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全球碳化硅（SiC）市場的風向正在發(fā)生劇烈轉(zhuǎn)變。近日，半導體巨頭安森美（Onsemi）宣布其位于捷克羅茲諾夫的廠區(qū)將裁減200至300名員工，主要波及核心的碳化硅晶圓制造部門。這也是繼2025年裁員170人后，該廠區(qū)再度面臨組織調(diào)整。

這場裁員風暴的背后，折射出西方半導體廠商在面對中國本土供應(yīng)鏈強勢崛起時的陣痛。隨著中國SiC廠商的崛起和成本的優(yōu)勢，將一片碳化硅晶圓的生產(chǎn)成本壓低至西方同行的三分之一，強烈的價格重塑正迫使安森美等國際巨頭不得不重新審視其“從晶圓到芯片”的垂直一體化戰(zhàn)略。

然而，在技術(shù)路線上，2026年，SiC MOSFET的競爭并沒有簡單走向“溝槽全面取代平面”。但卻進入了一個更復雜的路線分化期：一邊，三菱電機、博世、東芝、羅姆、英飛凌等廠商繼續(xù)深挖溝槽結(jié)構(gòu)，試圖通過更高晶胞密度、更低導通電阻和更強功率密度，打開下一代主驅(qū)逆變器和eAxle的性能上限；另一邊，意法半導體、Wolfspeed、安森美并沒有急于切換到溝槽，而是繼續(xù)壓榨平面架構(gòu)的工程潛力，用成熟工藝、車規(guī)驗證經(jīng)驗、制造良率和供應(yīng)鏈規(guī)模，守住大規(guī)模商業(yè)化的底線。

這并不是一場先進路線對落后路線的簡單替代，而是藏著半導體工業(yè)在極致性能與商業(yè)良率之間的終極思辨。

這些廠商，都已經(jīng)把SiC“溝槽”挖出來了

說到溝槽SiC，首先需要厘清，全球半導體巨頭為何執(zhí)著于在芯片上“挖坑”？

簡單地來說，平面型SiC的導通電阻（Rds(on)）已經(jīng)逼近了其物理極限，尤其是夾在基區(qū)之間的JFET電阻，成為了無法逾越的屏障。為了進一步壓低成本、提升功率密度，行業(yè)不少廠商集體邁向“向下挖槽”的溝槽時代。溝槽結(jié)構(gòu)通過將柵極垂直埋入芯片內(nèi)部，徹底消除了JFET電阻，并在同等面積下實現(xiàn)了更高的晶胞密度。

仔細拆解今年各大廠的最新動作，你會發(fā)現(xiàn)，哪怕同樣是“挖坑”，各家的鑿子和目的也完全不同。而隨著溝槽SiC的加速出貨，這場競爭正在明顯加速。

今年6月下旬，日本功率器件老廠三菱電機繼續(xù)推進溝槽代際升級，將正式按順序交付其新型第五代SiC MOSFET裸芯片樣品。這些裸芯片專為電動汽車（xEV）主驅(qū)逆變器和高度集成的電驅(qū)動橋（e-Axle）而設(shè)計。三菱電機專有的溝槽結(jié)構(gòu)，在額定電壓和閾值電壓相同的情況下，成功將導通電阻比其現(xiàn)有的第四代溝槽產(chǎn)品再降低約25%。

（左）帶有溝槽的SiC-MOSFET晶圓（效果圖）

（右圖）溝槽式SiC-MOSFET裸芯片布局（出貨樣品渲染圖）

作為汽車零部件巨頭，博世（Bosch）最新推出的第三代（Gen 3）SiC MOSFET平臺，直指牽引逆變器在高壓環(huán)境下的效率與散熱痛點。它沿用了垂直溝槽架構(gòu)，但演進出“雙通道（Dual-channel）”概念。所謂雙通道，即利用每個柵極溝槽的兩側(cè)側(cè)壁同時作為導電通道。在不增加額外晶圓面積的前提下，這種設(shè)計讓導電面積直接翻倍，使溝道電阻降低近一半。據(jù)悉，博世將芯片厚度減少了40%，達到100微米的目標值，這為其帶來了極其優(yōu)異的基體電阻表現(xiàn)和散熱性能。

博世第三代SiC MOSFET的架構(gòu)改進（來源：博世）

值得注意的是，溝槽技術(shù)的這把火，在 2026 年已經(jīng)不僅局限于汽車動力總成，而是順著 800V高壓直流架構(gòu)，一路燒到了需求暴漲的AI數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)場。

2026年5月21日，東芝宣布，已開始出貨1200V溝槽柵SiC MOSFET TW007D120E的測試樣品。面向下一代 AI 數(shù)據(jù)中心和可再生能源設(shè)備的電源系統(tǒng)。與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比，該器件將單位面積導通電阻（RDS(on)A）降低約 58%，并將品質(zhì)因數(shù) RDS(on)×Qgd改善約 52%；該器件采用支持頂部冷卻的 QDPAK 封裝。東芝還表示，將在 2026財年為 TW007D120E 的量產(chǎn)做準備。

