安徽
4月22日，臺積電在2026北美技術(shù)論壇上，正式公布直至2029年的通用制程技術(shù)路線圖，其中最核心的是A12（1.2nm級）與A13（1.3nm級）兩大全新工藝節(jié)點(diǎn)的官宣，以及截至2029年暫無計(jì)劃采用高NAEUV光刻的重大決策。
臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)暨全球銷售資深副總裁張曉強(qiáng)（KevinZhang）在會上直言：“我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)找到了不依賴天價(jià)新設(shè)備就能實(shí)現(xiàn)工藝微縮的方法，這絕對是我們的一大優(yōu)勢。”
這次技術(shù)發(fā)布最顛覆行業(yè)認(rèn)知的，是臺積電徹底告別“一刀切”的工藝開發(fā)模式，轉(zhuǎn)向分岔式戰(zhàn)略。根據(jù)終端市場需求差異，臺積電明確了雙軌并行的發(fā)布節(jié)奏，即每年為消費(fèi)級終端推出一款新工藝，每兩年為重型AI與HPC應(yīng)用推出一款新工藝。
面向消費(fèi)終端市場，臺積電推出了兩大過渡方案。
①A13作為A14的光學(xué)微縮版，計(jì)劃2029年量產(chǎn)，通過線性尺寸縮小約3%實(shí)現(xiàn)晶體管密度提升6%，同時與A14保持完全兼容的設(shè)計(jì)規(guī)則與電氣特性，客戶幾乎無需重新設(shè)計(jì)即可復(fù)用現(xiàn)有IP。
②而N2U作為N2平臺的第三年延伸版本，通過DTCO技術(shù)實(shí)現(xiàn)同功耗下性能提升3%-4%、同頻率下功耗降低8%-10%，且保持與N2PIP兼容，為消費(fèi)電子廠商提供低成本升級路徑，預(yù)計(jì)2028年投產(chǎn)。
針對AI與HPC的極致性能需求，臺積電祭出A16與A12兩大旗艦工藝。
①A16作為帶超級電源軌（SPR）背面供電架構(gòu)的N2P，基于第一代GAA納米片晶體管，相比N2系列提供顯著的功耗、性能與密度優(yōu)勢，盡管量產(chǎn)時間從2026年推遲至2027年。張曉強(qiáng)解釋：“A16將在2026年準(zhǔn)備就緒，但大規(guī)模量產(chǎn)取決于客戶需求，預(yù)計(jì)2027年上量。”
②而計(jì)劃2029年問世的A12，作為A16的繼任者，將采用第二代GAA納米片晶體管與NanoFlexPro技術(shù)，同步微縮正面與背面結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)全節(jié)點(diǎn)級代差優(yōu)勢。
這次臺積電明確拒絕高NAEUV光刻，要知道，這種新一代設(shè)備每臺售價(jià)高達(dá)4億美元，約為現(xiàn)有EUV機(jī)型的兩倍，且需要全新的光刻膠與工藝適配。
張曉強(qiáng)在會上毫不掩飾對成本的顧慮：“或許未來某一天我們不得不使用它，但就目前而言，我們?nèi)阅軓默F(xiàn)有EUV中挖掘收益，不必轉(zhuǎn)向高NAEUV——畢竟它極其昂貴。”這一決策與英特爾形成鮮明對比，后者計(jì)劃在14A及后續(xù)節(jié)點(diǎn)（2027-2028年）開始使用高NAEUV。
臺積電的技術(shù)路線圖調(diào)整，本質(zhì)上是對芯片行業(yè)發(fā)展規(guī)律的深刻洞察，通過A12/A13/N2U等差異化節(jié)點(diǎn)，臺積電既滿足了消費(fèi)電子對成本與兼容性的需求，又通過A16等高性能工藝抓住AI時代的增長機(jī)遇，同時繞開天價(jià)設(shè)備投資，為行業(yè)提供了可持續(xù)發(fā)展的新范式。
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