RCD06芯片已順利完成工程樣片研發(fā)，并成功向全球主要內(nèi)存客戶送樣。

瀾起科技宣布，已成功向客戶送樣其DDR5第六子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片 (RCD06)。該芯片應(yīng)用于新一代DDR5寄存式雙列直插內(nèi)存模組 (RDIMM)，將有力推動(dòng)下一代計(jì)算平臺(tái)性能升級(jí)。

RCD06芯片支持高達(dá)9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，較上一代產(chǎn)品提升15%，充分滿足下一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)高帶寬的嚴(yán)苛要求。芯片采用雙通道獨(dú)立架構(gòu)，兩個(gè)子通道共享時(shí)鐘邏輯但保持獨(dú)立運(yùn)行，可分別進(jìn)行奇偶校驗(yàn)而互不干擾。此外，該器件集成了連續(xù)時(shí)間線性均衡 (CTLE) 與低抖動(dòng)鎖相環(huán) (PLL)，在提升信號(hào)完整性的同時(shí)確保時(shí)鐘分配的精確性與穩(wěn)定性。

上月在機(jī)構(gòu)調(diào)研中，瀾起科技透露今年第一季度，隨著DDR5滲透率提高且子代持續(xù)迭代，公司DDR5 RCD芯片出貨量顯著增加，其中第三、第四子代RCD芯片的出貨占比進(jìn)一步提升。在新子代研發(fā)方面，公司已完成DDR5第五子代RCD芯片量產(chǎn)版本的研發(fā)，正在開展DDR5第六子代RCD芯片的工程研發(fā)。同時(shí)，瀾起科技也是DDR5 RCD芯片國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的牽頭制定者。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：“云計(jì)算、人工智能及各類內(nèi)存密集型工作負(fù)載對(duì)內(nèi)存帶寬的需求持續(xù)攀升，新一代DDR5 RDIMM正是滿足這一需求的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。憑借在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的持續(xù)深耕，我們的RCD06芯片已順利完成工程樣片研發(fā)，并成功向全球主要內(nèi)存客戶送樣。我們正與業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存廠商、CPU供應(yīng)商及終端客戶等生態(tài)伙伴緊密合作，加速DDR5最新子代內(nèi)存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。”

AI從訓(xùn)練向推理遷移，以及Agent等新應(yīng)用的爆發(fā)，對(duì)全球內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)擴(kuò)容也帶來(lái)了積極影響。瀾起科技認(rèn)為，未來(lái)內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)的直接驅(qū)動(dòng)因素包括內(nèi)存模組數(shù)量的增長(zhǎng)以及內(nèi)存互連芯片價(jià)值量增加，具體體現(xiàn)在以下四個(gè)方面：

第一，CPU在AI服務(wù)器用量增加將推動(dòng)內(nèi)存模組需求增長(zhǎng)。根據(jù)行業(yè)分析，隨著AI推理及Agent應(yīng)用的快速發(fā)展，AI工作負(fù)載正在從訓(xùn)練端大規(guī)模向推理端及智能體遷移，這一轉(zhuǎn)變對(duì)系統(tǒng)的邏輯判斷、任務(wù)調(diào)度與實(shí)時(shí)交互能力提出了更高的要求，使得CPU的通用計(jì)算架構(gòu)價(jià)值凸顯，在AI系統(tǒng)中的重要性正在加強(qiáng)，因此，AI服務(wù)器中CPU與GPU的配置比例預(yù)計(jì)將持續(xù)提升。隨著AI服務(wù)器中CPU占比的提升，內(nèi)存模組數(shù)量將隨之增長(zhǎng)；同時(shí)，典型AI服務(wù)器內(nèi)單顆CPU配置的內(nèi)存模組用量，通常是通用服務(wù)器的2倍左右。因此，CPU在AI服務(wù)器用量增加將推動(dòng)內(nèi)存模組需求增長(zhǎng)及內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)規(guī)模。

第二，CPU支持內(nèi)存通道數(shù)增加將提升搭配內(nèi)存模組數(shù)量。當(dāng)前主流服務(wù)器CPU平臺(tái)支持的內(nèi)存通道數(shù)為8或12個(gè)，新一代CPU支持的內(nèi)存通道數(shù)或?qū)⒃黾又?6個(gè)，內(nèi)存通道數(shù)增加意味著每個(gè)CPU最多可搭配的內(nèi)存模組數(shù)量將相應(yīng)增加。考慮到典型的AI服務(wù)器通常滿插內(nèi)存模組，因此，CPU內(nèi)存通道數(shù)增加理論上將進(jìn)一步提升內(nèi)存模組需求及內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)規(guī)模。

第三，CPU多核化趨勢(shì)將推動(dòng)MRDIMM的需求。為滿足AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用對(duì)算力與數(shù)據(jù)吞吐的迫切需求，服務(wù)器CPU的核心數(shù)量快速增加，這對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)帶寬提出了更高的要求。MRDIMM以其帶寬更高和更優(yōu)的綜合性能，正在成為產(chǎn)業(yè)重要的技術(shù)方向。未來(lái)隨著支持第二代MRDIMM的CPU上市，MRDIMM的滲透率有望進(jìn)一步提升，從而直接帶動(dòng)MRCD/MDB芯片需求增長(zhǎng)。由于MRDIMM中“1顆MRCD+10顆MDB套片”的價(jià)值量遠(yuǎn)高于RDIMM中一顆RCD芯片的價(jià)值量，因此，MRDIMM需求增長(zhǎng)將有助于內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)進(jìn)一步擴(kuò)容。

第四，從長(zhǎng)期來(lái)看，DDR6內(nèi)存模組或?qū)⑿枰唷⒏鼜?fù)雜的內(nèi)存互連芯片。JEDEC組織正持續(xù)對(duì)DDR6內(nèi)存互連技術(shù)以及產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行討論，主流趨勢(shì)是：DDR6內(nèi)存模組將配置數(shù)量更多、設(shè)計(jì)更復(fù)雜的內(nèi)存互連芯片。因此，DDR6內(nèi)存互連芯片市場(chǎng)規(guī)模或?qū)⑦M(jìn)一步增長(zhǎng)。

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