（圖源：東芝）

然而，隨著溝槽陣營的全面鋪開，卻有廠商踩了一下剎車。

羅姆（ROHM）在業(yè)內(nèi)曾以極其激進的雙溝槽結(jié)構(gòu)聞名，早在2015年，羅姆就開始量產(chǎn)溝槽型SiC MOSFET，從其第3代和第4代產(chǎn)品開始，羅姆不僅在柵極（Gate）挖槽，在源極（Source）也挖槽，以此追求極致的低導通電阻。然而，其最新發(fā)布的第5代SiC MOSFET卻畫風突變。第5代產(chǎn)品不再單純依賴此前的標準雙溝槽結(jié)構(gòu)，而是轉(zhuǎn)向精細化改進元件結(jié)構(gòu)并優(yōu)化制造工藝，據(jù)了解，通過這種方式，第5代SiC MOSFET在高溫工況下將導通電阻較第四代產(chǎn)品降低約30%。

羅姆的這一策略可能反映出一些變化：溝槽SiC并不是越激進越好。對于車規(guī)級主驅(qū)逆變器、AI服務(wù)器電源和高功率工業(yè)系統(tǒng)而言，低導通電阻只是第一層指標，柵氧可靠性、短路魯棒性、開關(guān)損耗、熱穩(wěn)定性、制造良率和成本一致性同樣關(guān)鍵。

而英飛凌的CoolSiC自誕生起就走了一條獨特的不對稱溝槽（Asymmetric Trench / 半溝槽）路線，并在2026年全面推進其CoolSiC M2世代。更通俗的來說，英飛凌只利用溝槽的一側(cè)側(cè)壁作為通道，而將另一側(cè)做成大面積的P+注入?yún)^(qū)，以此死死保護住溝槽底部的氧化層。而與此同時，英飛凌在2026年的技術(shù)白皮書中頻繁放風其“超級結(jié)（Super Junction）SiC MOSFET”的研發(fā)。這意味著英飛凌不僅在縱向挖槽，還試圖在橫向引入多重超結(jié)拓撲，徹底打破SiC的耐壓極限。

從三菱電機、博世、東芝，到羅姆和英飛凌，可以看到溝槽SiC正在呈現(xiàn)出不同的演進路徑：有人把它推向eAxle，有人用它提升牽引逆變器功率密度，有人把它導入AI數(shù)據(jù)中心電源，也有人從結(jié)構(gòu)激進轉(zhuǎn)向工程兌現(xiàn)，甚至繼續(xù)探索超級結(jié)等下一代結(jié)構(gòu)。這說明，溝槽SiC的競爭已經(jīng)進入深水區(qū)。它不再只是器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，而是車規(guī)量產(chǎn)、AI電源、先進封裝、芯片減薄、熱管理和工藝良率之間的系統(tǒng)競爭。

平面SiC還沒認輸

在溝槽型SiC被奉為圭臬的當下，另外三大超級巨頭——意法半導體（ST）、Wolfspeed與安森美，并沒有轉(zhuǎn)向溝槽，而是通過壓榨平面架構(gòu)的潛力來獲取商業(yè)上的勝利。

就在2026年6月9日，Wolfspeed正式推出其第五代（Gen 5）SiC MOSFET技術(shù)。Wolfspeed用強悍的數(shù)據(jù)證明平面架構(gòu)依然擁有可怕的進化空間：相比市面同類1200V競品，Gen 5技術(shù)通過對導通電阻 RDS(ON)的持續(xù)優(yōu)化，將比導通電阻（RSP）最高降低了27%，顯著改善了系統(tǒng)級導通損耗； 在175℃的高溫極限下，其1200V平臺（QEM50120-25D10）實現(xiàn)了3.4mΩ-cm2的超低芯片級RSP，750平臺也達到了2.0 mΩ-cm2。兩個電壓平臺均實現(xiàn)了±18%的超窄導通電阻分布，極大減少了工程師在系統(tǒng)級設(shè)計時的裕量冗余。Gen 5在維持上一代優(yōu)異體二極管與低開關(guān)損耗的同時，將結(jié)溫能力直接拉高至 200℃連續(xù)工作（極限壽命下可達215℃）。

