兄弟們！AI又引爆一新材料的需求——碳化硅

沒錯！就是碳化硅

隨著英偉達B200、Rubin系列以及各類ASIC芯片的算力指數級增長，單顆AI芯片的功耗已從傳統的300-400W飆升至1000W以上。傳統的54V/48V供電架構已因“銅損”過大和物理空間限制而難以為繼。

2025年5月，英偉達更是宣布，數據中心正從當前的54V機架供電向800VHVDC高壓直流架構過渡，目標是2027年實現該架構的規模化商用，以支撐1MW及以上超高功率密度IT機架的電力需求。

當前AI數據中心電源正在向800V高壓直流HVDC架構演進，也是必然選擇。而這材料轉換的耐高溫提出了更高的要求，碳化硅SiC和氮化鎵GaN是實現這一高電壓、高效率轉換的物理基礎。

SiC器件憑借極低的開關損耗和耐高壓特性，能讓服務器電源的轉換效率突破鈦金級96%以上，甚至向99%邁進，這不僅意味著省電，更意味著在相同市電容量下，可以多支撐50%的AI負載。

碳化硅不僅在AI數據中心大規模的應用，在先進封裝領域也將引入碳化硅

2025年9月，英偉達表示，在新一代Rubin處理器的開發藍圖中，計劃把CoWoS先進封裝環節的中間基板材料，由硅換成碳化硅(SiC)，以應對高性能計算中的散熱挑戰。并且表示最晚到2027年，碳化硅中間基板將全面進入先進封裝領域。

從市場規模開看，Citrini發布AI供應鏈報告，明確將SiC列為AI領域被嚴重忽略的核心主線。到2030年AI電源將占SiC電源市場的50%，襯底和設備需求有望增長近10倍。SiC在CoWoS先進封裝中的應用規模將超過電源市場。當前百億級市場，未來有望突破2000~3000億。

因此，碳化硅在AI數據中心和CoWoS先進封裝加速滲透下，需求端迎來爆發式增長，對具有碳化硅產業鏈來說，將有望在這波需求暴增背景下，增厚公司的業績。

從產業鏈來看，碳化硅（SiC）是第三代半導體的核心賽道，主要由?上游材料與設備?、?中游器件制造?及?下游應用市場?三大環節構成。而碳化硅產業鏈技術壁壘高，價值量主要集中在上游材料環節，?襯底和外延片合計占器件總成本的70% 左右?，其中襯底 alone 占比約 47%-50%。

經過深度梳理和挖掘，這5家公司在碳化硅上游襯底環節深度卡位，享受這波AI浪潮帶來的量價齊升?，F在把這5家公司是核心亮點梳理出來供大家參考。

第一家：天岳先進

核心亮點：公司導電型碳化硅襯底材料全球市占率前三，全球少數能批量出貨8英寸碳化硅襯底的公司，全球首家推出12英寸碳化硅襯底的公司

碳化硅產能：據日本富士經濟報告測算，2024年全球導電型碳化硅襯底材料市場占有率全球第市場份額22.80%;2024年碳化硅襯底產量達41.02萬片;國產半絕緣型襯底龍頭。將充分受益于AI數據中心帶來的碳化硅需求。

第二家：三安光電

核心亮點：公司是在內化合物半導體領域產銷規模首位、具備垂直產業鏈布局的企業，LED芯片全球龍頭。

碳化硅產能：公司6吋碳化硅產能1.6萬片/月，8吋碳化硅襯底產能1000片/月、外延產能2000片/月，8吋碳化硅芯片產線已通線。安意法現有產能2000片/周，重慶三安現有產能2000片/月，已開始逐步釋放產能。將充分受益于AI數據中心帶來的碳化硅需求。

第三家：露笑科技

核心亮點：公司主營漆包線、高空作業設備、光伏發電等，已成功開發出12英寸碳化硅襯底。

碳化硅產能：公司已制備出合格12英寸碳化硅單晶樣品，合肥基地規劃擴產8英寸導電型與12英寸半絕緣型襯底，產品面向電動汽車、AI算力、光儲等多輪需求。英寸襯底片已研發成功并預計2026年一二季度形成銷售。將充分受益于AI數據中心帶來的碳化硅需求。

第四家：天富能源

核心亮點：公司主營供電及天氣熱、供熱等，擁有新疆兵團規模最大的獨立地方電網。

碳化硅產能：天科合達導電型碳化硅單晶領域長期穩居國內第一;公司為天科合達第二大股東，持有9.09%的股份。將充分受益于AI數據中心帶來的碳化硅需求。

第五家：晶盛機電

核心亮點：公司主營光伏設備、半導體設備和半導體材料，全自動單晶硅生長爐市占率國際領先，已構建8-12英寸半導體大硅片核心裝備的全產業鏈布局

碳化硅產能：公司國內90萬片拉晶產能，現有碳化硅襯底30萬片(6寸25萬片+8寸5萬片)+新建8寸60萬片;海外新建24萬片切磨拋產能;12英寸光學級襯底的產業化驗證。

聲明：本文引用官方媒體和網絡新聞資料，如有錯誤，請以最新信息為準。本文絕不構成任何投資建議、引導或承諾，僅供交流探討，請審慎閱讀。市場有風險，投資決策需建立在理性獨立思考之上。