AI算力的狂飆，正在重塑整個半導體產業的需求邏輯。而在這條產業鏈上，有一個“賣鏟子”的賽道正迎來確定性爆發——半導體設備。

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半導體設備，坐上“快車”

2025年，存儲市場的漲價潮貫穿全年。疊加HBM（高帶寬內存）與DDR5需求的集中爆發，以及全球行業巨頭的擴產動作，半導體設備市場直接坐上了需求增長的“快車”，成為最大受益領域之一。

國際半導體產業協會（SEMI）近日發布的《半導體設備年終預測——OEM視角》報告給出了明確信號：預計2025年全球半導體設備原始設備制造商（OEM）的半導體制造設備總銷售額將達到創紀錄的1330億美元，同比增長13.7%。預計未來兩年半導體制造設備銷售額將繼續增長，2026年和2027年分別達到1450億美元和1560億美元。這一增長主要得益于AI相關投資的推動，尤其是在尖端邏輯電路、存儲器以及先進封裝技術的應用方面。

從細分領域來看，增長脈絡同樣清晰可辨。SEMI指出，晶圓制造設備（WFE）領域2024年創下1040億美元的銷售額紀錄后，預計到2025年將增長11.0%，達到1157億美元。這一預測值較SEMI 2025年中期設備預測中的1108億美元有所上調，反映出為支持AI計算，DRAM和高帶寬內存（HBM）領域的投資力度超出預期。

全球存儲廠商的擴產與技術升級動作，正成為拉動半導體設備需求的核心引擎。

國內方面，根據長鑫招股書，其募集資金將重點投向三大方向“存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目”（擬投入75億元）、“DRAM存儲器技術升級項目”（擬投入130億元）及前瞻研發項目。上述一系列項目的落地，有望直接帶動半導體設備市場需求增長。

國際存儲龍頭同樣動作頻頻，韓國兩大存儲芯片企業三星與SK海力士正加速推進內存產能擴張。其中三星電子近期不僅提高了韓國本土DRAM和NAND閃存生產線的運行效率，更將資源集中于HBM等高端產品的制造。此外，該公司已于11月重啟平澤第五工廠的建設工作，計劃于2028年啟動量產，旨在增強其在先進存儲技術領域的供應能力。

與此同時，SK海力士位于清州的M15X新工廠已進入投產前的關鍵準備階段，該工廠將專注于DRAM及面向AI應用的存儲解決方案。據業內高層透露，SK海力士正力爭在2027年之前完成龍仁半導體園區內的首座晶圓廠建設，該項目整體規模相當于六座M15X級別工廠，顯示其對未來市場需求的積極布局。值得注意的是，SK海力士的DRAM月產能為50萬片晶圓，即使加上M15X芯片，也只能達到55萬片。相比之下，三星電子的月產能高達65萬片晶圓。

SEMI數據顯示，預計到2026年，韓國將重回全球芯片設備支出第二位，達到約296.6億美元，較2025年預計的233.2億美元增長27.2%。這一顯著增幅，直觀反映出全球存儲器相關需求帶動下，韓國半導體領域資本支出的強勁反彈態勢。

從全球半導體設備投資格局的階段性變化來看，2025年中國臺灣仍將以約261.6億美元的投資額位居全球第二，略微領先于韓國；但到2026年，這一排名將發生逆轉——韓國將重回第二位，而中國大陸仍將穩居首位，預計當年在半導體設備領域的投入將達到約392.5億美元。

那么，隨著存儲市場熱度攀升，核心帶動了哪些半導體設備品類？

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這些半導體設備，熱度飆升

存儲芯片的進化史，本質是一部“空間爭奪戰”。從2D平面到3D堆疊，NAND閃存層數已突破400層大關，未來還將向1000層邁進。DRAM向垂直通道晶體管（VCT）演進，HBM通過硅通孔（TSV）技術實現芯片垂直互聯。這種技術躍遷對半導體設備提出了顛覆性要求。

其中 3D NAND擴產、DRAM技術演進對刻蝕/沉積設備拉動最強，HBM擴產則額外提升光刻、ALD、混合鍵合等設備需求。

3D NAND/DRAM，刻蝕、沉積設備需求激增

刻蝕設備就像半導體制造的“精密雕刻刀”，核心作用是按預設圖形，選擇性去除晶圓表面不必要的材料。

與2D NAND時代刻蝕僅作為光刻配套工序不同，3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數。刻蝕要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結構上，加工 40：1 到 60：1 的極深孔或極深的溝槽，3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比。

