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(來(lái)源:澤平宏觀展望)
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文:任澤平
半導(dǎo)體材料是芯片制造的關(guān)鍵,包括芯片基底制備,電路光刻,刻蝕沉積全流程。半導(dǎo)體材料整體國(guó)產(chǎn)化率約20%,未來(lái)空間巨大。
1、半導(dǎo)體材料:芯片制造之基
按環(huán)節(jié)分為:前道晶圓制造材料,后道封裝材料。
晶圓制造材料有:硅片、電子特氣、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光材料、靶材、光掩膜版等。
封裝材料有:引線框架、陶瓷材料、切割材料、環(huán)氧塑封料、導(dǎo)電膠等。
前道材料價(jià)值高,國(guó)產(chǎn)化率低。據(jù)SEMI,2025年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模為860億美元,同比增長(zhǎng)7%。其中,晶圓制造材料為562億美元,占65%。
2、三大材料:硅片、電子特氣、光刻膠
硅片:芯片基底載體,半導(dǎo)體用量最大、價(jià)值占比最高的基礎(chǔ)材料。8英寸硅片為成熟制程核心,12英寸大硅片覆蓋主流成熟制程和先進(jìn)制程,是中高端的核心。
光刻膠:光刻工藝的核心感光材料,直接決定芯片制程精度。原理是通過(guò)光照發(fā)生化學(xué)反應(yīng),配合掩模版,將精密電路圖精準(zhǔn)復(fù)刻到硅片表面,為后續(xù)刻蝕、離子注入等工序奠定基礎(chǔ)。
特種氣體:用于刻蝕、沉積、清洗等工序,占材料成本高,對(duì)純度的要求極為苛刻:行業(yè)主流純度等級(jí)為6N-9N,其中,先進(jìn)制程刻蝕、摻雜核心特氣普遍要求9N超高純度。
3、半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化加速
硅片全球前五大廠商:信越化學(xué)、SUMCO、環(huán)球晶圓、Siltronic、SKSiltron,合計(jì)份額約80%以上。硅片國(guó)產(chǎn)化加速:一是6英寸及以下國(guó)產(chǎn)化率超60%,基本自給。二是8英寸國(guó)產(chǎn)化率達(dá)55%,顯著提升,可滿足成熟制程需求,但高端外延片、拋光片仍有缺口。三是12英寸國(guó)產(chǎn)化率約25%,產(chǎn)能缺口70%以上,本土企業(yè)加速擴(kuò)產(chǎn),2026年末國(guó)產(chǎn)化率有望突破30%。
全球光刻膠主要企業(yè):日本東京應(yīng)化、JSR、信越化學(xué)、富士膠片,占率超80%,高端市占率95%。半導(dǎo)體光刻膠整體國(guó)產(chǎn)化未來(lái)空間大:一是g線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率超90%、i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率約60%,已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化國(guó)產(chǎn)替代;二是中端KrF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率不足15%;三是高端ArF干式、濕式光刻膠、EUV光刻膠目前無(wú)規(guī)模化國(guó)產(chǎn)產(chǎn)能。
全球特氣市場(chǎng)主要玩家:美國(guó)空氣化工、德國(guó)林德集團(tuán)、法國(guó)液化空氣、日本大陽(yáng)日酸,四大巨頭合計(jì)占全球約80%份額。電子特氣整體國(guó)產(chǎn)化率不足30%:基礎(chǔ)電子特氣實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn),中端刻蝕氣加速替代,高端摻雜氣、先進(jìn)制程特氣進(jìn)口依賴高,是國(guó)產(chǎn)替代突破的關(guān)鍵。
半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。(本文首推于6月8日)
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