據(jù)媒體6月8日消息,三星電子芯片部門負(fù)責(zé)人JUN表示,與英偉達(dá)CEO黃仁勛就HBM4、晶圓廠領(lǐng)域的短期合作事宜進(jìn)行了討論。
JUN表示,我們正在合作研發(fā)4納米和8納米節(jié)點(diǎn)所需的自動(dòng)駕駛芯片,以及NVIDIA的加速器芯片;我們還就長期合作進(jìn)行了廣泛討論,包括HBM4E、代工業(yè)務(wù)、HBM5以及其他未來技術(shù)。還討論了下一代芯片的代工合作。
此前據(jù)媒體報(bào)道,6月5日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛首次證實(shí),三大存儲(chǔ)芯片制造商已通過認(rèn)證,可為英偉達(dá)AI加速器供應(yīng)最先進(jìn)的高帶寬存儲(chǔ)芯片。
英偉達(dá)已批準(zhǔn)SK海力士、三星電子和美光科技供應(yīng)HBM4,這是英偉達(dá)下一代人工智能平臺Vera Rubin不可或缺的存儲(chǔ)芯片。
黃仁勛此前表示,Vera Rubin目前已全面投產(chǎn),計(jì)劃于今年第三季度開始交付。
來源:財(cái)聯(lián)社、界面新聞
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