SK海力士年底量產375層NAND，工藝導入鉬金屬，替代部分鎢材料。

SK海力士計劃于2026年年底，正式量產新一代375層3D NAND閃存。在全球AI算力、企業級存儲需求持續擴張的背景下，3D NAND依靠垂直堆疊層數提升單顆芯片存儲容量，成為存儲廠商技術競爭的核心賽道，此次375層新品落地，也標志海力士完成新一輪堆疊工藝與材料體系的雙重升級。

6月11日多位業內消息人士對外透露，SK海力士已全面完成375層NAND的全流程生產驗證，良率與工藝穩定性達到量產標準，現階段正集中推進整套工藝向現有量產產線轉移。出于控制資本開支、盤活現有制造資源的考量，該企業并未新建獨立晶圓廠房，而是針對性對旗下清州M15工廠現有成熟產線進行設備改造與工藝適配投入；清州M15是海力士核心NAND生產基地之一，當前產線主要承載176層、238層、321層三代中低層堆疊NAND產品的批量制造，本次改造完成后，原有老舊層數產能將逐步切換至375層高端新品。

這款375層產品在內部研發規劃階段，原本歸類為400層級NAND方案。受超高層數垂直堆疊固有的制造瓶頸制約，企業最終下調堆疊層數至375層。行業分析指出，當NAND堆疊層數突破300層后，核心制造難點集中于深溝道孔刻蝕環節，層數越高，刻蝕深度、側壁均勻度、結構形變管控難度呈指數級上升，400層架構在現階段量產環境下難以平衡良率與制造成本，因此企業選擇適度下調層數，優先保障規模化落地可行性。一名熟悉海力士技術路線的業內人士表示：“原先規劃的400層級產品經過多輪試產驗證后，最終修訂為375層實現年內量產；企業中長期技術路線并未調整，后續迭代目標依舊鎖定480層、604層更高堆疊規格產品?！?/p>

本次375層工藝最核心的技術革新，是全面導入金屬鉬（Mo）材料體系：SK海力士將制程中原先廣泛使用的部分鎢（W）薄膜替換為鉬，用于存儲單元的金屬柵極，也就是控制讀寫信號的字線。3D NAND的容量提升邏輯依托數百層存儲單元與配套字線垂直堆疊實現，字線材料的導電性能、薄膜沉積特性，直接決定芯片讀寫速度、存儲密度與長期可靠性，在300層以上超高堆疊架構中，傳統鎢材料的性能短板持續放大，鉬成為行業公認的替代解決方案。

從物理性能與制程優勢來看，鉬能夠系統性解決鎢在超高堆疊NAND結構中的多重局限。隨著堆疊層數持續提升，字線布線物理尺寸不斷微縮，鎢金屬在窄線寬結構下電阻會顯著抬升，直接拖慢存儲單元內部信號傳輸速率，拉低整體寫入、擦除性能；鉬在同等細微字線尺寸下電阻率更低，信號傳輸損耗更小，可直接提升閃存讀寫響應速度，適配AI服務器、高速SSD等高端應用場景。除此之外，鎢薄膜沉積工序前必須額外制備一層阻隔襯墊層，多層疊加后會占用垂直堆疊的有效空間，限制單位晶圓存儲密度提升；鉬材料無需配套輔助襯墊層即可直接完成沉積，簡化工藝流程的同時，釋放更多垂直堆疊空間，支撐更高比特密度設計。

但鉬材料量產落地同樣存在顯著技術門檻。鉬配套前驅體原料在常溫環境下為固態形態，無法像六氟化鎢氣體一樣直接輸送至沉積設備，生產端必須配套專用加熱、穩壓輸送系統，實現前驅體穩定氣化、精準控流與定量供給，對薄膜沉積設備、車間氣體供應配套體系提出全新改造要求，也是廠商推進鉬工藝導入的主要投入方向。

在全球存儲同業競爭層面，三星電子早已率先完成鉬材料在3D NAND中的商業化落地，行業形成清晰的技術追趕格局。三星自2024年4月實現量產的第九代286層3D NAND閃存，就已在金屬布線核心環節引入鉬材料；其層數突破400層的第十代新一代3D NAND產品，目前已完成工藝驗證，計劃于2026年下半年推向市場，同時三星還在持續擴大鉬材料在全流程工藝中的應用覆蓋范圍，進一步放大高端堆疊產品性能優勢。

在沉積設備選型上，兩大存儲龍頭做出差異化路線選擇。三星鉬薄膜沉積設備全部采購自泛林半導體，該廠商設備采用單片晶圓獨立加工模式，單張晶圓工藝管控精度更高，但設備購置成本、廠房占地面積相對更大。SK海力士前期同步評估了泛林半導體與東京電子兩家廠商的鉬沉積設備方案，經過成本、量產效率綜合測算后，最終選定東京電子設備。東京電子采用爐管批量沉積工藝，單次設備運行可同步處理約100片晶圓，在設備采購成本、潔凈室場地占用面積、鉬前驅體原料消耗量三大維度具備規?；慨a成本優勢，更適配海力士現有大批量NAND產線運行邏輯。

鉬半導體原材料供應鏈也隨之迎來擴容布局，多家國際特種氣體企業成為海力士核心供應商。液空（Air Liquide）、安集科技（Entegris）、默克（Merck KGaA）確定為SK海力士穩定供應半導體級鉬前驅體材料；韓國本土材料廠商SK Specialty也在同步洽談供貨合作事宜。不過SK Specialty現階段尚未建成配套鉬原料專用儲存、恒溫輸送基礎設施，業內消息稱，該企業正推進合作方案，依托液空成熟的特種氣體輸送基礎設施完成原料交付，SK海力士也在主動推動兩家本土與國際廠商達成長期協同供貨協議，保障鉬材料供應鏈穩定。

伴隨三星、SK海力士兩大龍頭全面鋪開鉬工藝，3D NAND產業鏈對鉬特種材料的市場需求將迎來高速增長周期。行業機構統計測算數據顯示，三星電子2025年全年鉬原料采購量約4噸，2026年采購規模將提升至10噸；中長期消耗增速持續走高，2027年行業總消耗量預計達25噸，2028年升至40噸，2029年、2030年將分別增長至60噸、80噸。SK海力士從2027年起將在全線375層及以上高端NAND產品中大規模導入鉬材料，行業預估其初期年度鉬原料消耗量約4噸，未來隨480層、604層產品落地，采購規模將持續擴張。

產業經營策略層面，當前全球NAND行業與DRAM賽道發展邏輯出現明顯分化，廠商經營重心發生轉變。另一位深耕存儲產業鏈的業內人士分析表示：“不同于DRAM市場現階段優先追逐出貨規模、搶占市場份額的競爭思路，當前NAND產業整體經營重心更偏向盈利修復，廠商主動優化產品結構，減少低價低端產品供給，推動存儲芯片價格維持健康區間?！盨K海力士的產能規劃策略與行業整體導向保持一致，企業并未選擇全面擴充NAND總晶圓產能，而是主動縮減176層、238層、321層等低層數老舊NAND產品的生產規模，通過改造現有產線持續擴大375層高端產品的產能投放，以此提升單位晶圓比特產出效率，攤薄單位存儲容量制造成本，依靠高端產品結構優化改善整體NAND業務毛利率，規避行業歷史上因盲目擴產引發的價格下行周期。

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