“Venice”是業(yè)界首款采用臺積電先進2nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的高性能計算產(chǎn)品。

當?shù)貢r間2026年5月21日，AMD宣布，其代號為“Venice”的下一代EPYC處理器已在中國臺灣采用臺積電先進的2nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)，并計劃未來在臺積電位于亞利桑那州的工廠實現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑式的進展標志著AMD數(shù)據(jù)中心CPU路線圖的持續(xù)推進，展現(xiàn)了其在提供下一代云、企業(yè)和人工智能基礎(chǔ)設(shè)施所需的領(lǐng)先性能和能效方面的持續(xù)優(yōu)勢。“Venice”是業(yè)界首款采用臺積電先進2nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的高性能計算（HPC）產(chǎn)品。

AMD董事長兼首席執(zhí)行官蘇姿豐博士表示：“采用臺積電2nm工藝技術(shù)量產(chǎn)‘Venice’平臺，標志著我們在加速下一代人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)方面邁出了重要一步。隨著人工智能和智能體工作負載的快速增長，客戶需要能夠更快地將創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品的平臺。我們與臺積電的深度合作，正幫助AMD以所需的速度和規(guī)模，將領(lǐng)先的計算技術(shù)推向市場，以滿足這一時代的需求。”

隨著人工智能的應(yīng)用范圍從訓練和推理擴展到日益復(fù)雜的智能體工作負載，CPU在擴展人工智能基礎(chǔ)設(shè)施、協(xié)調(diào)數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)移動、網(wǎng)絡(luò)、存儲、安全和系統(tǒng)編排方面變得愈發(fā)關(guān)鍵。“Venice”處理器的推出正值A(chǔ)MD在服務(wù)器市場持續(xù)發(fā)力之際，反映出客戶對EPYC處理器的需求日益增長，這些處理器可用于驅(qū)動現(xiàn)代云、企業(yè)、高性能計算和人工智能部署。

AMD在中國臺灣的“Venice”工廠量產(chǎn)以及在臺積電亞利桑那州工廠的量產(chǎn)計劃，體現(xiàn)了AMD致力于加強其地域多元化先進制造布局的戰(zhàn)略。通過將下一代EPYC處理器創(chuàng)新與全球先進制造能力相結(jié)合，AMD正在擴展其基礎(chǔ)架構(gòu)，以支持客戶部署和擴展人工智能基礎(chǔ)設(shè)施。

臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家博士表示：“我們很高興看到AMD在其采用我們先進的2nm工藝技術(shù)的下一代EPYC處理器方面持續(xù)取得顯著進展。我們與AMD的緊密合作體現(xiàn)了將領(lǐng)先的工藝技術(shù)與先進的設(shè)計創(chuàng)新相結(jié)合的重要性，這對于開啟高性能計算和人工智能計算的新時代至關(guān)重要。”

AMD還計劃在其數(shù)據(jù)中心CPU產(chǎn)品路線圖中全面應(yīng)用臺積電2nm制程技術(shù)，推出第六代EPYC處理器“Verano”。該處理器針對每瓦性能進行了優(yōu)化，旨在支持云計算和人工智能計算工作負載。“Verano”預(yù)計將基于AMD EPYC平臺，并采用包括LPDDR在內(nèi)的先進內(nèi)存創(chuàng)新技術(shù)，以滿足日益受限于功耗的工作負載和應(yīng)用所需的CPU性能、帶寬和能效。

AMD與臺積電的合作涵蓋了擴展現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心計算所需的各項技術(shù)，從用于下一代CPU的臺積電2nm制程技術(shù)到先進的封裝技術(shù)，包括臺積電的SoIC-X和CoWoS-L，這些技術(shù)被廣泛應(yīng)用于AMD更廣泛的AI和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品組合中。隨著“Venice”處理器在臺積電2nm制程工藝上的量產(chǎn)，AMD正在推進AI基礎(chǔ)設(shè)施的CPU基礎(chǔ)架構(gòu)發(fā)展，同時繼續(xù)利用臺積電在制程和封裝方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，大規(guī)模地交付日益集成的計算平臺。

臺積電預(yù)判，2nm制程芯片產(chǎn)能將在2026至2028年期間，實現(xiàn)70%的復(fù)合年均增速。

臺積電高級副總裁兼聯(lián)席副COO、首席信息安全官侯永清，在硅谷舉辦的臺積電2026技術(shù)研討會上透露，本年度將有五座晶圓廠落地2nm工藝量產(chǎn)，其中兩座布局新竹、三座落地高雄。

侯永清指出，2nm制程自2025年第四季度投產(chǎn)，其首年產(chǎn)能規(guī)模，相較3nm制程2023年量產(chǎn)首年的產(chǎn)能，提升幅度可達45%。與此同時，臺積電將持續(xù)擴容3nm產(chǎn)能，機構(gòu)測算其2022至2027年的產(chǎn)能年均增幅約25%。

在先進封裝領(lǐng)域，臺積電同樣保持高強度擴產(chǎn)節(jié)奏。數(shù)據(jù)顯示，2022至2027年，CoWoS先進封裝產(chǎn)能年均增速將突破80%，SoIC封裝產(chǎn)能年均增速更是有望超90%。此外侯永清提及，臺積電美國亞利桑那州首座晶圓廠，2026年產(chǎn)能相較2025年將提升80%；日本熊本首座晶圓廠的年度產(chǎn)能增幅，預(yù)計將達到130%。

據(jù)悉，臺積電2nm工藝良率已穩(wěn)定在60%至70%區(qū)間，甚至有市場消息稱其良率或達90%。

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