厚度計(jì)量領(lǐng)域的潛在市場規(guī)模高達(dá)3萬億韓元，約為套刻市場規(guī)模的兩倍。

AUROS Technology 正在與一家韓國大型芯片制造商合作，對其超精密薄膜厚度測量設(shè)備進(jìn)行資格測試，如果能夠確保大規(guī)模供應(yīng)，則有可能為公司帶來超過 1000 億韓元的年收入。據(jù)業(yè)內(nèi)人士4月2日透露，該公司自去年第三季度起已向客戶交付多套“厚度”計(jì)量系統(tǒng)用于認(rèn)證測試。據(jù)悉，評估工作進(jìn)展順利。AUROS的目標(biāo)是在年內(nèi)完成認(rèn)證流程并獲得正式訂單。該厚度測量系統(tǒng)是一種計(jì)量工具，能夠以埃級精度（相當(dāng)于1納米級）測量沉積在半導(dǎo)體晶圓上的薄膜厚度。1埃等于0.1納米，10埃等于1納米。該工具可測量大多數(shù)前端半導(dǎo)體工藝（包括刻蝕、沉積和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)）中的薄膜厚度、均勻性和平面度。這有助于及早發(fā)現(xiàn)缺陷晶圓，從而提高良率并降低生產(chǎn)成本。與AUROS Technology現(xiàn)有的套刻測量工具相比，該厚度測量系統(tǒng)具有更廣泛的適用性。套刻測量用于檢測晶圓上上下電路圖案的對準(zhǔn)情況，通常在光刻工藝前后進(jìn)行。AUROS 估計(jì)，厚度計(jì)量領(lǐng)域的潛在市場規(guī)模高達(dá) 3 萬億韓元，約為套刻市場規(guī)模的兩倍。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步和多層結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，對精確薄膜測量的需求日益增長。薄膜前端計(jì)量市場歷來由KLA公司和應(yīng)用材料公司等全球設(shè)備制造商主導(dǎo)，這反映出該領(lǐng)域技術(shù)壁壘較高。在國內(nèi)設(shè)備供應(yīng)商中，AUROS是唯一一家掌握相關(guān)技術(shù)的公司。該技術(shù)首先在其研發(fā)中心進(jìn)行研發(fā)，隨后于2021年在新工廠進(jìn)行試生產(chǎn)，歷時(shí)約四年達(dá)到目前的認(rèn)證階段。該公司將厚度計(jì)量視為其長期增長的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。一位業(yè)內(nèi)人士表示，全球設(shè)備供應(yīng)商在保持高利潤率的同時(shí)，不斷提高價(jià)格。他還補(bǔ)充說，三星電子有限公司和SK海力士公司等芯片制造商正尋求通過扶持本地供應(yīng)商和推進(jìn)本地化來增強(qiáng)定價(jià)優(yōu)勢并實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈多元化。AUROS Technology的紅外(IR)套刻計(jì)量工具HE-900ir目前正在兩家國內(nèi)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)制造商進(jìn)行認(rèn)證測試。該系統(tǒng)專為下一代HBM生產(chǎn)中的晶圓間(W2W)混合鍵合工藝而設(shè)計(jì)，用于測量晶圓對準(zhǔn)和鍵合位置精度。該公司近期目標(biāo)是年?duì)I收突破1000億韓元，預(yù)計(jì)達(dá)到這一水平后，經(jīng)營杠桿將顯著提升盈利能力。AUROS去年公布的合并營收為521億韓元，營業(yè)虧損83億韓元，由盈轉(zhuǎn)虧。

當(dāng)前的芯片制造霸主臺(tái)積電計(jì)劃2030年實(shí)現(xiàn)1nm（A10節(jié)點(diǎn)）的量產(chǎn)，并計(jì)劃在單個(gè)封裝內(nèi)集成超過1萬億個(gè)晶體管。1nm工藝將服務(wù)于AI、量子計(jì)算、自動(dòng)駕駛等高性能領(lǐng)域，滿足超低功耗和高算力需求。據(jù)悉，IBM 正尋求與日本 Rapidus 公司建立長期合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā) 1 納米以下芯片。在 2 納米合作的基礎(chǔ)上，IBM 已向 Rapidus 位于北海道的工廠派遣工程師，標(biāo)志著兩家公司在追求下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)以及日本加大對芯片創(chuàng)新投資的背景下，雙方的合作關(guān)系將更加深入。

報(bào)道稱，IBM 半導(dǎo)體研發(fā)部門總經(jīng)理 Mukesh Khare 表示，IBM 希望與 Rapidus 建立長期合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)下一代半導(dǎo)體技術(shù)。除了目前在 2nm 芯片量產(chǎn)方面的合作外，IBM 還希望與 Rapidus 繼續(xù)在更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)上開展合作。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商之一，三星一直在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域保持著領(lǐng)先地位。為了實(shí)現(xiàn)1nm芯片的量產(chǎn)，三星在技術(shù)研發(fā)和工藝優(yōu)化方面做出了大量努力。首先，三星引入了“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術(shù)，這一技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片的功率效率。其次，三星在光刻技術(shù)方面也取得了顯著進(jìn)展，成功實(shí)現(xiàn)了多次曝光和精準(zhǔn)定位等關(guān)鍵技術(shù)。此外，三星還在新材料、新工藝等方面進(jìn)行了大量研究，為1nm芯片的量產(chǎn)提供了有力支持。

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