美國眾議院通過《硬件技術控制多邊協同法案》等多項出口管制法案

《硬件技術控制多邊協同法案》（MATCH 法案）的立法預期是將美國領先的半導體硬件技術從此前單邊進出口管制，升級為強制荷蘭、日本等盟友全面對齊的多邊協同封鎖體系，把盟友配合從 “自愿選擇” 變為 “強制義務”，徹底封堵此前單邊管制的政策漏洞，形成對東大的全域技術圍堵。

美國類似的這種體系聯盟類的單邊強制還有諸如礦產安全伙伴關系（MSP）、特朗普金庫計劃等。

而MATCH 法案主要是想通過大幅擴容半導體設備管制范圍、全生命周期切斷東大核心半導體企業的設備供應與技術維護渠道，精準遏制東大半導體產業的自主化升級進程，將東大排除在全球半導體核心供應鏈之外，此舉路徑上也有些復刻美國當年在半導體發展路徑上與蘇聯斷鏈形成的信息技術進化路線方面東西方差異的目的。

而一旦落地后，其最終還是希望鞏固美國在半導體、先進算力等關鍵硬件技術領域的全球壟斷霸權，維持美國在全球 AI 等前沿科技競賽中的絕對領先優勢，維護美國主導的全球科技與經貿秩序。

并且，這個議題是美國兩黨共識議題，因此，2026 年 4 月 22 日，美國眾議院外交事務委員會以兩黨壓倒性支持，通過了以《硬件技術控制多邊協同法案》（MATCH 法案）為核心的一攬子出口管制法案，同步推進《芯片安全法案》等配套立法的進一步修訂，完成了自 2018 年以來對東大科技出口管制最系統性的加碼。

我們看到，這套法案未來會以半導體硬件技術為核心抓手，以多邊協同封鎖為核心手段，并填補此前單邊管制的政策漏洞，這對我們的稀土而言，任務更重了！

而從這套法案的核心條款來看，也已經突破了此前美國出口管制的傳統法律邊界，形成了 “全領域、超國界、體系化” 的管制體系。

核心內容包括大幅擴容管制范圍，將此前僅針對極紫外光刻機（EUV）的禁令，擴展至全系列浸沒式深紫外光刻機（DUV），并全面覆蓋 28nm 及以下成熟制程的全品類關鍵半導體設備，同時對中芯國際、長江存儲、華為等中國五大半導體龍頭企業實施 “禁設備、禁維護、禁技術支持” 的類實體清單全面封鎖，甚至禁止二手設備流轉與技術服務。

此外，這個協議是一套多邊協同機制，其要求荷蘭、日本、韓國等半導體設備與材料供應國在 150 天內完成對東大管制政策與美國的全面對齊，逾期未執行者將面臨切斷美系技術供應、凍結在美資產等二級制裁。

其配套修訂的《芯片安全法案》，則要求對高端 AI 芯片強制內置位置驗證與遠程管控模塊，這使得美國商務部可無需完整證據直接遠程鎖死涉事芯片，同時大幅提高違規罰款金額，設立高額舉報人激勵機制，允許舉報違規使用者獲得高額的舉報獎勵。

該法案的正式落地，會顯著推高全球制造業的系統性成本，這是因為半導體產業是全球分工最精密的行業，過去一直是 “美國主導設計與軟件、荷蘭日本壟斷設備、韓國中國TW主導制造、東大為最大消費市場” 的格局，其是西方最后一塊能維持生產力主導的工業領域。

因此，后續落地后，其會強制全球企業在市場與技術之間 “選邊站”。一方面，阿斯麥、東京電子等全球設備龍頭將失去中國這一全球最大的半導體消費市場。另一方面，該產業鏈政策意味著西方將從 “效率優先” 轉向 “安全優先”，全球晶圓廠被迫建設冗余產能，供應鏈環節大幅拉長，制造成本顯著抬升，并將最終傳導至消費電子、汽車電子、工業控制等全產業鏈，加劇全球通脹壓力。

并且，這個法案還會倒逼全球半導體產業將成兩套乃至多套技術標準、設備體系與供應鏈生態，不同體系之間的技術壁壘與貿易壁壘將漸次形成，互不通用的格局也將逐步顯現。而這種 “去全球化” 的趨勢，也將從半導體產業逐步蔓延至新能源、人工智能、高端裝備等更多高科技領域，最終導致全球經貿體系分裂為相互割裂的區域陣營，終結蘇聯解體以來形成的全球化紅利。

當下，全球最大的半導體設備與芯片企業，其營收的 30% 以上肯定來自中國市場，而這些收入也是其每年數百億美元研發投入的核心支撐。

但同時，由于日本、韓國、歐盟都恐懼其核心工業被東大替代，因此也讓他們必須在產業持續性和產業收益方面做出選擇！

不過，這套法案目前仍需美國參議院全院表決、總統簽署才能正式生效，其最終落地仍存在一定的調整空間，而荷蘭、日本等盟友的企業高度依賴中國市場，其政策對齊的意愿與執行力度也存在顯著不確定性。

但無論最終文本如何，全球重回1991年前的市場市場格局的特征，似乎正在顯現。