存儲芯片會突然崩盤嗎？

這是昨天粉絲留言的疑問，希望君臨給大家解讀一下存儲芯片的行情走勢。

大家都知道，現(xiàn)在存儲芯片的行情很好，外面全是漲價的聲音。

但問題是，股價也漲了很多了。

高處不勝寒啊。

大家最擔(dān)心的就是，會不會突然就曲終人散，我成了最后一個接盤俠？

要看懂這個問題，就得了解行情的本質(zhì)。

是什么在驅(qū)動存儲芯片行情呢？

君臨認(rèn)為，主要由這些因素構(gòu)成——

第一層：供需結(jié)構(gòu)（漲跌關(guān)鍵）

第二層：技術(shù)迭代、政策與地緣局勢等（放大器，決定斜率）

第三層：周期與資金（另一個放大器）

這三層因素，包含了產(chǎn)業(yè)基本面、技術(shù)、宏觀、金融周期等，非常復(fù)雜。

實際上，每一層都能直接改變股市的走勢，都能直接終結(jié)行情。

你不能說不重要。

我們先從外圍的第三層說起吧。

這看起來是跟產(chǎn)業(yè)最無關(guān)的，但如果明天忽然爆發(fā)金融危機，也是能直接終結(jié)行情的。

舉例來說。

上個月中東戰(zhàn)爭爆發(fā)，如果戰(zhàn)爭持續(xù)下去的話，持續(xù)一年兩年。

這會直接引爆金融危機，目前非常火爆的AI革命很可能由于現(xiàn)金流消失，戛然而止。

我們看3月份的走勢，戰(zhàn)爭剛剛打了一個月，市場預(yù)期通脹走高、美聯(lián)儲降息暫停。

還沒有任何的金融動作呢。

A股半導(dǎo)體板塊就單月大跌了15%，跪的比誰都快，影響你說大不大吧？

如果戰(zhàn)爭持續(xù)半年，板塊跌幅50%，個股跌幅80%將比比皆是，你信不信？

當(dāng)然，由于4月特朗普taco了。

戰(zhàn)爭預(yù)期迅速反轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體板塊截止目前已全部收復(fù)失地，大漲15%，成為了漲幅最猛的板塊之一。

而這，僅僅是最無關(guān)的外圍干擾因素。

資金因素里，又包含了期貨與現(xiàn)貨的聯(lián)動、機構(gòu)預(yù)期、散戶情緒、輿論放大效應(yīng)等等。

在所有資金因素中，最重要的是資本開支周期，這是跟產(chǎn)業(yè)結(jié)合度最緊密的。

正所謂“萬物皆周期”，在行業(yè)漲價時，必然會出現(xiàn)擴產(chǎn)現(xiàn)象，一段時間后過剩，然后又進入降價、減產(chǎn)、缺貨、漲價的循環(huán)。

這是每個行業(yè)都改變不了的現(xiàn)象。

但你有沒有發(fā)現(xiàn)，存儲芯片歷史上這種現(xiàn)象特別明顯？

這是因為存儲芯片的同質(zhì)化比較嚴(yán)重，類似大宗商品。

早期的存儲芯片，技術(shù)門檻也不高，行業(yè)參與者眾多，跟面板、光伏等行業(yè)類似。

凡是具有這種特征的行業(yè)，周期波動都會特別大，短期業(yè)績、股價10倍以上漲跌，但持續(xù)性并不持久。

不過呢，這波存儲芯片的上漲，尤其是核心品種的上漲，跟早期格局已經(jīng)發(fā)生了很大改變，不能再用老眼光來看了。

第二層：技術(shù)迭代、政策與地緣局勢。

如果說金融危機是不可預(yù)測的，這第二層的技術(shù)與宏觀影響，同樣是不可預(yù)測的。

我們舉個例子，技術(shù)層面的變化。

本輪存儲行情爆發(fā)，直接因素就是A I革命帶來的需求爆發(fā)；

HBM、DDR5等存儲芯片技術(shù)進步，因為契合了數(shù)據(jù)中心的需求，爆發(fā)最為強勁；

當(dāng)你以為去年四季度的火爆需求，已經(jīng)是最瘋狂的時候，可能已經(jīng)見頂時。

今年智能體、AI視頻的技術(shù)進步，又進一步推升了對存儲芯片的需求；

當(dāng)你以為產(chǎn)業(yè)需求具有無限增長潛力時，谷歌數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)的進步，又可能大幅抑制對存儲芯片的需求。

你看，行業(yè)內(nèi)的技術(shù)、行業(yè)外的技術(shù)、硬件技術(shù)、軟件技術(shù)，每一項技術(shù)的迭代都會改變需求，造成巨大的不確定性。