以某種 3D NAND 技術路線為例，在 150 k/月假定產能下，隨著堆疊層數的增加，刻蝕設備用量占比不斷攀升，當 3D NAND 層數從 32 層提升到 128層時，刻蝕設備使用量占比從 34.9%上升到 48.4%；對于不同技術節點各個刻蝕工藝刻蝕設備用量情況，對于不同堆疊層數 3D NAND，CMOS 驅動部分的刻蝕設備用量需求不變，Array 存儲結構刻蝕設備數量的變化比較明顯，其中涉及的刻蝕工藝為溝道孔洞（Channel Hole）、臺階（Stair Step）、狹縫（Slit）、接觸孔（Contact Via）和清理（Clear Out）。由于臺階刻蝕單次形成的臺階數量固定，因此設備數量需求幾乎正比于堆疊層數。另一方面，隨著堆疊層不斷升高，待刻蝕膜厚相應增加，溝道通孔、狹縫和接觸孔的刻蝕加工時間會變長甚至翻倍，單設備的 WPH 下降導致工藝設備數量需求增加。

SEMI預測，2026-2028年間全球存儲領域設備支出將達1360億美元，其中3D NAND相關投資占比超40%，而刻蝕設備作為核心環節，將持續享受這一波擴產紅利。

DRAM 也有類似的 3D 堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕設備的需求量和性能要求呈指數級增長。

如果說刻蝕是“減法”，那薄膜沉積就是“加法”——通過在晶圓表面交替堆疊導電膜、絕緣膜等材料，為半導體器件構建基礎疊層結構。3D NAND層數越多，需要的沉積步驟就越多，對沉積設備的需求自然同步爆發。比如，從24層到232層3D NAND，每層均需要經過薄膜沉積工藝步驟，催生更多的薄膜沉積設備需求。

薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD），此外還會少量使用電鍍、蒸發等其他工藝。近年來還出現了較為先進的原子層沉積（ALD），用于精細度要求較高的沉積。

其中ALD設備相比于CVD和PVD設備，可以實現高深寬比、極窄溝槽開口的優異臺階覆蓋率及精確薄膜厚度控制，因此在由2D轉為3D堆疊結構的NAND Flash工藝中的需求占比會增加。根據東京電子的披露，在Flash芯片產線的資本開支占比中，2D時代的薄膜沉積設備占比為18%，3D時代的占比為26%。同時，隨著層數的不斷增加，深寬比進一步增大，需要的ALD設備更多。HBM，光刻、ALD、鍵合設備需求陡增

HBM便是通過垂直堆疊多層DRAM芯片（通常4-16層），每層容量可達2-24GB，利用TSV技術形成高密度存儲單元。

除刻蝕、薄膜沉積設備外，HBM 對光刻設備及混合鍵合設備同樣提出更高要求。

光刻設備需求升級核心源于DRAM制程微縮與HBM高密度互聯對圖形化精度的極致要求。DRAM第六代制程（D1c）已規模化應用EUV光刻，三星、美光、SK海力士雖路線差異化，但均依賴EUV實現精度突破；相較于ArFi光刻，13.5nm波長的EUV可減少多重圖案化依賴，為VCT架構成型提供支撐。HBM領域，TSV接口倍增（HBM4達2048個）與線路微米級間距，進一步推高EUV光刻需求優先級。

混合鍵合設備是HBM制造過程中的關鍵設備之一。現階段HBM3/3E（8–12層）主要依賴傳統微凸塊（Micro Bump）技術，采用的熱壓鍵合（TCB）設備以TC-NCF（非導電薄膜熱壓鍵合）與TC-MUF（模塑底部填充熱壓鍵合）兩條路線并行發展。然而，隨著堆疊層數的增加，傳統TC-NCF的散熱問題被逐漸放大，TC-MUF技術成為新一代HBM量產的主流技術。未來伴隨著層數進一步增加以及總高受限的大前提，混合鍵合則被視為未來HBM進一步演進的關鍵。

