上海
SK海力士宣布向主要客戶交付下一代AI內(nèi)存芯片HBM4E樣品，推動(dòng)公司股價(jià)創(chuàng)下歷史新高。
SK海力士周四在官網(wǎng)表示，這款12層堆疊HBM4E產(chǎn)品每引腳最高數(shù)據(jù)處理速度達(dá)16Gbps，功耗效率較上一代提升逾20%，并通過先進(jìn)封裝技術(shù)將散熱阻力降低17%。SK海力士表示，將與合作伙伴緊密協(xié)作，推動(dòng)產(chǎn)品及時(shí)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
此次樣品出貨標(biāo)志著SK海力士在高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域的技術(shù)迭代再度提速，進(jìn)一步鞏固其在AI基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈中的核心地位，也為市場提供了該公司持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)路線的最新信號。
消息公布后，SK海力士股價(jià)在韓國交易所盤中上漲7.3%，創(chuàng)下歷史盤中新高。這一漲幅反映出市場對該公司在AI內(nèi)存賽道持續(xù)領(lǐng)跑的強(qiáng)烈預(yù)期。自HBM3、HBM3E到HBM4，SK海力士已建立起從量產(chǎn)到供應(yīng)的完整交付能力，此次HBM4E樣品的按期出貨，進(jìn)一步強(qiáng)化了投資者對其技術(shù)兌現(xiàn)能力的信心。
性能與效率雙重躍升
SK海力士在聲明中披露，12層HBM4E在性能與功耗效率兩個(gè)維度均實(shí)現(xiàn)顯著提升。
具體而言，該產(chǎn)品每引腳最高數(shù)據(jù)處理速度達(dá)16Gbps，功耗效率較前代產(chǎn)品提升逾20%。與此同時(shí)，HBM4E通過最新接口設(shè)計(jì)與優(yōu)化，有效降低數(shù)據(jù)傳輸延遲，并在高帶寬環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。上述特性直接提升了AI訓(xùn)練與推理場景下的數(shù)據(jù)處理能力，有助于客戶在AI數(shù)據(jù)中心及大規(guī)模計(jì)算系統(tǒng)中提高運(yùn)營效率。
先進(jìn)封裝技術(shù)支撐48GB容量
在封裝工藝層面，SK海力士采用Advanced MR-MUF（大規(guī)模回流成型底部填充）技術(shù)，在12層堆疊結(jié)構(gòu)下實(shí)現(xiàn)48GB的單顆容量，同時(shí)確保結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
MR-MUF工藝通過在芯片間注入液態(tài)保護(hù)材料來保護(hù)電路，SK海力士在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化，使HBM4E的散熱阻力較上一代HBM4降低17%，從而保障內(nèi)存芯片在高性能計(jì)算環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行。這一技術(shù)突破對于持續(xù)高負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)的AI數(shù)據(jù)中心尤為關(guān)鍵。
SK海力士總裁兼首席開發(fā)官Ahn Hyun在聲明中表示："SK海力士憑借市場領(lǐng)先的技術(shù)能力與制造專長，以HBM4E為基礎(chǔ)，奠定了強(qiáng)化AI領(lǐng)導(dǎo)地位的根基。通過與合作伙伴的緊密協(xié)作，我們將向市場交付所需價(jià)值，同時(shí)作為全棧AI內(nèi)存創(chuàng)造者進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位。"
SK海力士強(qiáng)調(diào)，公司此前在HBM3、HBM3E及HBM4的量產(chǎn)與供應(yīng)方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，是此次HBM4E樣品得以按期交付的重要基礎(chǔ)。公司表示，將依托經(jīng)市場驗(yàn)證的產(chǎn)品可靠性與供應(yīng)能力，支持下一代基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)，并協(xié)助解決AI系統(tǒng)的性能瓶頸。
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