175℃ 下1200 V芯片比導通電阻RSP（總面積基準）變化趨勢（圖源：Wolfspeed）

作為憑借平面型SiC、依托早期特斯拉紅利奠定全球市占率第一的ST，其一舉一動也在牽動著整車廠的神經(jīng)。盡管業(yè)內(nèi)此前盛傳其將全面轉(zhuǎn)向溝槽架構(gòu)，但ST在其第四代（Gen 4）SiC MOSFET的發(fā)布資料中給出的公開路線圖顯示，其下一代（Gen 5）功率器件將繼續(xù)固守平面陣營，采用一種基于平面結(jié)構(gòu)的全新高功率密度技術(shù)。這種對成熟路徑的堅守，無疑給搖擺中的下游主機廠吃下了一顆定心丸。

安森美目前還沒有推出最新的SIC平臺，最新一代的EliteSiC M3e是2024年7月發(fā)布的平臺。安森美至今沒有急于推出顛覆性的新架構(gòu)，正是因為它兩年前在前瞻性布局平面工藝時，就已經(jīng)把技術(shù)指標壓榨的很大。在不引入物理挖槽工藝的前提下，硬生生將導通損耗降低了約30%，關(guān)斷損耗最高降低了50%。

這片“舊王牌”在2026年的商用戰(zhàn)場上依然展現(xiàn)出恐怖的生命力：2025年底至2026年，小米重磅推出的全新電動SUV YU7，其800V動力主驅(qū)平臺核心采用的就由安森美的M3e。

在 2026年4 月的北京車展上，安森美宣布與蔚來（NIO）、吉利深化戰(zhàn)略合作，將增強型的 M3e 平臺直接推向下一代900V高壓快充架構(gòu)。官方數(shù)據(jù)顯示，1200V M3e 裸芯片在相同的牽引逆變器殼體中可以提供約20%的更高輸出功率，或者在固定功率等級下減少約20%的SiC用量。

或許，正是這種高成熟度平面工藝帶來的高性價比，恰恰解釋了為什么安森美敢于在近期縮減捷克廠區(qū)的上游晶圓自產(chǎn)產(chǎn)能——既然底層的平面設(shè)計已經(jīng)足夠優(yōu)秀且穩(wěn)定，轉(zhuǎn)向外購低成本原料，自己專心做后段封裝和系統(tǒng)級高壓卡位，才是更精明的商業(yè)算盤。

出現(xiàn)了一種折中方案

2026年2月納微發(fā)布了第五代GeneSiC平臺，技術(shù)名稱是：Trench-Assisted Planar，TAP，溝槽輔助平面結(jié)構(gòu)。這有點是平面和溝槽的折中方案。不過在本質(zhì)上它扔屬于平面柵極結(jié)構(gòu)，但是在平面柵的設(shè)計中戰(zhàn)略性地引入淺溝槽，有效克服了傳統(tǒng)平面架構(gòu)和溝槽架構(gòu)中通常存在的固有取舍。

與上一代1200V技術(shù)相比，第5代平臺RDS(on)×QGD 這一品質(zhì)因數(shù)（FoM）改善35%，QGD / QGS 比值提升約25%。首發(fā)主打的是車規(guī)與工業(yè)級剛需的 1200V 系列，與第四代已有的 2300V/3300V 超高壓技術(shù)形成互補。

根據(jù)《溝槽輔助平面技術(shù)的白皮書》所述，在這種設(shè)計中，電流流動的溝道主要形成在 SiC 晶圓的頂部表面。與傳統(tǒng)溝槽技術(shù)相比，這種平面配置簡化了制造過程。一般來說，平面柵工藝復雜度較低，并且相較于涉及深刻蝕、高深寬比溝槽的工藝，能夠帶來更高的制造良率。

不同功率 MOSFET 技術(shù)的晶胞間距：雙溝槽、不對稱溝槽、傳統(tǒng)平面以及溝槽輔助平面技術(shù)（圖源：Navitas《溝槽輔助平面技術(shù)的白皮書》）

“溝槽輔助”這一部分，是指在器件結(jié)構(gòu)中的源極區(qū)域內(nèi)，戰(zhàn)略性地引入淺溝槽。這些溝槽并不是為了像溝槽 MOSFET 那樣形成主電流路徑。相反，在納微的 SiC MOSFET 設(shè)計中，它們的主要功能是優(yōu)化電場分布以增強可靠性和魯棒性、降低高溫下的導通電阻（RDS,ON）、改善開關(guān)性能、增強柵氧化層可靠性。

傳統(tǒng)平面、雙溝槽、不對稱溝槽、傳統(tǒng)平面以及溝槽輔助平面技術(shù)中的電流擴展示意圖（來源：同上）

大廠動作背后的三個底層邏輯

縱觀上述這些SiC產(chǎn)生的最新產(chǎn)品和動作，隱藏著2026年SiC產(chǎn)業(yè)的三個深層進化邏輯：

觀察一：從結(jié)構(gòu)魔改向工藝良率的務(wù)實回歸

前幾年，SiC領(lǐng)域存在一種唯結(jié)構(gòu)論，似乎誰的槽挖得更奇特、誰的形狀更復雜，誰就掌握了未來。但2026年的分水嶺表明：SiC溝槽已經(jīng)過了概念炫技期，正式進入了工業(yè)兌現(xiàn)期。羅姆第5代的戰(zhàn)略微調(diào)、博世對成熟流程融合的強調(diào)、英飛凌對半溝槽的堅守，都釋放了一個強烈的信號——半導體不可能三角：低導通電阻、高可靠性、低制造工藝成本，正在尋找新的動態(tài)平衡點。

