河南
快科技4月14日消息，英特爾近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化鎵（GaN）晶圓，成功打造出全球最薄的氮化鎵芯片。該公司已將硅襯底厚度縮減至19微米（μm），相當(dāng)于人類頭發(fā)直徑的五分之一，標(biāo)志著半導(dǎo)體設(shè)計領(lǐng)域的重大飛躍。
與此同時，英特爾還實現(xiàn)了業(yè)界首個氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成，將復(fù)雜的計算功能直接嵌入功率芯片內(nèi)部，無需分立輔助芯片，從而簡化了架構(gòu)，并降低了組件之間的能量損失。
這一創(chuàng)新的需求源于現(xiàn)代電子行業(yè)的一個根本性挑戰(zhàn)：在更緊湊的空間中容納更多功能，同時實現(xiàn)更高的處理效率、功率、速度與能效。
經(jīng)過英特爾的嚴(yán)格測試，該氮化鎵晶體管可承受高達(dá)78V的電壓，并實現(xiàn)超過300GHz的射頻截止頻率，完全滿足高頻通信應(yīng)用的需求。集成的數(shù)字邏輯庫運行可靠，反相器開關(guān)速度快至33皮秒（ps），且在高溫高壓環(huán)境下仍能保持高度的性能一致性。
與傳統(tǒng)基于CMOS工藝的硅芯片相比，氮化鎵芯片具備硅基材料在物理極限下無法比擬的綜合優(yōu)勢。
英特爾表示，這項新技術(shù)是一個有前景的候選方案，能夠滿足實際部署所需的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，使電子設(shè)備變得更小、更高效，適用于從數(shù)據(jù)中心到下一代5G/6G通信等各種應(yīng)用場景。
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