AI推理對昂貴DRAM的依賴正在松動。

AMD宣布收購內(nèi)存優(yōu)化公司MEXT，將AI驅(qū)動的閃存優(yōu)化技術(shù)引入數(shù)據(jù)中心。這標(biāo)志著AI存儲架構(gòu)正在經(jīng)歷一場結(jié)構(gòu)性遷移，而核心驅(qū)動力只有一個數(shù)字：閃存成本僅為DRAM的1/55。

周一，AMD宣布以未披露金額完成對MEXT的收購。MEXT開發(fā)的AI驅(qū)動預(yù)測內(nèi)存技術(shù)，旨在讓閃存的行為更接近DRAM，在維持性能與效率的同時擴展可用內(nèi)存容量。

AMD表示，此次收購將擴充其AI產(chǎn)品組合，幫助數(shù)據(jù)中心客戶提升性能、降低總擁有成本并加速工作負(fù)載部署。"對內(nèi)存的需求正在企業(yè)計算的每個品類中增長，"AMD在聲明中稱。

收購消息刺激AMD股價周一上漲7.7%至550.75美元，市值逼近9000億美元關(guān)口，當(dāng)日S&P 500指數(shù)整體上漲1.8%，AMD今年以來累計漲幅已達323%?；ㄆ焐现芪鍖MD評級從中性上調(diào)至買入，目標(biāo)價從460美元上調(diào)至575美元。

值得注意的是，蘋果早在2024年就開始推進"LLM in a Flash"端側(cè)方案。這一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供給危機。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，高帶寬內(nèi)存（HBM）已占全部DRAM晶圓產(chǎn)能的約四分之一，DRAM合約價格在2026年第一季度單季環(huán)比暴漲約90%。

Citrini Research指出，AI存儲需求已大到需要多層架構(gòu)共同承接，閃存并非取代HBM，而是在容量維度承接溢出需求——這場架構(gòu)重構(gòu)正在重新定價整條AI存儲產(chǎn)業(yè)鏈。

內(nèi)存稅危機：瓶頸從AI蔓延至全經(jīng)濟

據(jù)摩根士丹利分析師Shawn Kim團隊本月早些時候的判斷，內(nèi)存價格飆升和供應(yīng)稀缺正演變?yōu)閿?shù)字經(jīng)濟的全面風(fēng)險，"從AI基礎(chǔ)設(shè)施的瓶頸，蔓延至硬件利潤率、設(shè)備可負(fù)擔(dān)性、云成本、通脹乃至政策層面。"

這一壓力已有具體案例佐證：Xbox首席執(zhí)行官Asha Sharma上周表示，內(nèi)存成本在過去兩年間上漲了約五倍，導(dǎo)致公司無法生產(chǎn)消費者所需數(shù)量的游戲主機。

HBM對DRAM產(chǎn)能的持續(xù)蠶食是這場危機的核心驅(qū)動。據(jù)TrendForce及三星、SK海力士、美光等廠商的披露數(shù)據(jù)，HBM在DRAM晶圓產(chǎn)能中的占比已從2020年的2%攀升至2026年預(yù)估的25%。超大規(guī)模云廠商以多年期合同預(yù)購未來晶圓產(chǎn)出，進一步壓縮了面向手機和PC的標(biāo)準(zhǔn)芯片可用產(chǎn)能。

新增DRAM產(chǎn)能的建設(shè)同樣面臨結(jié)構(gòu)性制約。擴產(chǎn)依賴EUV光刻機印制更精細(xì)線寬，每臺EUV設(shè)備售價高達約2億美元，一座新晶圓廠的投資動輒數(shù)百億美元，建設(shè)周期在順利情況下也需數(shù)年。這一供給剛性，正是本輪短缺具備持續(xù)性的根本原因。

55倍成本差：閃存替代的經(jīng)濟邏輯

據(jù)Citrini Research測算，閃存的每比特成本約為DRAM的1/55——QLC NAND約為每GB 0.05美元，DDR5 DRAM約為2.75美元，HBM3E則高達15美元。

這一價差的可利用空間，在于AI推理中最大的單一內(nèi)存消耗——KV緩存（記錄模型每次生成步驟中所有先前標(biāo)記的上下文，長對話中可增長至數(shù)百GB）——對讀取速度的要求遠(yuǎn)低于模型權(quán)重的解碼路徑。對于此類順序讀取數(shù)據(jù)，DRAM的速度優(yōu)勢大幅收窄，而閃存的容量優(yōu)勢則充分體現(xiàn)。

閃存的擴容路徑也與DRAM存在本質(zhì)區(qū)別。閃存通過垂直堆疊更多單元層來增加容量，依賴現(xiàn)有工廠已有的沉積和刻蝕工藝，無需新的光刻節(jié)點，不占用EUV資源。閃存控制器基于成熟的6/7納米制程生產(chǎn)，遠(yuǎn)離正在制約先進制程的瓶頸節(jié)點。

蘋果研究人員此前發(fā)表的論文"LLM in a Flash"提供了方法論支撐：通過將大語言模型參數(shù)存儲于設(shè)備閃存、按需調(diào)取至DRAM的方式，可在DRAM容量受限的設(shè)備上運行超出其容量上限的模型，并在CPU和GPU上分別實現(xiàn)比樸素加載方式快4至5倍和20至25倍的推理速度。

兩條路徑：數(shù)據(jù)中心與端側(cè)同步演進

AMD的收購聚焦數(shù)據(jù)中心場景。通過將MEXT技術(shù)整合至AMD數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品組合，AMD尋求幫助企業(yè)客戶在AI工作負(fù)載部署中提升資源利用效率并壓縮成本。

摩根士丹利Shawn Kim團隊認(rèn)為，盡管內(nèi)存短缺持續(xù)，AMD在云端市場競爭格局上仍具結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢——"代理式AI驅(qū)動的CPU需求在結(jié)構(gòu)上有利于AMD在云端市場份額的擴張。"花旗對AMD的樂觀預(yù)判則更多基于其GPU銷售與英偉達的正面競爭態(tài)勢。

蘋果的路徑則落子端側(cè)。"LLM in a Flash"方案將模型推理對昂貴云端內(nèi)存的依賴部分轉(zhuǎn)移至設(shè)備本地閃存，在降低云端運算成本的同時，為端側(cè)AI應(yīng)用提供可行的內(nèi)存架構(gòu)支撐。

據(jù)Citrini Research，兩大路徑共同指向同一結(jié)論：AI推理的內(nèi)存層級正在重構(gòu)，低頻KV緩存、模型權(quán)重及端側(cè)數(shù)據(jù)，將逐步從高價的HBM/DRAM下沉至NAND Flash/SSD層，形成多層次存儲架構(gòu)。

這一架構(gòu)轉(zhuǎn)變正沿產(chǎn)業(yè)鏈形成多層次的傳導(dǎo)效應(yīng)。據(jù)Citrini Research梳理，最直接的受益層是NAND原廠，高容量NAND、企業(yè)級SSD及QLC NAND為最純粹的方向，包括SanDisk、西部數(shù)據(jù)、美光及鎧俠。

SSD控制器層被認(rèn)為持續(xù)性最強——讓閃存真正接近內(nèi)存體驗的核心在于控制器、固件與NVMe架構(gòu)優(yōu)化，涉及Silicon Motion、Marvell等。CXL/PCIe高速互聯(lián)層亦受益。

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