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三星電子正在加速研發(fā)其第七代高帶寬內(nèi)存（HBM）“HBM4E”。據(jù)報(bào)道，該公司計(jì)劃下個(gè)月完成首個(gè)達(dá)到預(yù)期性能指標(biāo)的HBM4E樣品的研發(fā)。在此基礎(chǔ)上，三星計(jì)劃在完成內(nèi)部驗(yàn)證后向客戶(hù)交付該產(chǎn)品。此前，三星已正式宣布業(yè)界首款量產(chǎn)的第六代HBM（HBM4）上市，此舉旨在鞏固其在下一代HBM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士16日透露，三星電子計(jì)劃下月生產(chǎn)首批HBM4E芯片樣品。該公司計(jì)劃在下月中旬之前，由其晶圓代工部門(mén)生產(chǎn)出HBM4E的“大腦”——邏輯芯片樣品，該芯片的性能相比上一代產(chǎn)品有了顯著提升——并將其交付給內(nèi)存部門(mén)。計(jì)劃是將這些樣品與HBM4E DRAM封裝在一起。據(jù)悉，三星電子將向英偉達(dá)提供經(jīng)過(guò)內(nèi)部評(píng)估并達(dá)到預(yù)期性能標(biāo)準(zhǔn)的樣品。

此前，三星電子在今年3月舉行的NVIDIA年度開(kāi)發(fā)者大會(huì)“GTC 2026”上展示了HBM4E的實(shí)物樣品。然而，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為該產(chǎn)品僅僅是用于展示的樣品。三星電子似乎尚未生產(chǎn)出能夠滿(mǎn)足NVIDIA等客戶(hù)性能要求的真正意義上的樣品。

三星電子計(jì)劃加速HBM4E的研發(fā)，以鞏固其在下一代HBM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。此前，三星宣布，憑借先進(jìn)的制造工藝，該公司已成功實(shí)現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)出貨，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。三星解釋說(shuō)，其在HBM4邏輯芯片和HBM4 DRAM方面均采用了優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光的工藝，從而擁有性能優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，該公司目前正全力提升盈利能力。

三星電子在HBM4E的邏輯芯片上采用了與HBM4相同的4nm制程工藝，并在DRAM芯片上采用了10nm級(jí)第六代（1c）工藝。雖然由于采用了新的工藝細(xì)節(jié)來(lái)提升部分性能，因此并非完全相同的工藝，但與首次在HBM4E中使用先進(jìn)制程工藝和1c DRAM的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，其技術(shù)穩(wěn)定性被評(píng)估為更高。

與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道，SK海力士也在全力投入HBM4E的研發(fā)。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將比HBM4先進(jìn)一代的DRAM應(yīng)用于HBM4E，并優(yōu)先考慮在邏輯芯片上應(yīng)用臺(tái)積電的3nm工藝。此前，SK海力士在HBM4邏輯芯片上采用了臺(tái)積電的12nm工藝，在HBM4上則采用了10nm級(jí)的第五代（1b）DRAM。雖然當(dāng)時(shí)SK海力士的重點(diǎn)在于利用HBM4成熟的工藝來(lái)保證業(yè)務(wù)穩(wěn)定性，但該公司似乎已經(jīng)制定了在HBM4E性能方面取得優(yōu)勢(shì)的戰(zhàn)略。

一位半導(dǎo)體行業(yè)官員表示：“雖然由于英偉達(dá)人工智能芯片 Vera Rubin 系列（包括 HBM4 和 HBM4E）的發(fā)布略有延遲，三星電子的產(chǎn)量有所調(diào)整，但該公司正專(zhuān)注于下一代市場(chǎng)，以避免重蹈上一代市場(chǎng)被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手搶走的覆轍。”

（來(lái)源：編譯自chosun）

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