前沿導讀

荷蘭高科技學院董事總經理瑞尼·雷吉梅克在接受采訪時表示，發展國產的光刻技術確實可以學到很多，但是把研發光刻機的錢投資到其他領域或許會有更好的效果。你當然也可以去復制ASML的技術路線，但你越是復制，你就越落后。探索一些新技術可能會有回報，如果只知道照搬復制，那么最終結果只能是淪為他人的跟隨者。

復制技術

通過逆向工程的方法去復制競爭對手的技術設備，并且在后來的發展中壓制對方，這個情況是真實存在的。

80年的光刻機霸主是美國GCA公司，其次是美國的珀金埃爾默公司。

1978年，GCA公司推出了世界第一臺自動化步進投影式光刻機，分辨率達到1:10，并且每曝光完一塊芯片后，自動挪到下一塊。盡管該光刻機的售價達到了45萬美元一臺，但是依然供不應求。雖然該產品不是行業內的第一臺曝光機，但是該產品開創了具有現代意義的光刻機產品，后續的DUV和EUV光刻機均屬于該類型的產品。

隨著光刻機進入投影時代，鏡頭的質量尤為重要。日本的佳能和尼康是傳統的光學企業，在光學鏡頭領域有著先天優勢，所以這兩家企業在日本政府推動的超大規模集成電路計劃中成為了指定的光刻機制造商。

在起步階段，尼康為了縮短研發時間，便與日本NEC公司達成合作，以NEC公司的名義采購了一臺美國GCA的光刻機，隨后該光刻機被尼康團隊的工程師進行拆解，通過逆向工程的方法推導出了整個光刻機的制造流程。

1981年，尼康首款光刻機宣布上市。但是技術機構與購買客戶都發現尼康的光刻機與GCA的光刻機非常相似，從框架到晶圓臺，從晶圓臺到對準系統，幾乎一模一樣。為了壓制GCA，尼康還破天荒的搞起來了客戶服務。

GCA的光刻機里面只有一套說明，而尼康的光刻機里面除了說明，還有5名工程師的服務包，這極大增強了尼康光刻機的可靠性與市場口碑。

彼時的美國GCA對于尼康復制其技術的行為毫不在意，并且還宣稱尼康的光刻機不可能達到GCA的水平，尼康的光刻機看似賣的不錯，實際上都是日本國內企業自己消化了。

隨著日本半導體技術的崛起與美國企業的狂妄自大，GCA開始走下坡路，讓出來的市場份額被日本企業吞并了一大半。尼康憑借著照搬復制的方法，成為了光刻機產業新一代的霸主。美國GCA由于經營問題被硅谷集團收購，隨后硅谷集團又在2001年被荷蘭ASML收購。

2008年，ASML宣布與臺積電聯合開發的浸潤式光刻機NXT：1950i研發完成準備交付。該設備采用了臺積電研發處長林本堅新開創的浸潤式技術，照明波長為134nm，并且同時支持雙工作臺運行。

浸潤式光刻機的推出，直接革了日本光刻機的技術命脈，ASML接替尼康和佳能，成為了光刻機產業的龍頭老大。尼康在后來也推出了浸潤式光刻機，但是ASML又制造了EUV光刻機，EUV的推出，讓ASML徹底站穩了光刻機老大的地位。

技術革新

現在中國芯片產業所存在的最大瓶頸就是先進的光刻機設備，制造國產7nm芯片可以用ASML的浸潤式加上自對準多重圖案化技術來解決，但是想要繼續發展晶體管數量更多、性能更強并且涉及到ai訓練的先進芯片，EUV設備是必須要解決的問題。

繼續沿用老方法所帶來的后果一方面是性能提升幅度小，另一方面就是良品率很低，經濟投入巨大。

想要解決現在的困境，可行的路線有兩條。

一條是走傳統光刻技術，采用與ASML一樣的LPP技術（激光轟擊錫滴產生等離子體），或者是采用LDP技術（激光誘導放電等離子體），另一條路線就是采用納米壓印等非傳統的技術手段。

采用與ASML一樣的LPP技術，會涉及到國外的技術專利，單是蔡司的光學成像專利就已經達到了1500項以上，除此之外還有ASML的對準專利和美國西盟的激光器專利。如果走這條路線，那么專利壁壘是一個困難度極高的挑戰，需要從頭開發各項零件，這也是國產EUV光刻機研發20年以上的核心原因。

LDP技術已經有國內企業在持續推進，但是由于其采用的技術邏輯與主流的LPP不同，整個供應鏈都需要重新調整，還需要花費大量時間解決設備量產和芯片良率的問題。

而納米壓印屬于非傳統路線，目前只有日本佳能和中國璞璘科技在進行商業化發展。

佳能已經將納米壓印技術應用到先進存儲芯片的制造中，由于先進邏輯芯片的每層圖案復雜，而且圖案樣式都不一樣，采用納米壓印技術會導致其出現圖案偏差從而降低良品率，所以納米壓印一直沒有成為主流的芯片制造技術。

璞璘科技的納米壓印設備已經交付給了國內特色工藝的客戶進行使用，市場化發展良好，但目前的技術設備還無法解決先進邏輯芯片的制造問題。