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【CNMO科技新聞】5月29日，三星電子宣布已開始向全球主要客戶交付業(yè)界首款12層HBM4E高帶寬內(nèi)存樣品，此舉距離該公司今年2月量產(chǎn)上一代HBM4僅過去三個月。
本次交付的12層HBM4E內(nèi)存單顆容量達(dá)到48GB，較上一代產(chǎn)品提升超過30%。三星還表示，未來將根據(jù)客戶的具體需求，繼續(xù)擴(kuò)充32GB的8層版本以及64GB的16層產(chǎn)品線。
在核心性能上，HBM4E的單引腳數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)16Gbps，相比HBM4提升了20%以上。其單堆棧帶寬高達(dá)每秒3.6TB，能大幅優(yōu)化大型語言模型和下一代AI計(jì)算系統(tǒng)的處理效率。這款新一代存儲產(chǎn)品采用了三星先進(jìn)的第六代10納米級（1c）DRAM工藝，并結(jié)合了三星代工廠的4納米邏輯基礎(chǔ)裸片技術(shù)制造，確保了優(yōu)異的生產(chǎn)穩(wěn)定性。
除了性能升級，能效與散熱表現(xiàn)也獲得了顯著改善。通過采用先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)和優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，HBM4E的能源效率提升了16%，熱阻特性改善了14%以上。這些技術(shù)演進(jìn)能夠有效減少數(shù)據(jù)中心高負(fù)載運(yùn)行時的發(fā)熱量，延長設(shè)備的使用壽命。三星計(jì)劃在完成初步的樣品測試與優(yōu)化后，配合客戶日程開啟HBM4E的大規(guī)模量產(chǎn)。
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