4月22日,臺積電在2026北美技術(shù)論壇上,正式公布直至2029年的通用制程技術(shù)路線圖,其中最核心的是A12(1.2nm級)與A13(1.3nm級)兩大全新工藝節(jié)點(diǎn)的官宣,以及截至2029年暫無計(jì)劃采用高NAEUV光刻的重大決策。
![]()
臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)暨全球銷售資深副總裁張曉強(qiáng)(KevinZhang)在會上直言:“我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)找到了不依賴天價(jià)新設(shè)備就能實(shí)現(xiàn)工藝微縮的方法,這絕對是我們的一大優(yōu)勢。”
這次技術(shù)發(fā)布最顛覆行業(yè)認(rèn)知的,是臺積電徹底告別“一刀切”的工藝開發(fā)模式,轉(zhuǎn)向分岔式戰(zhàn)略。根據(jù)終端市場需求差異,臺積電明確了雙軌并行的發(fā)布節(jié)奏,即每年為消費(fèi)級終端推出一款新工藝,每兩年為重型AI與HPC應(yīng)用推出一款新工藝。
面向消費(fèi)終端市場,臺積電推出了兩大過渡方案。
①A13作為A14的光學(xué)微縮版,計(jì)劃2029年量產(chǎn),通過線性尺寸縮小約3%實(shí)現(xiàn)晶體管密度提升6%,同時與A14保持完全兼容的設(shè)計(jì)規(guī)則與電氣特性,客戶幾乎無需重新設(shè)計(jì)即可復(fù)用現(xiàn)有IP。
![]()
②而N2U作為N2平臺的第三年延伸版本,通過DTCO技術(shù)實(shí)現(xiàn)同功耗下性能提升3%-4%、同頻率下功耗降低8%-10%,且保持與N2PIP兼容,為消費(fèi)電子廠商提供低成本升級路徑,預(yù)計(jì)2028年投產(chǎn)。
針對AI與HPC的極致性能需求,臺積電祭出A16與A12兩大旗艦工藝。
①A16作為帶超級電源軌(SPR)背面供電架構(gòu)的N2P,基于第一代GAA納米片晶體管,相比N2系列提供顯著的功耗、性能與密度優(yōu)勢,盡管量產(chǎn)時間從2026年推遲至2027年。張曉強(qiáng)解釋:“A16將在2026年準(zhǔn)備就緒,但大規(guī)模量產(chǎn)取決于客戶需求,預(yù)計(jì)2027年上量。”
②而計(jì)劃2029年問世的A12,作為A16的繼任者,將采用第二代GAA納米片晶體管與NanoFlexPro技術(shù),同步微縮正面與背面結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)全節(jié)點(diǎn)級代差優(yōu)勢。
![]()
這次臺積電明確拒絕高NAEUV光刻,要知道,這種新一代設(shè)備每臺售價(jià)高達(dá)4億美元,約為現(xiàn)有EUV機(jī)型的兩倍,且需要全新的光刻膠與工藝適配。
張曉強(qiáng)在會上毫不掩飾對成本的顧慮:“或許未來某一天我們不得不使用它,但就目前而言,我們?nèi)阅軓默F(xiàn)有EUV中挖掘收益,不必轉(zhuǎn)向高NAEUV——畢竟它極其昂貴。”這一決策與英特爾形成鮮明對比,后者計(jì)劃在14A及后續(xù)節(jié)點(diǎn)(2027-2028年)開始使用高NAEUV。
臺積電的技術(shù)路線圖調(diào)整,本質(zhì)上是對芯片行業(yè)發(fā)展規(guī)律的深刻洞察,通過A12/A13/N2U等差異化節(jié)點(diǎn),臺積電既滿足了消費(fèi)電子對成本與兼容性的需求,又通過A16等高性能工藝抓住AI時代的增長機(jī)遇,同時繞開天價(jià)設(shè)備投資,為行業(yè)提供了可持續(xù)發(fā)展的新范式。
特別聲明:以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布,本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.