北京
來源：市場資訊
（來源：石墨邦）
在半導體制造、航空航天等高端領域，關鍵零部件長期暴露于超高溫、強腐蝕、高磨損的極限工況環境中。普通防護材料難以滿足長期可靠性要求，而碳化鉭（TaC）涂層憑借其卓越的耐溫性、化學惰性與高純凈度，成為化合物半導體長晶與外延工藝中不可或缺的防護解決方案。
01
碳化鉭TaC涂層技術概述
碳化鉭（Tantalum Carbide, TaC）涂層是一種超高溫陶瓷涂層材料，通過化學氣相沉積（CVD）工藝，在石墨、陶瓷等基體表面形成致密、均勻的防護層。
六項核心性能，定義了它的不可替代性——
熔點：3880℃，可在2400℃長期穩定服役
硬度：15–20 GPa（莫氏9–10，接近鉆石）
耐腐蝕：化學惰性極強，耐受強酸、強堿、H?、NH?、SiH?及腐蝕性等離子體
熱導率：22 W/(m·K)
熱膨脹系數：6.6×10??/K
純度：涂層致密無孔，雜質含量＜50ppm
02
產品核心應用場景
01
SiC單晶PVT生長:高純凈屏障
SiC單晶生長采用物理氣相傳輸（PVT）法，典型工藝溫度2200-2400℃，真空或惰性氣氛。石墨坩堝、加熱器等部件在高溫下易發生氧化、粉化、雜質析出，導致晶體缺陷（微管、位錯）升高，良率下降。
TaC涂層件的技術價值：
·耐溫耐蝕：2400℃下長期穩定，隔絕高溫腐蝕介質，石墨部件壽命延長3–5倍；
·高潔凈度：涂層致密無孔，雜質含量<50 ppm，有效阻隔石墨雜質遷移，提升單晶質量與一致性；
· 熱場穩定：涂層熱導率與石墨基體匹配，避免熱場畸變，溫場均勻性提升~15%。
02
MOCVD外延:工藝氣氛的守護者
GaN基MOCVD外延工藝中，反應腔內壁、石墨基座、氣體噴淋頭等部件長期暴露于NH?（腐蝕性）、TMGa（金屬有機物）、H?（高溫還原氣氛）環境中，無防護涂層時存在顆粒脫落、工藝污染等風險。
TaC涂層件的核心優勢：
· 強化學惰性：耐受NH?、SiH?等腐蝕性氣體，不與反應氣體發生反應，保障外延薄膜純度；
· 耐磨抗沖刷：硬度15–20 GPa，能抵御工藝氣體高速沖刷，降低顆粒雜質產生，減少器件缺陷；
·定制化適配：可根據設備需求，在不同石墨基體上沉積可控厚度涂層，適配各類外延部件。
來源：晶升股份
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