日本：即使中國拿到光刻膠配方，他們也無法造出和日本一樣好用的光刻膠

日本光刻膠巨頭JSRG公司CEO在接受媒體采訪時直言：中國雖然也在極力發展自己的EUV技術生態，但只是一個光刻膠就足以讓他們望塵莫及，就算給到他們配方，他們也無法做出和日本一樣高純度、高精度的光刻膠。事實真的如此嗎？

PART.01

光刻膠——何方神圣

關于光刻，很多人只關注光刻機，卻忽略了和光刻機同等重要的命門材料——光刻膠。如果把光刻比作畫畫，光刻機是畫筆，光刻膠則是畫筆里的墨水，沒有墨水，再好的畫筆也無法呈現出完美的畫作。

從專業的角度來說， 光刻膠是半導體制造中用于圖形轉移的核心功能材料，本質上是一類對特定波長光輻射產生化學響應的光敏高分子體系。它通過曝光引發分子結構或溶解性的變化，將掩膜上的微納圖形精確復制到晶圓表面，是光刻工藝的關鍵載體之一。

PART.02

光刻膠格局

當前全球光刻膠的產業格局可以說是日本主導，日本巨頭的地位很難撼動。

以JSR、東京應化工業、信越化學和富士電子材料為代表的日本企業，占據全球約70%以上市場份額，在ArF及EUV等高端光刻膠領域市占率更是接近80%–90%，處于絕對主導地位。

歐美廠商如杜邦等主要在中端市場保持一定影響力，而中國企業如南大光電、晶瑞電材則在i-line、KrF等成熟制程實現突破，并向ArF領域持續推進。

光刻膠并非單一市場，而是按技術節點分化為多個層級，越先進的制程集中度越高。其競爭壁壘不僅在配方本身，更在于與ASML光刻設備及晶圓廠工藝的深度協同，疊加長周期驗證與高替換成本，使行業長期維持穩定格局。

PART.03

中國光刻膠現狀

日本CEO的叫囂，并非全無道理，它有它們的底氣， 中國光刻膠中低端基本突破，但高端正在加速追趕階段， 短期內確實很難達到它們的水平。

在成熟制程領域，國內企業已實現規模化應用，代表廠商包括晶瑞電材、南大光電、北京科華等，其i-line（365nm）和KrF（248nm）光刻膠已在本土晶圓廠穩定供貨，基本完成國產替代，能夠滿足功率器件、面板、部分邏輯與存儲芯片的生產需求。

更先進的ArF（193nm）光刻膠領域，國內企業部分產品進入驗證或小規模導入階段，但在分辨率控制、線邊粗糙度（LER）、工藝窗口等關鍵指標上，與國際領先水平仍存在差距。

至于EUV（13.5nm）光刻膠，目前國內總體仍處于研發與實驗驗證階段，尚未實現產業化應用。

真正制約中國光刻膠發展的核心不在單一配方，而在于系統性能力：一是超高純度控制與分子設計能力仍需積累；二是與光刻設備（如ASML）及晶圓廠工藝的協同優化不足；三是高端產品驗證周期長、導入門檻高，產業鏈數據沉淀尚不充分。此外，上游關鍵原材料（如高純溶劑、光致酸發生劑）部分仍依賴進口。

不過，在外部限制與供應鏈安全需求驅動下，中國正加快形成“材料—設備—制造”協同攻關模式，通過本土晶圓廠導入驗證、快速迭代優化，縮短技術追趕周期。

總體來看，中國光刻膠已完成從空白到可用的跨越，正處于向高端突破的關鍵階段，但在EUV等頂級領域實現全面替代仍需時間積累。

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