道與國外企業(yè)展開合作，另一方面要加速自主技術(shù)的發(fā)展，構(gòu)建出一條可信任的替代選項，二者缺一不可。

雙軌發(fā)展

從概念上來說，一邊與國外企業(yè)建立合作、共同發(fā)展產(chǎn)業(yè)，一邊儲備力量開發(fā)自主可控的技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈，這二者并不矛盾。

華為就是一個典型的例子，華為此前是高度融入全球化發(fā)展的企業(yè)，無論是人才培養(yǎng)還是實際產(chǎn)品，都有國外體系的支撐。但是華為內(nèi)部有危機感，提前預想到了可能會有被斷供技術(shù)的情況，所以在內(nèi)部孵化了以自主可控為導向的“備胎”計劃，這一點在何庭波多年前發(fā)布的信件當中有所說明。

芯片和軟件系統(tǒng)是運轉(zhuǎn)一切科技產(chǎn)品的基石，切斷了芯片供應和軟件體系的授權(quán)，基本就相當于切斷了繼續(xù)發(fā)展科技的機會，而中國半導體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的地方恰恰就是芯片和軟件系統(tǒng)。

deep seek的出現(xiàn)，讓國際層面看到了中國企業(yè)在技術(shù)優(yōu)化上面的實力，一家中國初創(chuàng)的ai企業(yè)可以用相對較低的成本訓練出比肩美國GPT水平的大模型，這是讓國際層面感到震撼的節(jié)點。

deep seek的成功固然可喜可賀，但deep seek最初的大模型訓練，在底層芯片上采用的是此前購買的英偉達芯片，軟件生態(tài)依賴于英偉達的CUDA。

如今deep seek已經(jīng)官宣，最新的V4大模型基于華為昇騰芯片實現(xiàn)全棧適配，從英偉達的CUDA生態(tài)轉(zhuǎn)向華為的CANN框架。這是一次國產(chǎn)技術(shù)的強強聯(lián)合，也是一次脫離海外技術(shù)生態(tài)的初步嘗試。

采用英偉達芯片、在英偉達技術(shù)生態(tài)下訓練ai，deep seek所采用的思路是算法效率。通過混合專家架構(gòu)、多頭潛在注意力機制等技術(shù)創(chuàng)新，顯著降低訓練和推理的算力需求，這彰顯的是中國企業(yè)在發(fā)展策略上面探索出來的差異化競爭路線。

在國外成熟生態(tài)的加持，中國企業(yè)可以嘗試不同的技術(shù)路徑。路徑走通后，再與國內(nèi)相關(guān)企業(yè)合作，基于國產(chǎn)技術(shù)生態(tài)發(fā)展ai，最大化提升技術(shù)水平和自主可控性。

在自主生態(tài)尚未成熟、尚未能承載前沿研發(fā)重任之前，通過合規(guī)渠道獲取國際技術(shù)的支持，采用國外的芯片發(fā)展技術(shù)，旨在為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)爭取重要的時間窗口，以確保研發(fā)不被孤立，能持續(xù)對標國際前沿。

追逐戰(zhàn)

目前國際巨頭均已經(jīng)開始先進制程的軍備競賽，臺積電依靠深厚的技術(shù)底蘊持續(xù)打磨第一代EUV光刻機，使用第一代EUV光刻機制造1.4nm節(jié)點的先進芯片。英特爾、三星則是直接采購第二代EUV，試圖使用頂級設(shè)備制造1.4nm芯片來縮短與臺積電的技術(shù)差距，甚至是反超臺積電。

而中國大陸地區(qū)，自始至終都沒能獲得2018年采購那臺EUV光刻機，被卡在了采用DUV光刻機制造7nm芯片的節(jié)點。

先進芯片制造極度依賴全球化合作，ASML的曝光設(shè)備、日本的材料、美國的刻蝕、沉積、離子注入設(shè)備，幾乎每一個環(huán)節(jié)都依賴于西方技術(shù)主導的生態(tài)圈。中國企業(yè)在7nm尖端制程上的突破，更多是依賴此前購買的存量設(shè)備以及行業(yè)內(nèi)成本較高的制造技術(shù)，并非真正意義上的獨立制造能力。

華為提出了韜定律以及邏輯折疊技術(shù)，在最基礎(chǔ)的設(shè)計層面動手將電路進行堆疊式設(shè)計，在不依賴EUV的情況下提升芯片性能，緩解因缺少制造設(shè)備而造成的產(chǎn)品性能羸弱。預計2031年將核心頻率提升至5GHz，晶體管密度提升至400 MTr/mm2以上，等效1.4nm工藝。

盡管華為對于邏輯折疊技術(shù)的麒麟芯片已經(jīng)進行了目標規(guī)劃，但是臺積電、三星等廠商并不會原地踏步等著競爭對手追趕。

臺積電在官網(wǎng)上已經(jīng)發(fā)布了未來規(guī)劃：2027年量產(chǎn)A16（1.6nm）工藝，2028年量產(chǎn)A14（1.4nm）工藝。

三星則是緊追臺積電：現(xiàn)階段深耕2nm芯片，預計2029年推出1.4nm工藝，目標在2030年完成1nm研發(fā)，2031年直接量產(chǎn)1nm工藝。

在沒有解決EUV難題的情況下，盡管華為采用了全新技術(shù)來提升芯片性能和工藝，但是與國際水平相比仍然處于追逐的狀態(tài)。

這是一種在先進設(shè)備領(lǐng)域的硬件差距，僅靠用設(shè)計進行彌補是不夠的，更何況還涉及到散熱、能效、產(chǎn)業(yè)生態(tài)等多個領(lǐng)域的技術(shù)問題。解決先進設(shè)備的供應問題，依然是中國半導體產(chǎn)業(yè)未來重點推進的項目。