4月3日消息，據(jù)彭博社報道，美國共和黨眾議員邁克爾·鮑姆加特納（Michael Baumgartner）聯(lián)合兩黨議員，于當(dāng)?shù)貢r間周四向眾議院提出了一項名為《硬體技術(shù)管制多邊協(xié)調(diào)法案》（MATCH Act）的提案，希望強(qiáng)化對荷蘭ASML和日本TEL等盟友國家的半導(dǎo)體設(shè)備制造商的對華出口，以進(jìn)一步遏制中國半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展。

美國參議院方面，議員皮特·里基茨（Pete Ricketts）與安迪·金（Andy Kim）也將同步提出配套版本。知情人士稱，面向參議院的“MATCH Act”版本預(yù)計將于本月晚些時候推出。

MATCH Act主要內(nèi)容

1、MATCH Act對“受關(guān)注國家”（包括中國）全面禁止出口關(guān)鍵半導(dǎo)體制造設(shè)備（SME），具體包括：

①浸沒式深紫外（DUV）光刻設(shè)備

目前全球僅荷蘭ASML和日本尼康（Nikon）能生產(chǎn)浸沒式DUV光刻機(jī)，這類設(shè)備通過多重曝光最高能夠支持7nm制程芯片的制造。

在美國的施壓下，荷蘭政府曾在2023年出臺了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例，限制了部分先進(jìn)的浸沒式DUV的對華出口。但ASML得益于此前從荷蘭政府那里所取得的出口許可證，依然在2023年底之前向大多數(shù)的應(yīng)用于次關(guān)鍵和成熟制程的中國晶圓制造商出口了一系列浸沒式DUV光刻系統(tǒng)，包括NXT:1980Di，以及被禁的NXT:2050i、NXT:2100i高階浸沒式DUV光刻系統(tǒng)等。即便該許可證失效后，其NXT:1980Di依然是可以對華出口的。

②低溫蝕刻設(shè)備

低溫蝕刻設(shè)備是3D NAND、先進(jìn)封裝等高深寬比工藝的核心工具。目前在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域主要供應(yīng)商為美國應(yīng)用材料和泛林集團(tuán)，以及日本的TEL。

其中，日本TEL擁有完整的刻蝕產(chǎn)品線。比如其主力刻蝕設(shè)備（如用于存儲器生產(chǎn)的超高深孔刻蝕機(jī)）在工藝過程中廣泛采用了低溫技術(shù)來控制化學(xué)反應(yīng)、保護(hù)光刻膠并實現(xiàn)高深寬比。

2、定向打擊五家中企

MATCH Act 計劃將SMIC（中芯國際）、YMTC（長江存儲）、CXMT（長鑫存儲）、Huahong Group（華虹集團(tuán)）、Huawei（華為） 五家中企及其子公司和關(guān)聯(lián)企業(yè)列入“受管制設(shè)施”，實施全面出口限制。

需要指出的是，在此之前，除CXMT之外，其他四家中企都已經(jīng)被列入“實體清單”。而最新的限制措施則是“實體清單”的升級版，限制更為嚴(yán)格，不僅全面禁止出口，還將禁止任何維修服務(wù)和技術(shù)支持。

3、強(qiáng)制日荷等盟友在150天內(nèi)對齊出口管制政策

MATCH Act要求日本、荷蘭等盟國在150天內(nèi)，將其對華半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制措施與美國最新的MATCH Act的出口管制政策對齊。

比如，在設(shè)備維護(hù)和技術(shù)支持方面，對被列入實體清單的中企，美企一律是被禁止向他們提供維修和技術(shù)支持，非實體清單內(nèi)的企業(yè)則是不受影響的。但是，在美國2022年10月出臺的一系列針對中國大陸的半導(dǎo)體出口管制措施中則有了新的限制，其中一條就要求“美國人”在未取得許可的情況下，不得支持某些在中國境內(nèi)從事半導(dǎo)體制造“設(shè)施”開發(fā)或生產(chǎn)集成電路的實體提供支持。

