芯片國家隊宣布：國產28nm光刻機進入測試階段，推動自主芯片突破

前沿導讀

王陽元、趙晉榮、陳南翔、魏少軍等中國半導體產業領軍人在科技導報上面發布了《構建自主可控的集成電路產業體系》報告，據報告內容指出，制造設備作為半導體行業的核心支柱，近年來在自主可控與國產替代的大背景下，本土化趨勢愈發明顯。

中微半導體制造的先進刻蝕機，已經進入到了臺積電7nm及5nm生產線中。而中國的國產28nm光刻機（ArF，Immersion），也已經進入工藝測試階段。

國產設備

這份產業報告總共有13位人員聯名提議，這13位人員都是來自中國半導體產業的企業領導以及高校教授。

王陽元是中科院院士，同時也是中芯國際的聯合創始人之一；陳南翔是長江存儲董事長、中國第八屆半導體協會理事長；劉偉平是中國EDA企業華大九天的董事長、中國半導體協會副理事長；趙晉榮是北方華創公司董事長、中國半導體協會副理事長；魏少軍是清華大學微電子研究所教授、中國半導體協會副理事長，同時也是中國半導體產業的核心推動者與領軍人物。

這些產業報告的聯名作者，都是奮斗在中國半導體產業一線的人物，他們在報告當中所提出的建議以及對待產業發展的態度，也就代表了整個中國半導體產業的態度。

目前中國半導體產業對比剛被美國制裁的2018年，已經有了明顯技術進步，但是在部分卡脖子環節仍然具備較大的追趕空間。

首先就是設計芯片的EDA軟件工具，這個領域被新思、楷登、西門子三家公司掌控，這三家公司合計占全球總EDA市場的81%。而中國的國產EDA企業，例如華大九天、概論電子、廣立微等企業，在EDA的銷售市場中距離三家巨頭還有很大距離。

2024年全球EDA的市場規模為117.9億美元，新思、楷登、西門子三巨頭的銷售額分別為42.2億、32.9億、19.8億美元，而華大九天的規模為1.56億美元。

盡管與國際巨頭相比差距較大，但是對于中國本土企業來說，已經取得了很不錯的進步。華大九天的EDA工具已經進入到了中芯國際、紫光展銳、海思、京東方等公司的設計環節中，依靠國內企業的支持，華大九天已經擠進全球EDA企業第六名的好成績。

然后就是重點被卡脖子的設備產業，中國企業在高端刻蝕機領域最先實現了技術突破，中微半導體的先進刻蝕機產品已經進入到臺積電7nm及5nm的生產線中。這是目前已知的，唯一一個被全球頂級晶圓廠納入先進供應鏈體系的大陸設備企業。

而大家最關注的國產光刻機產品，由上海微電子公司推出的28nm浸潤式光刻機也已經進入工藝測試階段，還未正式邁入商業化環節。

28nm浸潤式光刻機，一般指的是可以制造28nm芯片，并且可以通過多重圖案化技術制造更加先進節點的設備。ASML首臺面向先進節點的28nm光刻機是NXT:1970i，該設備在2024年被美國實施出口管制，無法交付給中國大陸地區涉及先進晶圓制造業務的工廠。

其他配套的國產設備也已經在有序推進當中，拓荊科技的14nm沉積設備已進入大陸晶圓廠生產線，華海清科的晶圓減薄機也已進入規模化應用，而大陸地區最大的設備集團北方華創，也已經形成了從刻蝕到離子注入的全套設備布局，整個產業鏈都在推進國產設備的規模化應用。

未來目標

在《構建自主可控的集成電路產業體系》報告當中，作者們將未來重點攻關目標放在了EDA軟件工具、國產EUV光刻機及配套材料、300mm大硅片這三點上面。

EDA工具常年被海外巨頭統治，雖然國產EDA工具已實現應用，但在高端芯片的設計上面還有進步空間。

EUV光刻機是老生常談的問題，也是美國針對中國半導體產業實施制裁的核心“武器”。ASML的EUV光刻機供應鏈來自于全球5100家企業，其零部件數量高達幾十萬個，ASML負責將所有零件拼湊在一起形成一個可以持續運行的主體。

報告指出，中國在EUV領域已經實現了多個子系統的技術突破，包括光源、晶圓臺、對準系統等。下一步便是集中力量，創辦一個屬于中國人的ASML公司，將各領域的人才以及工程師聚集在一起，統一調度資源，共同完成國產EUV光刻機的突破。

在推動光刻機發展的同時，材料領域也要同步發展，光刻膠以及300mm大硅片（晶圓）是目前較為短板的材料。

300mm對應12英寸、200mm對應8英寸、150mm對應6英寸。

中國企業在6英寸晶圓領域已具備完全國產化能力，8英寸領域正在大規模國產化應用，國內市場份額接近70%。12英寸正在快速推進國產化能力，市場份額約為55%。

在光刻膠領域，南大光電已實現28nm節點ArF光刻膠的量產商用，公司2025年新增了三款ArF光刻膠產品通過客戶驗證并獲得商業訂單，其全年光刻膠收入已突破2000萬元。

參考資料：
南大光電一季度業績增長，將開股東大會，光刻膠業務獲突破

• https://m.eeo.com.cn/2026/0425/851720.shtml

晶瑞電子制造的G線光刻膠已實現30%的國內市占率，正在推進國產KrF光刻膠的國產化進度。

中國半導體領軍人們所制定的發展目標，首先要繼續夯實國產28nm及以上全產業鏈體系的自主可控，然后讓國產14nm生產線穩定運行，緊接著初步完成國產7nm生產線的試運行，將國產供應鏈體系逐步滲透到商業化生產線中。