江蘇
受AI熱潮的推動，HBM在這幾年實現快速發展，迭代速度顯著加快，成為市場上最受追捧的DRAM技術之一。
去年，SK海力士就憑借向英偉達大規模供應HBM3和HBM3E，一度超越三星領跑DRAM市場，這也促使三星加快了相關技術研發的步伐。
據韓媒ETnews等報道，三星電子正在開發一種獨特的封裝技術，目的是讓智能手機和平板電腦等移動設備也能夠使用HBM芯片，從而讓這些移動設備也能運行本地AI計算平臺。
目前，HBM主要應用于服務器和數據中心領域，而移動設備使用的DRAM普遍采用銅線鍵合或引線鍵合技術，這種技術使得I/O引腳數量局限在128至256個，不僅存在較大的信號損耗，散熱效率也不足，難以滿足端側AI對高帶寬、低功耗的需求。
針對這一瓶頸，三星計劃采用超高縱橫比銅柱，結合扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術，同時對現有的垂直銅柱堆棧（VCS）技術進行改進，最終達到適配HBM內存的目的。在VCS技術上，三星已經實現了關鍵創新，將銅柱的縱橫比從現有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，因此可以在有限的移動設備空間內塞入更多銅線，顯著提升帶寬。
目前，該封裝方案此前已應用于Exynos 2600等系統級芯片，能有效增強散熱能力和持續工作負載性能，這也給三星一點信心。
不過，縱橫比的提升會導致銅柱直徑縮小，一旦直徑低于10微米，銅柱就可能出現彎曲甚至斷裂的情況，影響結構可靠性，所以FOWLP技術的作用就是通過對芯片進行模塑處理，將布線向外部延伸，從而起到了支撐銅柱、防止變形的作用，同時引腳數量也能相應增加。
經測算，這套方案可使帶寬提升15%-30%，還能實現超過1.5倍的內存堆疊數量，所以該封裝技術也被命名為“多層堆疊FOWLP”。
目前，這項移動HBM封裝技術仍處于研發階段，具體的商用時間尚未明確。
從時間表推斷，該技術有望在Exynos 2800或Exynos 2900上試用，其中Exynos 2800已經三星自研GPU，因此使用HBM內存的可能性非常大。不過有業內人士表示，由于服務器、數據中心等領域對HBM的需求短期內仍將保持強勁，所以移動HBM的研發和量產速度可能會略滯后于計劃。另外，成本問題也是HBM落地移動終端的門檻。
傳言蘋果也要在手機上使用HBM，不過當前存儲器價格偏高，其他智能手機廠商都在選擇觀望，只有待價格穩定后才會評估其經濟可行性。
因此，未來數年內，移動設備提升本地AI能力的主要方式仍將集中在芯片算力優化和存儲系統升級上。
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