未采用阿斯麥最新光刻機，臺積電2029年量產A12和A13制程

臺積電在當地時間4月22日舉辦的2026年北美技術論壇上透露了旗下A13（等效1.3nm）和A12（等效1.2nm）等不同制程產品的推出時間表。

不過，臺積電高管在談到所使用的光刻機時，表示目前還不需要用到阿斯麥的最新高數值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)，因為研發團隊找到了擴展技術的辦法，并且High-NA EUV非常貴，這類設備單臺價格超過3.5億歐元。

在不需用到阿斯麥最新High-NA-EUV光刻機的情況下，臺積電計劃繼續推進制程迭代。2025年，臺積電發布A14（等效1.4nm）制程技術，預計相關產品于2028年量產。此次臺積電則推出了新一代A13制程，該制程計劃2029年投產，面向下一代AI、HPC（高性能計算）需求。臺積電表示，A13相比A14可節省6%的面積，設計規則與A14相容。

臺積電還預告了A12制程，相關產品采用了超級電軌（Super Power Rail）技術，為人工智能及高性能運算應用提供背面供電方案，該制程預計2029年進入生產。A13和A12是A14的衍生產品。

臺積電大樓

此外，臺積電在N2平臺技術的基礎上推出了N2U，預計N2U于2028年開始生產。臺積電表示，公司繼續用N2U擴展2nm平臺。

2024年公布的A16（等效1.6nm）制程，臺積電則預計在2027年量產，比此前預計的量產時間晚了1年。臺積電此次介紹，A16將是臺積電第一代使用超級電軌技術的產品，在A12之前就使用該技術。

先進制程此前已貢獻了臺積電的主要收入來源。今年第一季度，臺積電凈利潤5725億元新臺幣，同比增長58.3%，該季度臺積電來自先進制程的收入占比74%。臺積電董事長魏哲家表示，第一季度收入增長受到先進制程強勁需求的推動。

為了支撐先進制程產品生產，臺積電正在執行一項全球產能擴張計劃。臺積電近日預計，今年的資本支出將處于此前指引的上端，即接近560億美元。3nm方面，臺積電位于臺南的工廠將增加3nm工藝生產能力，位于美國亞利桑那州的工廠和在日本的第二座工廠也將生產3nm產品。2nm工藝的研發生產則預計從今年下半年開始稀釋臺積電的毛利率。

其他晶圓廠中，英特爾也在推進先進制程研發和生產。今年1月，英特爾發布第三代酷睿Ultra處理器，該系列芯片采用英特爾18A（等效1.8nm）制程制造。

在先進封裝方面，臺積電此次則公布了部分生產計劃。臺積電表示，目前公司正在生產5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并規劃更大尺寸的版本。一個14倍光罩尺寸的CoWoS將能整合約10個大型運算晶粒和20個高帶寬內存（HBM）堆疊，預計相關產品于2028年開始生產。2029年，臺積電計劃推出超過14倍光罩尺寸的CoWoS，并推出40倍光罩尺寸的SoW-X系統級晶圓技術。

在數據中心傳輸方面，臺積電則表示，緊湊型通用光子引擎將在基板上使用，實現光電共封裝（CPO），相關解決方案將在今年開始生產，相比電路板上的可插拔方案，該技術的功耗效率提升2倍，延遲減少90%。