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設備國產化，進階之路

伴隨 3D NAND、DRAM 及 HBM 等存儲芯片技術的快速迭代，刻蝕、薄膜沉積、混合鍵合三類核心設備的需求將持續爆發，成為推動存儲產業升級的關鍵支撐；與此同時，清洗、離子注入、快速熱處理、涂膠顯影、封裝檢測、電鍍、拋光等配套設備，也受益于晶圓廠擴產浪潮與存儲市場激增態勢實現需求大幅增長，共同構筑起存儲芯片制造的完整設備體系。

刻蝕設備方面，主要代表廠商有中微公司、北方華創、屹唐半導體等。中微公司是刻蝕設備的領軍企業，其 CCP 設備已實現對 28 納米以上絕大部分應用的全面覆蓋，并在 28 納米及以下節點取得重要進展。在 3D NAND 芯片的高深寬比刻蝕和邏輯芯片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，被全球頂級芯片制造商所采用。

北方華創的 CCP 設備在 8 英寸產線的硅刻蝕、介質刻蝕應用中已占據主導地位，在 12 英寸產線也成功應用于硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。

屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法設備業務部門，2015 年通過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心設備產品線。

薄膜沉積設備方面，涌現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導納米等一批薄膜沉積設備制造商。拓荊科技深耕薄膜沉積設備領域，形成了以 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 等薄膜設備系列產品，在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造等領域得到廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。

中微公司早在 2023 年就有薄膜設備運抵客戶，主要為 CVD/HAR/ALD W 鎢設備，TiN/TiAI/TaN ALD 設備。2025年Q3 財報顯示，中微公司為先進存儲器件和邏輯器件開發的 LPCVD、ALD 等多款薄膜設備已經順利進入市場。

北方華創是國內 PVD 龍頭，稀缺性較強，且在 LPCVD、APCVD、ALD 領域也有所布局。微導納米依靠 ALD 設備起家，是國內首家成功將量產型 High-k ALD 應用于 28nm 節點集成電路制造前道生產線的國產設備公司。盛美上海以清洗設備起家，正逐漸往平臺型設備公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。

鍵合設備方面，國內廠商在混合鍵合領域取得明顯進展。

青禾晶元2025年發布的全球首臺獨立研發C2W&W2W雙模式混合鍵合設備SAB82CWW系列，已陸續完成交付并通過市場驗證。該設備在存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領域展現了廣泛的應用前景。

拓荊科技依托薄膜沉積技術積累，其開發的Dione 300系列晶圓對晶圓（W2W）鍵合設備，可實現常溫下多材料表面的高精度鍵合，廣泛應用于3D IC、先進封裝和CIS等高端領域。Dione 300 eX則應用用于W2W高精度混合鍵合，已發貨至客戶端驗證。配套推出的Pollux系列芯片對晶圓（D2W）鍵合表面預處理設備，形成“預處理+鍵合”的完整解決方案，在對準精度與鍵合強度等核心指標上接近國際一流水平。還推出了芯片對晶圓（C2W）混合鍵合設備Pleione 300，主要應用于HBM、芯片三維集成領域，正在進行產業化驗證。

邁為股份聚焦半導體泛切割、2.5D/3D先進封裝，提供封裝工藝整體解決方案，成功開發了晶圓混合鍵合、晶圓臨時鍵合、D2W TCB鍵合等設備。

熱壓鍵合（TCB）設備也成為 CIS、3D IC 封裝的核心支撐，青禾晶元 SAB6310已成功導入頭部客戶 CIS 產線。引線鍵合設備在功率半導體、LED 封裝領域需求穩定，奧特維、新益昌、微宸科技等廠商的設備以高性價比和穩定性能，占據國內中小封測廠主要市場。此外，臨時鍵合/解鍵合、常溫鍵合設備快速興起，芯源微的臨時鍵合機KS-C300-2TB及解鍵合機KS-S300-1DBL，專為Chiplet技術量身打造，兼容國內外主流膠材工藝，可適配60μm及以上超大膜厚涂膠需求。

在國產化浪潮與政策扶持雙重驅動下，國內設備企業正逐步打破國際壟斷，在不同細分領域實現從技術突破到量產應用的跨越，但高端制程領域的差距仍客觀存在。