觀察二：正面挖槽，背面磨薄

過去大家看SiC芯片，目光都集中在正面如何設(shè)計柵極。但博世SiC的厚度暴減40%至100微米揭示了溝槽時代的隱藏抓手：基體電阻與熱阻正在成為主要矛盾。當溝槽技術(shù)將正面的溝道電阻壓縮到幾乎無無可分的時候，芯片背面襯底自身的電阻占比就凸顯了出來。如果廠商無法將堅硬、脆性極高的SiC晶圓安全地磨薄到100微米甚至更薄，正面挖再漂亮的槽，整體效率也會被背面的厚度拖后腿。

觀察三：空間焦慮倒逼裸芯片與電驅(qū)動橋深度綁定

可以看到，三菱電機在發(fā)布第五代溝槽SiC MOSFET時，特別強調(diào)裸芯片樣品的交付和eAxle。這背后主要原因是新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)架構(gòu)正在發(fā)生深層壓縮。在電動車平臺中，大容量電池包、熱管理系統(tǒng)、車身結(jié)構(gòu)和多合一電驅(qū)系統(tǒng)不斷爭奪有限空間。主驅(qū)逆變器不再只是一個可以獨立布置的“大盒子”，而是越來越多地被納入電機、減速器和功率電子高度集成的電驅(qū)動橋系統(tǒng)之中。對于整車廠和Tier 1而言，逆變器的體積、重量、熱路徑和安裝自由度，正在變成系統(tǒng)設(shè)計中的硬約束。裸芯片給模塊廠、Tier 1和主機廠留下了更大的封裝設(shè)計空間。

2026年的碳化硅市場，沒有了早期拓荒時代的盲目與狂熱，取而代之的是工業(yè)巨頭之間刀刀見肉的陣地戰(zhàn)。

無疑，溝槽結(jié)構(gòu)正在成為SiC MOSFET打開性能上限的重要工具。但與此同時，平面結(jié)構(gòu)并沒有退場。溝槽打開了性能上限，平面守住了成熟制造和車規(guī)可靠性的底線。

在這場由海外巨頭主導的平面vs溝槽技術(shù)大決戰(zhàn)，國內(nèi)本土 SiC 芯片廠商似乎并沒有太大的公開聲音。不過這種寂靜背后，折射出國內(nèi)與海外廠商在戰(zhàn)略優(yōu)先級上的本質(zhì)差異：

第一是戰(zhàn)略重心的不同：海外巨頭（如英飛凌、羅姆、意法）在平面技術(shù)紅利期結(jié)束后，必須依靠技術(shù)換代（溝槽）來維持高毛利和技術(shù)話語權(quán)。而國內(nèi)本土供應(yīng)鏈（如襯底、外延、晶圓制造）核心任務(wù)是加速建立自主供應(yīng)鏈并實現(xiàn)規(guī)?；ㄎ弧Ｔ?800V 乃至更高高壓的主流新能源車、光伏市場中，成熟的平面型 SiC 工藝已經(jīng)完全夠用，且良率更容易把控。

第二，極致的性價比攻勢： 國際同行在實驗室里爭論雙溝槽、半溝槽和超結(jié)拓撲時，國內(nèi)廠商正憑借強大的制造紅利、低廉的電價與產(chǎn)業(yè)鏈聚集效應(yīng)，把平面型晶圓的成本死死壓在400 美元附近。這種價格甚至倒逼安森美等海外 IDM 巨頭放棄部分自產(chǎn)晶圓、轉(zhuǎn)向外購。

第三，暗度陳倉的研發(fā)布局：沒聲音并不代表沒動作。事實上，國內(nèi)頭部功率器件大廠與晶圓代工廠在溝槽工藝、甚至 8 英寸溝槽線的研發(fā)布局上一直在低調(diào)推進。只是在目前的商業(yè)環(huán)境下，國內(nèi)廠商采取了更務(wù)實的策略。

真正決定下一代SiC廠商競爭力的，不是有沒有挖溝，而是誰能把器件結(jié)構(gòu)、外延質(zhì)量、晶圓尺寸、柵氧工藝、封裝散熱、短路保護和系統(tǒng)驗證做成一個完整閉環(huán)。而無論挖不挖槽，他們都在為全球電動化供應(yīng)鏈提供更多元、更高效的解法。

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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