還有宏觀政策。

現(xiàn)在中美博弈激烈，出口管制、設(shè)備限制、關(guān)稅、反壟斷、補貼，層出不窮。

每一項政策，都會改變供給形勢、需求波動、影響成本和定價行為。

影響因素如此之多，以至于每一個突變量出現(xiàn)，股價走勢就大變了。

你讓我明確告訴你，這輪行情什么時候會結(jié)束，我又怎么能確定的了呢？

沒有人能做到的。

因此股市從來都是靠跟進產(chǎn)業(yè)和事態(tài)發(fā)展，不斷改變預(yù)期的。

第一層：供需結(jié)構(gòu)。

一般認(rèn)為，在其它要素不變的情況下，產(chǎn)業(yè)基本面的供需結(jié)構(gòu)是最關(guān)鍵的。

這個也是所有因素中，可預(yù)測性最強的。

1，需求端。

本輪行情主要由AI算力爆發(fā)的需求驅(qū)動。

截止2026年4月份，業(yè)界能夠看到的情況是——

根據(jù)TrendForce的預(yù)測，全球存儲市場預(yù)計規(guī)模5516億美元，同比+134%。

其中，需求增速最強勁的是HBM芯片。

1）HBM（高帶寬內(nèi)存）

這是AI最核心的剛需，匹配于AI時代的高并發(fā)計算、低延遲響應(yīng)需求。

根據(jù)不同機構(gòu)的預(yù)測，HBM芯片今年的市場規(guī)模約540～600億美元，同比增速約+200%～300%。

增速這么猛，是因為單臺AI服務(wù)器的HBM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的10倍以上。

2）DRAM（服務(wù)器用AI主存）

這是僅次于HBM的高增長市場，發(fā)展前景最好的細(xì)分產(chǎn)品是DDR5。

根據(jù)TrendForce的拆分?jǐn)?shù)據(jù)，今年DRAM市場規(guī)模約4043億美元，是存儲規(guī)模最大的板塊。

單臺AI服務(wù)器的DRAM用量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍。

同比增速約為+130～160%。

3）NAND（SSD/企業(yè)級）

根據(jù)TrendForce的拆分?jǐn)?shù)據(jù)，今年的市場規(guī)模約1473億美元。

根據(jù)不同機構(gòu)的預(yù)測，同比增速約+60～80%。

單臺AI服務(wù)器的NAND需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的3～5倍。

4）NOR Flash / 新興存儲

這類存儲芯片屬于小眾需求，包括各類手機、電腦、車載娛樂屏、消費電子上常見的NOR Flash、MRAM/ReRAM等。

實際增速差異很大，比如NOR Flash為+15%～25%，ReRAM可達+100%+。

2，供給端。

供給數(shù)量越少，對價格彈性的影響越大。

1）HBM（高帶寬內(nèi)存）

這個領(lǐng)域，供給格局是最好的，目前主要由SK海力士、三星、美光，三巨頭壟斷。

截止2026年Q1，SK海力士的市場份額約為50%-54%，占據(jù)大半壁江山。

三星排名第二，市場份額約27%-30%。

美光排第三，市場份額約18%-22%。

在最先進的HBM4產(chǎn)品上，則基本上是sk海力士一家獨大。

三星和美光預(yù)計今年二季度才大規(guī)模量產(chǎn)。

而國產(chǎn)替代方面，目前市場份額小于1%。

代表企業(yè)是長鑫存儲，2025年交付了HBM3樣品，預(yù)計在2026年Q2啟動大規(guī)模量產(chǎn)。

到今年下半年，預(yù)計將切換約20%現(xiàn)有DRAM產(chǎn)能（約6萬片/月晶圓）至HBM。

由于技術(shù)上落后海外一代，短期內(nèi)不太可能影響全球格局，估計優(yōu)先供應(yīng)國內(nèi)剛需。

2）DRAM（DDR5為主）

DRAM跟HBM類似，也是3+1的格局。

3指的是韓美三強的壟斷格局，1指的是國產(chǎn)長鑫存儲的攪局。

略微不同的是，這個領(lǐng)域的老大是三星。

三星占據(jù)約42%-45%的份額，排名第一。

SK海力士約30%-32%份額，排名第二，不過在高端的DDR5產(chǎn)品上良率領(lǐng)先。

美光依然排名第三，份額約16%-18%。

國產(chǎn)之光長鑫存儲，因為在這個領(lǐng)域已經(jīng)耕耘多年，目前份額約5%-8%。

值得注意的是，長鑫存儲目前的產(chǎn)能正處于快速爬坡階段，進展非常快。

今年Q1月產(chǎn)能約為28～30萬片，其中DDR4仍占大頭，但占比逐漸下降，DDR5快速上量，目前良率約80%。

根據(jù)擴產(chǎn)規(guī)劃，今年隨著北京工廠的全面達產(chǎn)，年底將實現(xiàn)35～40萬片/月的目標(biāo)。

2027年隨著上海工廠的投產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能將進一步提升至40～60萬片。