隨后在2023年，荷蘭和日本出臺針對半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制政策，并未要求禁止對已經(jīng)銷售給中國客戶的被列入限制范圍的設(shè)備中斷維修和技術(shù)支持。并且，荷蘭和日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策當(dāng)中，也并未有相應(yīng)的對本國人的限制條款。因此，荷蘭、日本半導(dǎo)體廠商對其在華銷售的半導(dǎo)體設(shè)備一直都是有提供維護(hù)和技術(shù)服務(wù)的。

如果荷蘭和日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策被迫與美國對齊，那么相關(guān)已經(jīng)對華銷售的設(shè)備的后期維修和技術(shù)服務(wù)將會受到嚴(yán)重影響。

為了迫使荷蘭和日本等盟友在150天內(nèi)對齊美國的出口管制政策，MATCH Act還提出，美國商務(wù)部應(yīng)該運(yùn)用"外國直接產(chǎn)品規(guī)則"（Foreign Direct Product Rule），實施單邊管制，即盟國的企業(yè)所生產(chǎn)的設(shè)備只要含有美國的軟件、技術(shù)或零部件，均屬于美國出口管制范圍，直接限制對華出口。

小結(jié)：

MATCH Act的提出，標(biāo)志著美國對華半導(dǎo)體管制從“單邊施壓”正式邁入“強(qiáng)制多邊對齊”的新階段。其核心邏輯清晰而激進(jìn)：既然盟友的管制力度不如美國，那就通過立法強(qiáng)壓日荷在150天內(nèi)同步升級，否則動用“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”實施長臂管轄。這意味著，即便ASML和TEL的設(shè)備不完全依賴美國技術(shù)，只要含有美國成分，就可能被納入管制范圍——這種做法無異于將美國國內(nèi)法凌駕于全球貿(mào)易規(guī)則之上。

從戰(zhàn)略意圖看，美國此次精準(zhǔn)鎖定“光刻+刻蝕”兩大核心設(shè)備品類，直指芯片制造的“卡脖子”環(huán)節(jié)。浸沒式DUV是成熟制程向先進(jìn)制程過渡的關(guān)鍵，低溫蝕刻則是3D NAND、先進(jìn)封裝等高深寬比工藝的核心工具。兩項設(shè)備同時被禁，意圖明顯：延緩中國從成熟制程向先進(jìn)制程的爬坡速度，同時遏制存儲芯片的產(chǎn)能擴(kuò)張。

從被點名的五家企業(yè)來看，涵蓋了中國領(lǐng)先的邏輯制造和存儲制造企業(yè)，覆蓋中國半導(dǎo)體制造的戰(zhàn)略支點。更值得警惕的是，MATCH Act要求禁止維修和技術(shù)支持——這意味著已購設(shè)備的未來正常運(yùn)行也可能受影響，殺傷力遠(yuǎn)超單純的新設(shè)備禁售。

不過，MATCH Act能夠正式成為生效的法案仍面臨多重變數(shù)。

首先是美國內(nèi)部黨派不同派系能否達(dá)成一致的意見，美國本土企業(yè)能否坐視自身在華利益受損，美國總統(tǒng)最終是否會簽署這項可能激化中美矛盾，破壞與荷蘭和日本盟友關(guān)系的法案。

其次是荷蘭和日本這兩個盟國能否配合，畢竟他們也需要維護(hù)本國企業(yè)的利益，之前的出口管制政策已經(jīng)引發(fā)了一些負(fù)面影響。

第三，是執(zhí)行難度。“外國直接產(chǎn)品規(guī)則”雖然威力巨大，但過度使用可能引發(fā)全球供應(yīng)鏈的劇烈震蕩，甚至倒逼非美技術(shù)體系的加速獨(dú)立。

對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，MATCH Act若最終通過，那么短期內(nèi)無疑將帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：先進(jìn)設(shè)備獲取進(jìn)一步受阻、存量設(shè)備維護(hù)存疑、成熟產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)受限。但長期看，這或?qū)⑦M(jìn)一步堅定中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的決心。

正如過去幾年的經(jīng)驗所示，“封鎖”往往催生“突圍”——國產(chǎn)刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，光刻設(shè)備研發(fā)也在加速推進(jìn)。美國的“鐵幕”，正成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正走向獨(dú)立自主的催化劑。

編輯：芯智訊-浪客劍