北京
來源：市場資訊
（來源：伏白的交易筆記）
一. 半導體前道材料
半導體材料按工藝環節，可分為前道（晶圓制造）材料、后道（封裝測試）材料。
前道材料占據70%市場規模，主要包括七大類：硅片、掩模版、光刻膠、濕電子化學品、拋光材料、電子特氣、靶材。
二. 七大細分環節梳理
2.1 硅片
（1）作用：半導體制造基底材料，支撐后續光刻、蝕刻等工藝，形成晶體管和電路結構。
（2）組成：由高純度單晶硅（9N以上）經切割、研磨等工藝制得。
（3）分類：按尺寸分為8英寸、12英寸等；按工藝分為拋光片、外延片、SOI硅片。
（4）全球格局：CR5超90%，包括信越化學（日）、SUMCO（日）、環球晶圓（臺）、Siltronic（德）、SK Siltron（韓）。
（5）國內頭部：滬硅產業、立昂微、有研硅。
2.2 掩膜版（光罩）
（1）作用：光刻工藝中的圖形轉移母版，承載著設計好的電路圖案。
（2）組成：由石英玻璃基板、金屬鉻層、感光膠層組成，通過電子束刻蝕出電路圖形。
（3）全球格局：CR5超95%，包括Photronics（美）、Toppan（日）、DNP（日）等。
（4）國內頭部：聚和材料、路維光電、清溢光電。
2.3 光刻膠
（1）作用：光刻工藝中的感光介質，涂覆在晶圓上，曝光后溶解度變化，顯影后留下電路圖案，實現圖形轉移。
（2）組成：由樹脂、感光劑、溶劑、添加劑組成。
（3）分類：按曝光波長分為EUV膠、ArF/KrF膠（DUV）、G/I線膠（UV）。
（4）全球格局：CR5超90%，包括JSR（日）、東京應化（日）、信越化學（日）、富士膠片（日）、杜邦（美）。
（5）國內頭部：南大光電、彤程新材、上海新陽、晶瑞電材。
2.4 濕電子化學品
（1）作用：超凈高純化學試劑，用于晶圓清洗、蝕刻、顯影等工藝。
（2）分類：清洗液、蝕刻液、剝離液、顯影液等。
（3）全球格局：CR5超80%，包括關東化學（日）、巴斯夫（德）、霍尼韋爾（美）、三菱化學（日）。
（4）國內頭部：中巨芯、格林達、江化微。
2.5 電子特氣
（1）作用：高純度特種氣體，用于蝕刻、薄膜沉積、摻雜、清洗等工藝。
（2）分類：全領域超百種，分為蝕刻氣、沉積氣、清洗氣、摻雜氣等。
（3）全球格局：CR4超80%，包括林德集團（德）、液化空氣（法）、空氣化工（美）、大陽日酸（日）。
（4）國內頭部：中船特氣、華特氣體、雅克科技、和遠氣體、金宏氣體。
2.6 靶材
（1）作用：物理氣相沉積（PVD）工藝中的粒子源，靶材原子被濺射并沉積形成薄膜，用于互連層、阻擋層、導電層制備。
（2）分類：金屬靶材（鋁靶、銅靶、鈦靶、鎢靶等）、合金靶材、陶瓷靶材。
（3）全球格局：CR5超80%，包括日礦金屬（日）、東曹（日）、霍尼韋爾（美）等。
（4）國內頭部：江豐電子、有研新材、阿石創、歐萊新材。
2.7 拋光材料
（1）作用：用于化學機械拋光（CMP）工藝，實現晶圓表面納米級平整。
（2）分類：拋光墊、拋光液。
（3）全球格局：拋光液CR3超90%（卡博特、日立、Fujimi）；拋光墊 CR2超90%（陶氏、卡博特）。
（4）國內頭部：鼎龍股份、安集科技。
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