比當(dāng)下產(chǎn)能翻倍，全球市占率提升至10-15%，追上美光。

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，今年DDR5占比將提升至50%+，HBM3也會逐漸上量，下半年占比提升至20%。

明年預(yù)計將量產(chǎn)HBM4，逐漸追上國際水平。

3）3D NAND。

這塊的供給格局更分散一些，大體格局是4+1。

海外四強是——

三星，市場份額約30%；

鎧俠+西數(shù)的聯(lián)盟，合計約18%-20%。

美光，約13%-15%。

SK海力士，約12%-14%。

1指的是國產(chǎn)之光——長江存儲，目前市場份額約12～13%。

長江存儲如今也處于產(chǎn)能快速爬坡階段。

按產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)據(jù)，長江存儲目前月產(chǎn)能約20萬片，三期設(shè)備正在安裝中。

今年下半年，隨著三期開始量產(chǎn)，將新增5萬片/月，市場份額提升至15~16%。

2027年，由于三期滿產(chǎn)，總產(chǎn)能進一步提升至30萬片/月，全球份額升至18~19%，確立全球三強的地位。

四）NOR Flash/新興存儲。

產(chǎn)品眾多，各自占據(jù)細(xì)分市場。

行業(yè)格局也分散，大體是韓企、美企、日企、臺企、國產(chǎn)企業(yè)各自切下一塊蛋糕。

代表：A股上的兆易創(chuàng)新等存儲企業(yè)。

看完供需格局，可以發(fā)現(xiàn)：

需求增速上，HBM>DRAM>NAND>NOR Flash等小眾存儲。

供給格局上，同樣是越靠前越好。

HBM三強壟斷，DRAM四強并立，NAND五雄競爭。

NOR Flash等小眾存儲，就變成了大量企業(yè)廝殺。

供需形勢最好的HBM，由于增速猛，三強擴產(chǎn)謹(jǐn)慎，導(dǎo)致整個行業(yè)缺口高達50%-60%，明年的產(chǎn)能都全部售罄了。

價格也是漲的最猛的，預(yù)計漲價潮將一直持續(xù)到明年。

那三巨頭，作為剩者為王的贏家，為了利益最大化，并不急于擴產(chǎn)。

保持緊缺形勢，靠漲價來贏得利潤，才是最輕松的賺錢方式嘛！

因此，他們更多只是把已有的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)向改造為生產(chǎn)利潤更高的HBM，盡量延長這種暴利趨勢。

其次是DRAM。

缺口也很大，一來是需求增速快，二來是部分產(chǎn)線被挪用去生產(chǎn)HBM了。

雖然國產(chǎn)之光長鑫存儲已經(jīng)在很努力的擴產(chǎn)了，但遠水仍然救不了近火。

今年的缺口，預(yù)計在30-50%。

第三是NAND。

今年的供需缺口在10-20%左右，因此漲價形勢又更溫和一些。

第四的各類小眾存儲等。

按道理，這些利基產(chǎn)品需求增速并不高，供給也多元化，并不存在漲價的空間。

但是呢，由于三星、海力士、美光等大廠全面轉(zhuǎn)向高利潤率市場，產(chǎn)能退出，導(dǎo)致它們也紛紛出現(xiàn)了供需缺口的局面。

具體缺口有多大不好說。

但按照半導(dǎo)體行業(yè)的擴產(chǎn)周期，一般是1.5-3年的規(guī)律。

建廠房要18個月，設(shè)備搬入、調(diào)試、良率爬坡也要6-18個月。

要填滿這些需求缺口，至少也要一年半以上。

我們假設(shè)一下。

存儲芯片的漲價行情，是從去年9月份開始的，一年半就是到明年一季度結(jié)束。

也就是說，今年漲價的存儲芯片品類，至少也要到明年初，才會看到供需平衡的局面。

當(dāng)然，資金不會到供需平衡了才撤退的。

一般都會提前跑路，提前1-3個月是常態(tài)。

而供需格局好的產(chǎn)品，延長一年半載也很正常。

而且，就像文章前面指出的，技術(shù)迭代、宏觀政策、金融周期等因素都會改變格局，難以準(zhǔn)確預(yù)計，需要及時跟進。

如果是缺口大的，壟斷程度高的。

像HBM這種，那么很可能維持長期的缺貨狀態(tài)。

就像臺積電的先進制程產(chǎn)能，這么多年過去了，你會發(fā)現(xiàn)永遠都處于緊張狀態(tài)。

因為這才是他維持高利潤率的秘密啊。